安森美文章最新資訊

安森美推出端對端定位系統(tǒng),助力實現(xiàn)更省電的高精度資產追蹤

智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美（onsemi），推出了一款端對端定位系統(tǒng)，讓設計人員可以更方便快速地開發(fā)出更高精度、更具成本效益、更省電的資產追蹤解決方案。該系統(tǒng)基于安森美的RSL15 MCU，這是業(yè)界功耗最低的Bluetooth? 5.2 MCU，并采用了Unikie和CoreHW的軟件算法和組件，形成一個全集成的解決方案，其組件已經過優(yōu)化，可以協(xié)同工作。新的藍牙低功耗（Bluetooth LE）解決方案使標簽能夠用于在規(guī)定的封閉空間（如倉庫、商店或其他建筑物）中以亞米級的精度追蹤物體或人員。它
關鍵字：安森美定位資產追蹤

安森美(onsemi)M3S EliteSiC MOSFET讓車載充電器升級到800V電池架構

自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。最常見的充電方法是在家充一整夜或白天到工作場所充電。這兩種情況對電動汽車的功率水平提出了不同的要求。使用家中的住宅電源插座可能無法在一整夜后就為電動汽車充滿電。工作場所提供的可能是中等功率的交流充電樁，如果汽車配備的是較低功率的車載充電器 (OBC)，那么充電樁使用時間可能會成為
關鍵字：安森美 onsemi MOSFET 車載充電器 800V電池架構

用于SiC MOSFET的隔離柵極驅動器使用指南

SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點介紹NCP517
關鍵字：安森美 SiC MOSFET 隔離柵極驅動器

安森美引領行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術優(yōu)勢

本文旨在介紹安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優(yōu)勢，提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關的基礎知識，接下來介紹開關損耗提取技術和寄生效應影響的詳細信息，并介紹虛擬開關損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關皆適用的 PLECS 模型以及相關的影響。總結部分闡明了安森美工具比業(yè)內
關鍵字：安森美 PLECS模型仿真工具

深度剖析IGBT柵極驅動注意事項

IGBT晶體管的結構要比 MOSFET 或雙極結型晶體管 (BJT) 復雜得多。它結合了這兩種器件的特點，并且有三個端子：一個柵極、一個集電極和一個發(fā)射極。就柵極驅動而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導通電流為了快速導通和關斷 BJT，必須在每個方向上硬驅動柵極電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當 MOSFET 的柵極被驅動為高電平時，會存在一個從雙
關鍵字：安森美 IGBT 柵極驅動

安森美Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的優(yōu)勢

簡介? ? ??本文旨在介紹安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術優(yōu)勢，提供有關如何使用在線工具和可用功能的更多詳細信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關的基礎知識，接下來介紹開關損耗提取技術和寄生效應影響的詳細信息，并介紹虛擬開關損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對半導體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細介紹對軟硬開關皆適用的 PLE
關鍵字：安森美 Elite Power 仿真工具 PLECS 模型自助生成工具

分步解析，半橋 LLC 諧振轉換器的設計要點

在眾多諧振轉換器中，LLC 諧振轉換器有著高功率密度應用中最常用的拓撲結構。之前我們介紹過采用 NCP4390 的半橋 LLC 諧振轉換器的設計注意事項，其中包括有關 LLC 諧振轉換器工作原理的說明、變壓器和諧振網絡的設計，以及元件的選擇。今天我們將介紹設計程序的前9個步驟并配有設計示例來加以說明，幫助您完成 LLC 諧振轉換器的設計。設計程序本文介紹了使用圖 12 中的電路圖作為參考的設計程序，其中諧振電感是用漏感實現(xiàn)的。設計規(guī)格如下所示：● 標稱輸入電壓：396 VDC（PF
關鍵字：安森美半橋 LLC 轉換器

