封裝文章最新資訊

英特爾對(duì)chiplet未來(lái)的一些看法

在英特爾2020年架構(gòu)日活動(dòng)即將結(jié)束的時(shí)候，英特爾花了幾分鐘時(shí)間討論它認(rèn)為某些產(chǎn)品的未來(lái)。英特爾客戶計(jì)算部門副總裁兼首席技術(shù)官Brijesh Tripathi提出了對(duì)2024年以上未來(lái)客戶端產(chǎn)品前景的展望。他表示，他們將以英特爾的7+制造工藝為中心，目標(biāo)是啟用“Client 2.0”，這是一種通過(guò)更優(yōu)化的芯片開(kāi)發(fā)策略來(lái)交付和實(shí)現(xiàn)沉浸式體驗(yàn)的新方法。Chiplet（小芯片）并不是新事物，特別是隨著英特爾競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手最近發(fā)布的芯片，并且隨著我們進(jìn)入更復(fù)雜的過(guò)程節(jié)點(diǎn)開(kāi)發(fā)，小芯片時(shí)代可以使芯片上市時(shí)間更快，給定產(chǎn)品的
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子單元長(zhǎng)期存放對(duì)焊接質(zhì)量的影響*

長(zhǎng)期進(jìn)行IGBT器件焊接封裝發(fā)現(xiàn)，IGBT器件封裝所用關(guān)鍵部件子單元的存放時(shí)間長(zhǎng)短對(duì)焊接空洞影響較大，本文分別對(duì)兩批存放時(shí)間差別較大的子單元進(jìn)行封裝，通過(guò)實(shí)驗(yàn)對(duì)比兩批產(chǎn)品的空洞率，結(jié)果表明存放時(shí)間較短的子單元焊接的IGBT器件空洞率明顯偏小，從而提高了IGBT器件的可靠性。
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三星圖像傳感器計(jì)劃采用CSP封裝技術(shù) 以降低成本

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，三星電子計(jì)劃采用一種新的封裝技術(shù)，以降低圖像傳感器的成本。從外媒的報(bào)道來(lái)看，三星圖像傳感器計(jì)劃采用的是芯片級(jí)封裝（Chip Scale Package，CSP）技術(shù)，從明年開(kāi)始采用，不過(guò)只會(huì)用于低分辨率的圖像傳感器。COB封裝技術(shù)據(jù)The Elec報(bào)道，目前三星電子的圖像傳感器采用板上芯片封裝（Chips on Board，COB） ——?COB是當(dāng)前圖像傳感器最常用的封裝方法，即將圖像傳感器放置在PCB上，并通過(guò)導(dǎo)線連接，再將鏡頭附著在上面。然而，該過(guò)程需要一個(gè)潔凈室，因?yàn)樵诜?/li>
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長(zhǎng)電科技上半年延續(xù)高增長(zhǎng) 大力布局先進(jìn)封裝功不可沒(méi)

5G通信與新能源汽車引領(lǐng)的新一輪科技迭代浪潮，將全球半導(dǎo)體行業(yè)引入了新一輪景氣周期。面對(duì)強(qiáng)勁市場(chǎng)需求，包括封測(cè)在內(nèi)的行業(yè)相關(guān)企業(yè)普遍迎來(lái)業(yè)績(jī)利好。日前，國(guó)內(nèi)封測(cè)龍頭長(zhǎng)電科技（股票代碼600584）發(fā)布了截至2021年6月30日的半年度財(cái)務(wù)報(bào)告。財(cái)報(bào)顯示，長(zhǎng)電科技上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收人民幣138.2億元，同比增長(zhǎng)15.4%。凈利潤(rùn)為人民幣13.2億元，同比增長(zhǎng)261.0%，創(chuàng)歷年上半年凈利潤(rùn)新高。自2020年起，長(zhǎng)電科技進(jìn)入增長(zhǎng)快車道，去年全年凈利潤(rùn)達(dá)到13億元。進(jìn)入2021年，長(zhǎng)電科技的業(yè)績(jī)?cè)鏊賱?shì)頭不減，上半年
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三星加快部署3D芯片封裝技術(shù) 希望明年同臺(tái)積電展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術(shù)，而外媒最新的報(bào)道顯示，三星已加快了這一技術(shù)的部署。外媒是援引行業(yè)觀察人士透露的消息，報(bào)道三星在加快3D芯片封裝技術(shù)的部署的。加快部署，是因?yàn)槿菍で竺髂觊_(kāi)始同臺(tái)積電在先進(jìn)芯片的封裝方面展開(kāi)競(jìng)爭(zhēng)。從外媒的報(bào)道來(lái)看，三星的3D芯片封裝技術(shù)名為“eXtended-Cube” ，簡(jiǎn)稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經(jīng)能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術(shù)，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術(shù)來(lái)
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Intel宣布全新混合結(jié)合封裝：凸點(diǎn)密度猛增25倍

