爾必達(dá)2Gbit LPDDR2產(chǎn)品使用HKMG技術(shù)

　　日本爾必達(dá)公司近日宣布成功開發(fā)出了DRAM業(yè)界首款使用HKMG技術(shù)的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程級(jí)別DRAM芯片產(chǎn)品。HKMG技術(shù)即指晶體管的柵極絕緣層采用高介電常數(shù)(縮寫為high-k即HK)材料，柵電極采用金屬材料 (Metalgate即MG)。采用這種技術(shù)的晶體管可減小柵漏電流并提升晶體管的性能。

　　此前一些邏輯集成電路廠商如Intel，三星等已經(jīng)開始使用HKMG技術(shù)的晶體管，不過存儲(chǔ)集成電路方面由于HKMG柵極成型后還需要經(jīng)歷高溫處理過程(容易導(dǎo)致金屬材料性質(zhì)變異)，加上DRAM電路結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性(相比邏輯電路用晶體管還需增加電容單元)，使HKMG技術(shù)在DRAM產(chǎn)品上很難得以應(yīng)用。而爾必達(dá)則宣稱成功解決了這兩個(gè)問題。

　　應(yīng)用HKMG技術(shù)之后，爾必達(dá)的LPDDR2產(chǎn)品晶體管的柵絕緣層厚度相比常規(guī)的SiO2絕緣層降低了30%，晶體管的驅(qū)動(dòng)電流值則增加了1.7倍，待機(jī)狀態(tài)電流則降低到了現(xiàn)有水平的1/100，因此極大地減小了LPDDR2產(chǎn)品待機(jī)狀態(tài)的能耗。

　　爾必達(dá)還計(jì)劃在其更多的高速/節(jié)能型移動(dòng)內(nèi)存芯片產(chǎn)品上推廣HKMG技術(shù)。

　　另外，爾必達(dá)還將繼續(xù)評(píng)估將HKMG技術(shù)應(yīng)用到其30/25nm節(jié)點(diǎn)制程的可能性。有關(guān)的樣品則將在2011財(cái)年開始對(duì)外發(fā)貨，產(chǎn)品的量產(chǎn)則會(huì)隨后很快跟進(jìn)。