如何高效完成大電流單通道柵極驅動器電路設計？

NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器，內置電流隔離功能，用于在高功率應用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護和軟關斷(STO)這六個部分的參數(shù)、功能和設計技巧。這篇文章我們將重點關注NCD(V)5700x的考慮使用外部BJT緩沖器實現(xiàn)軟關斷(STO)、用于偏置電源的齊納分離式穩(wěn)
關鍵字：安森美柵極驅動器

工程師必須知道的大電流單通道柵極驅動器設計技巧

NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅動器，內置電流隔離功能，用于在高功率應用中實現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（）和就緒 (RDY) 輸出，復位或清除故障功能（），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護 (DESAT)，去飽和情況下軟關斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅動輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈沖失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI
關鍵字：安森美

對圖像傳感器的認識誤區(qū)：傳感器類型

如今，攝像頭已隨處可見，工廠、車輛、公共建筑、街道……其數(shù)量還在不斷增多。大部分攝像頭依靠圖像傳感器將場景中的光線轉換為電子圖像，因而推升了對圖像傳感器的需求。但圖像傳感器種類繁多，功能特性各不相同，設計人員需要熟悉不同傳感器的不同功能特性，才能為特定應用選擇合適的攝像頭。乘用車攝像頭搭載量激增，有些豪華車型甚至配有十幾個攝像頭。汽車制造商需要添加更多傳感器以提升安全性，還需考慮每個攝像頭的經濟成本和占用空間，這為其帶來了挑戰(zhàn)。于是，汽車制造商開始尋找解決方案，希望用一個攝像頭捕獲同時針對人眼視覺和機器視
關鍵字：安森美圖像傳感器

安森美被納入納斯達克100指數(shù)

2023 年 6月 13日—智能電源和智能感知技術的領先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），將于美國時間2023年6月20日星期二開市前被納入納斯達克100指數(shù)。安森美已連續(xù)兩年取得創(chuàng)紀錄的業(yè)績，其市值在過去30個月里增長了兩倍，2022年收入83億美元，盈利增長速度是收入的4倍。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury說：“安森美被納入著名的納斯達克100指數(shù)，證明我們在過去兩年實施的戰(zhàn)略轉型是成功的，在此期間，我們在世界各地的員工堅定不移的付出和創(chuàng)新為安森美的股東帶
關鍵字：安森美納斯達克100指數(shù)

安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析

SiC MOSFET 在功率半導體市場中正迅速普及，因為它最初的一些可靠性問題已得到解決，并且價位已達到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關鍵特性及驅動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅動器）的使用指南。本文為第一部分，將重點介紹安森美M 1
關鍵字：安森美

高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設計

更大容量電池需具備相同或更快充電時間的趨勢正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓， USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范，使得最大的輸出達到48V 5A, 240W的功率。在設計USB PD適配器和充電器時，要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標準，并考慮小型化設計以配合移動便攜式設備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的高頻準諧振 (QR)控制器所構成的雙管反激變換器 USB PD3.1 EPR適配器
關鍵字： USB PD3.1 EPR 適配器安森美

注意！設計半橋 LLC 諧振轉換器，你得注意這些

在眾多諧振轉換器中，LLC 諧振轉換器有著高功率密度應用中最常用的拓撲結構。與其他諧振拓撲相比，這種拓撲具有許多優(yōu)點：它能以相對較小的開關頻率變化來調節(jié)整個負載變化的輸出；它可以實現(xiàn)初級側開關的零電壓開關 (ZVS) 和次級側整流器的零電流開關 (ZCS)；而且，諧振電感可以集成到變壓器中。NCP4390 系列是一種先進的脈沖頻率調制 (PFM) 控制器系列，適用于具有同步整流 (SR) 的 LLC 諧振轉換器，可為隔離式 DC/DC 轉換器提供出眾的效率。與市場上的傳統(tǒng) PFM 控制器相比，NCP439
關鍵字：安森美 LLC 諧振轉換器

用于車載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設計 OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術的汽
關鍵字：安森美車載充電器 MOSFET

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安森美介紹

安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網絡和強大的產品系列，是計算機、通信、消費產品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術供應商。公司廣泛的產品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設計中心的業(yè)務 [ 查看詳細 ]