在Intel的六大技術(shù)支柱中，封裝技術(shù)和制程工藝并列，是基礎(chǔ)中的基礎(chǔ)，這兩年Intel也不斷展示自己的各種先進(jìn)封裝技術(shù)，包括Foveros、Co-EMIB、ODI、MDIO等等。Intel又宣布了全新的“混合結(jié)合”(Hybrid Bonding)，可取代當(dāng)今大多數(shù)封裝技術(shù)中使用的“熱壓結(jié)合”(thermocompression bonding)。據(jù)介紹，混合結(jié)合技術(shù)能夠加速實(shí)現(xiàn)10微米及以下的凸點(diǎn)間距(Pitch)，提供更高的互連密度、更小更簡(jiǎn)單的電路、更大的帶寬、更低的電容、更低的功耗(每比特不到0.0
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三星電子展示3D晶圓封裝技術(shù) 可用于5納米和7納米制程

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來(lái)自三星電子官方三星的3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡(jiǎn)稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應(yīng)用嚴(yán)苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運(yùn)算、行動(dòng)和穿戴設(shè)備等。三星晶圓代工市場(chǎng)策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進(jìn)的極紫外光(EUV)制程節(jié)
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集成濾光窗的MEMS紅外傳感器電子封裝

摘要傳感器半導(dǎo)體技術(shù)的開(kāi)發(fā)成果日益成為提高傳感器集成度的一個(gè)典型途徑，在很多情況下，為特殊用途的MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）類傳感器提高集成度的奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。本文介紹一個(gè)MEMS光熱傳感器的封裝結(jié)構(gòu)以及系統(tǒng)級(jí)封裝（SIP）的組裝細(xì)節(jié)，涉及一個(gè)基于半導(dǎo)體技術(shù)的紅外傳感器結(jié)構(gòu)。傳感器封裝以及其與傳感器芯片的物理交互作用，是影響系統(tǒng)整體性能的主要因素之一，本文將重點(diǎn)介紹這些物理要素。本文探討的封裝結(jié)構(gòu)是一個(gè)腔體柵格陣列（LGA）。所涉及材料的結(jié)構(gòu)特性和物理特性必須與傳感器的光學(xué)信號(hào)處理和內(nèi)置專用集成電路（ASIC
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半導(dǎo)體封裝：5G新基建催生新需求

封裝是半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中的重要一環(huán)，也是半導(dǎo)體行業(yè)中，中國(guó)與全球差距最小的一環(huán)。然而，新冠肺炎疫情的突襲，讓中國(guó)封裝產(chǎn)業(yè)受到了一些影響。但是，隨著國(guó)內(nèi)數(shù)字化、智能化浪潮的不斷推進(jìn)，中國(guó)的封裝產(chǎn)業(yè)增加了更多沖破疫情陰霾、拓展原有優(yōu)勢(shì)取得進(jìn)一步發(fā)展的機(jī)會(huì)。
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盛美半導(dǎo)體首臺(tái)無(wú)應(yīng)力拋光設(shè)備交付中國(guó)晶圓級(jí)先進(jìn)封裝龍頭企業(yè)客戶

盛美半導(dǎo)體設(shè)備公司，作為國(guó)際領(lǐng)先的半導(dǎo)體和晶圓級(jí)封裝設(shè)備供應(yīng)商，近日發(fā)布公司新產(chǎn)品：適用于晶圓級(jí)先進(jìn)封裝應(yīng)用(Wafer Level Advance Package)的無(wú)應(yīng)力拋光(Stree-Free-Polish)解決方案。先進(jìn)封裝級(jí)無(wú)應(yīng)力拋光（Ultra SFP ap）設(shè)計(jì)用于解決先進(jìn)封裝中，硅通孔（TSV）和扇出(FOWLP)應(yīng)用金屬平坦化工藝中表層銅層過(guò)厚引起晶圓翹曲的問(wèn)題。
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Manz亞智科技推進(jìn)國(guó)內(nèi)首個(gè)大板級(jí)扇出型封裝示范工藝線建設(shè)

