爾必達(dá) 文章進入爾必達(dá)技術(shù)社區(qū)

納米制程遇瓶頸業(yè)者紛紛投入3D存儲器的開發(fā)

　　隨著存儲器容量越來越大，NAND Flash產(chǎn)業(yè)制程在進入20納米制程后，也開始遇到瓶頸，業(yè)界在未來制作更大容量存儲器上，面臨是否繼續(xù)發(fā)展納米的抉擇。日本方面盡管在微縮的技術(shù)上些微領(lǐng)先最大競爭對手公司韓國三星電子(Samsung Electronics)，但短期內(nèi)該技術(shù)也將可能面臨瓶頸，因此如東芝(Toshiba)及爾必達(dá)(Elpida)等公司，均已決定投入3D存儲器的開發(fā)。　
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DRAM報價直落爾必達(dá)逆勢大舉募資

　　DRAM產(chǎn)業(yè)產(chǎn)品價格一再破底，但DRAM廠募資腳步卻從未停歇，像茂德計劃募資是為尋找活下去的救命錢，爾必達(dá)(Elpida)日前也宣布要發(fā)行500 億日圓(約新臺幣179億元)新股和近300億日圓的可轉(zhuǎn)債，決定大舉投入30納米和25納米制程，并加碼行動裝置用存儲器的技術(shù)投資。不過由于爾必達(dá)這次在市場景氣低迷之際，進行如此大規(guī)模的募資行動，也引發(fā)市場不小爭議。
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爾必達(dá)擬發(fā)行新股籌資9.9億美元

　　據(jù)路透社報道，世界第三大芯片制造商日本爾必達(dá)公司近日計劃發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)換債券，融資近800億日元(折合9.92億美元)。爾必達(dá)從傳統(tǒng)的DRAM芯片生產(chǎn)轉(zhuǎn)向了更為有利可圖的智能手機芯片生產(chǎn)，因此需要此筆資金進行新的研發(fā)和生產(chǎn)。
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傳爾必達(dá)將發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)債融資9.9億美元

　　北京時間7月11日午間消息，據(jù)知情人士透露，全球第三大DRAM制造商爾必達(dá)計劃通過發(fā)行新股和可轉(zhuǎn)換債券的方式融資800億日元(約合9.92億美元)。
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爾必達(dá)采用TSV技術(shù)SDRAM芯片開始供貨

　　爾必達(dá)存儲器宣布，開始樣品供貨采用TSV(Through Silicon Via，硅貫通孔)技術(shù)積層4個2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1個接口芯片的單封裝DDR3 SDRAM。爾必達(dá)表示采用TSV技術(shù)實現(xiàn)32bit的輸入輸出“在全球尚屬首次”。據(jù)爾必達(dá)介紹，與采用引線鍵合(Wire Bonding)技術(shù)的現(xiàn)有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比，新產(chǎn)品可以大幅削減耗電量和封裝體積，因此有助于平板終端和超薄型筆記本電腦(PC)等節(jié)省
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爾必達(dá)宣布開始銷售DDR3 DRAM樣品芯片

　　日本爾必達(dá)公司27日宣布已經(jīng)開始銷售采用穿硅互連技術(shù)(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內(nèi)部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術(shù)封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當(dāng)1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。
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2011年日本半導(dǎo)體出貨額預(yù)計將減少6%

　　據(jù)日本媒體報道，近日世界半導(dǎo)體市場統(tǒng)計機構(gòu)WSTS發(fā)布了關(guān)于2011年世界半導(dǎo)體出貨統(tǒng)計的預(yù)測。WSTS報告指出，2011年全球半導(dǎo)體出貨額將達(dá)3144億美元(25兆1520億日元)，同比增長了5%。受地震影響，日本半導(dǎo)體出貨額將減少6%。
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爾必達(dá)開發(fā)出全球最薄的DRAM

　　日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米。　　超薄DRAM將有助于減少智能手機等移動設(shè)備的厚度，增大其容量。制造成本則和目前厚度1毫米的DRAM相同。　　
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DRAM產(chǎn)業(yè)：美日聯(lián)合抗三星

　　DRAM價格持續(xù)處于跌價泥淖，不只臺系DRAM廠陸續(xù)轉(zhuǎn)型、退出，國際大廠也在尋求長遠(yuǎn)生存之道，近日傳出爾必達(dá)(Elpida)、美光 (Micron)、南亞科高層接觸頻繁，為未來可能的合作暖身，其中華亞科成為這次整并的中心點，因此也傳出爾必達(dá)對華亞科的股權(quán)有興趣，為此和美光、臺塑接洽;業(yè)界認(rèn)為DRAM產(chǎn)業(yè)未來在技術(shù)、資金等門檻越來越高下，若要有效對抗三星電子(Samsung Electronics)，美日結(jié)盟勢為必走之路。　　
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臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合之路迫在眉睫

　　DRAM產(chǎn)業(yè)走過2008年底的全球金融風(fēng)暴后，仍舊是跌多漲少，即使各廠都把產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做其它產(chǎn)品，如Mobile RAM、服務(wù)器DRAM等，PC DRAM仍是面臨持續(xù)崩跌局面，因此集成的議題持續(xù)被討論;金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)即表示，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)不集成只有死路一條;某臺廠 DRAM廠高層即表示，整并最恰當(dāng)?shù)姆绞绞?家母廠(美光、爾必達(dá))先自行整并，臺灣DRAM廠自然會集成。　
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爾必達(dá)2Gbit LPDDR2產(chǎn)品使用HKMG技術(shù)

　　日本爾必達(dá)公司近日宣布成功開發(fā)出了DRAM業(yè)界首款使用HKMG技術(shù)的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程級別DRAM芯片產(chǎn)品。HKMG技術(shù)即指晶體管的柵極絕緣層采用高介電常數(shù)(縮寫為high-k即HK)材料，柵電極采用金屬材料 (Metalgate即MG)。采用這種技術(shù)的晶體管可減小柵漏電流并提升晶體管的性能。　
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臺灣爾必達(dá)高層異動　大舉整頓在臺PC DRAM代理策略

　　日系存儲器大廠爾必達(dá)(Elpida)臺灣人事和營運布局大地震，總經(jīng)理謝俊雄6月初閃電退休，職缺暫由全球業(yè)務(wù)副總張士昌兼任，同時爾必達(dá)也著手整頓臺灣PC DRAM通路代理，由過去2~3家代理商的策略，收回由力晶關(guān)系人近期秘密成立的新通路商智勝統(tǒng)籌，另外也傳出爾必達(dá)將小幅入股智勝，象征與力晶之間的合作關(guān)系緊密;存儲器業(yè)者認(rèn)為，力晶年初宣布棄品牌投注爾必達(dá)代工麾下，對雙方營運層面的改變才正要開始而已。　　2年前臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)雖然沒有集成成功，但顯然地，爾必達(dá)已默默搜刮臺灣12寸晶圓產(chǎn)能，從茂德合作伙伴
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爾必達(dá)與聯(lián)電力成合作開發(fā)TSV產(chǎn)品

　　看好3D市場，DRAM大廠爾必達(dá)日前宣布，將與臺灣力成科技、聯(lián)華電子正式簽約，攜手展開TSV產(chǎn)品的共同開發(fā);爾必達(dá)表示，三方還將針對3D IC整合技術(shù)、28納米先進制程TSV(Through-Silicon Via, 直通硅晶穿孔)進行開發(fā)與商務(wù)合作。
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爾必達(dá)“高明投資”方式應(yīng)對DRAM需求增長

　　日本爾必達(dá)存儲器正致力于通過小額設(shè)備投資實現(xiàn)大幅增產(chǎn)的“高明投資”方式。該公司預(yù)計2011財年(2011年4月～2012年3月)的DRAM需求增幅將達(dá)到50%/年，但卻打算以較上財年減少30%的設(shè)備投資額(800億日元)來應(yīng)對。從40nm開始采用的嵌入式字線(Word Line)工藝技術(shù)是確保上述計劃得以實現(xiàn)的關(guān)鍵。　　
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爾必達(dá)開發(fā)25納米DRAM

　　據(jù)韓聯(lián)社報導(dǎo)，三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體事業(yè)部社長權(quán)五鉉在三星主要首長團會議中表示，日本DRAM制造廠爾必達(dá)(Elpida)雖然公開表示已開發(fā)出25納米DRAM，但仍需持續(xù)觀察至正式量產(chǎn)，表現(xiàn)出存疑的態(tài)度。　　
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爾必達(dá)介紹

Elpida　　ELPIDA\爾必達(dá)是日本最主要的DRAM半導(dǎo)體芯片制造廠商,主要生產(chǎn)DRAM顆粒,并且自己制造原產(chǎn)的ELPIDA內(nèi)存條.Elpida在歐美市場以提供高品質(zhì)的DRAM類產(chǎn)品而著稱,但因在大陸地區(qū)韓系廠商的流行,且本身定位于高端產(chǎn)品所以目前在中國較少有貨物銷售,但同時也為廣大業(yè)者帶來潛在的商機. [ 查看詳細(xì) ]

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