全球領(lǐng)先的高科技設(shè)備制造商Manz亞智科技，交付大板級(jí)扇出型封裝解決方案于廣東佛智芯微電子技術(shù)研究有限公司（簡(jiǎn)稱佛智芯），推進(jìn)國(guó)內(nèi)首個(gè)大板級(jí)扇出型封裝示范線建設(shè)，是佛智芯成立工藝開(kāi)發(fā)中心至關(guān)重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，同時(shí)也為板級(jí)扇出型封裝裝備奠定了驗(yàn)證基礎(chǔ)，從而推進(jìn)整個(gè)扇出型封裝（FOPLP）行業(yè)的產(chǎn)業(yè)化發(fā)展。5G、云端、人工智能等技術(shù)的深入發(fā)展，使其廣泛應(yīng)用于移動(dòng)裝置、車載、醫(yī)療等行業(yè)，并已成為全球科技巨擘下一階段的重點(diǎn)發(fā)展方向。而在此過(guò)程中，體積小、運(yùn)算及效能更強(qiáng)大的芯片成為新的發(fā)展趨勢(shì)和市場(chǎng)需求，不僅如此，芯
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Intel全球首秀一體封裝光學(xué)以太網(wǎng)交換機(jī)

Intel近日宣布，已成功將1.6Tbps的硅光引擎與12.8Tbps的可編程以太網(wǎng)交換機(jī)成功集成在一起。這款一體封裝解決方案整合了Intel及旗下Barefoot Networks部門的基礎(chǔ)技術(shù)構(gòu)造模塊，可用于以太網(wǎng)交換機(jī)上的集成光學(xué)器件。
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。
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更小36V、4A電源模塊將解決方案尺寸減小30％

德州儀器（TI）近日推出了業(yè)界更小的采用四方扁平無(wú)引線封裝（QFN）的36V、4A電源模塊。TPSM53604?DC/DC降壓模塊5mm x 5.5mm的面積使工程師能夠?qū)⑵潆娫闯叽缈s小30%，同時(shí)將功率損耗減少到其他同類模塊的50%。新電源模塊配有一個(gè)導(dǎo)熱墊來(lái)優(yōu)化熱傳遞，使工程師能夠簡(jiǎn)化電路板安裝和布局。如需了解更多信息、樣品和評(píng)估模塊，敬請(qǐng)?jiān)L問(wèn)?http://www.ti.com.cn/product/cn/TPSM53604。TPSM53604可在高達(dá)105°C的環(huán)境溫度下運(yùn)行，
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走近英特爾Lakefield——采用備受贊譽(yù)的Foveros 3D封裝技術(shù)

這款指甲大小的英特爾芯片是首款采用了Foveros技術(shù)的產(chǎn)品。英特爾院士、芯片工程事業(yè)部成員?Wilfred Gomes，手執(zhí)一枚采用Foveros先進(jìn)封裝技術(shù)打造而成的處理器。該處理器將獨(dú)特的3D堆疊與一種混合計(jì)算架構(gòu)結(jié)合在一起，這種架構(gòu)混搭了多種類型、功能各異的內(nèi)核。（圖片來(lái)源：Walden Kirsch/英特爾公司）Foveros封裝技術(shù)改變了以往將不同IP模塊放置在同一2D平面上的做法，改為3D立體式堆疊，讓處理器有了全新的構(gòu)建模式。試想一下，全新設(shè)計(jì)的芯片就像一個(gè)設(shè)計(jì)成1毫米厚的夾心蛋
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封裝介紹

程序　　封裝 (encapsulation) 　　隱藏對(duì)象的屬性和實(shí)現(xiàn)細(xì)節(jié)，僅對(duì)外公開(kāi)接口,控制在程序中屬性的讀和修改的訪問(wèn)級(jí)別. 　　封裝 (encapsulation) 　　封裝就是將抽象得到的數(shù)據(jù)和行為(或功能)相結(jié)合，形成一個(gè)有機(jī)的整體，也就是將數(shù)據(jù)與操作數(shù)據(jù)的源代碼進(jìn)行有機(jī)的結(jié)合，形成“類”，其中數(shù)據(jù)和函數(shù)都是類的成員。　　封裝的目的是增強(qiáng)安全性和簡(jiǎn)化編程，使用者不必了解具體的 [ 查看詳細(xì) ]