安森美文章進(jìn)入安森美技術(shù)社區(qū)

安森美引領(lǐng)行業(yè)的Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的技術(shù)優(yōu)勢(shì)

本文旨在介紹安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)，接下來介紹開關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢(shì)。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對(duì)半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細(xì)介紹對(duì)軟硬開關(guān)皆適用的 PLECS 模型以及相關(guān)的影響?？偨Y(jié)部分闡明了安森美工具比業(yè)內(nèi)
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深度剖析IGBT柵極驅(qū)動(dòng)注意事項(xiàng)

IGBT晶體管的結(jié)構(gòu)要比 MOSFET 或雙極結(jié)型晶體管 (BJT) 復(fù)雜得多。它結(jié)合了這兩種器件的特點(diǎn)，并且有三個(gè)端子：一個(gè)柵極、一個(gè)集電極和一個(gè)發(fā)射極。就柵極驅(qū)動(dòng)而言，該器件的行為類似于 MOSFET。它的載流路徑與 BJT 的集電極-發(fā)射極路徑非常相似。圖 1 顯示了 n 型 IGBT 的等效器件電路。圖 1. IGBT的等效電路圖 2. IGBT的導(dǎo)通電流為了快速導(dǎo)通和關(guān)斷 BJT，必須在每個(gè)方向上硬驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電流，以將載流子移入和移出基極區(qū)。當(dāng) MOSFET 的柵極被驅(qū)動(dòng)為高電平時(shí)，會(huì)存在一個(gè)從雙
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安森美Elite Power仿真工具和PLECS模型自助生成工具的優(yōu)勢(shì)

簡(jiǎn)介? ? ??本文旨在介紹安森美 (onsemi) 的在線 Elite Power 仿真工具和 PLECS 模型自助生成工具 (SSPMG) 所具有的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，提供有關(guān)如何使用在線工具和可用功能的更多詳細(xì)信息。我們首先介紹一些與 SPICE 和 PLECS 模型有關(guān)的基礎(chǔ)知識(shí)，接下來介紹開關(guān)損耗提取技術(shù)和寄生效應(yīng)影響的詳細(xì)信息，并介紹虛擬開關(guān)損耗環(huán)境的概念和優(yōu)勢(shì)。該虛擬環(huán)境還可用來研究系統(tǒng)性能對(duì)半導(dǎo)體工藝變化的依賴性。最后，本文詳細(xì)介紹對(duì)軟硬開關(guān)皆適用的 PLE
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分步解析，半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)要點(diǎn)

在眾多諧振轉(zhuǎn)換器中，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器有著高功率密度應(yīng)用中最常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。之前我們介紹過采用 NCP4390 的半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，其中包括有關(guān) LLC 諧振轉(zhuǎn)換器工作原理的說明、變壓器和諧振網(wǎng)絡(luò)的設(shè)計(jì)，以及元件的選擇。今天我們將介紹設(shè)計(jì)程序的前9個(gè)步驟并配有設(shè)計(jì)示例來加以說明，幫助您完成 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)。設(shè)計(jì)程序本文介紹了使用圖 12 中的電路圖作為參考的設(shè)計(jì)程序，其中諧振電感是用漏感實(shí)現(xiàn)的。設(shè)計(jì)規(guī)格如下所示：● 標(biāo)稱輸入電壓：396 VDC（PF
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如何高效完成大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器電路設(shè)計(jì)？

NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。上篇中我們介紹了NCD(V)5700x的輸入(IN)和輸出(OUT)信號(hào)、輸入偏置電源(VDD1)、輸出正負(fù)偏置電源(VDD2和VEE2)、功耗(PD)和結(jié)溫(TJ)、欠壓閉鎖(UVLO)和就緒(RDY)和去飽和(DESAT)保護(hù)和軟關(guān)斷(STO)這六個(gè)部分的參數(shù)、功能和設(shè)計(jì)技巧。這篇文章我們將重點(diǎn)關(guān)注NCD(V)5700x的考慮使用外部BJT緩沖器實(shí)現(xiàn)軟關(guān)斷(STO)、用于偏置電源的齊納分離式穩(wěn)
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工程師必須知道的大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)技巧

NCD(V)5700x 是大電流單通道柵極驅(qū)動(dòng)器，內(nèi)置電流隔離功能，用于在高功率應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高系統(tǒng)效率和可靠性。其特性包括：互補(bǔ)輸入（IN+ 和 IN-），開漏故障（）和就緒 (RDY) 輸出，復(fù)位或清除故障功能（），有源米勒箝位 (CLAMP)，去飽和保護(hù) (DESAT)，去飽和情況下軟關(guān)斷，拉電流 (OUTH) 和灌電流 (OUTL) 分離驅(qū)動(dòng)輸出（僅限 NCD(V)57000），精確欠壓閉鎖 (UVLO)，低傳播延遲（最大值90 ns）和小脈沖失真（最大值25 ns），較高的共模瞬變抗擾度 (CMTI
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對(duì)圖像傳感器的認(rèn)識(shí)誤區(qū)：傳感器類型

如今，攝像頭已隨處可見，工廠、車輛、公共建筑、街道……其數(shù)量還在不斷增多。大部分?jǐn)z像頭依靠圖像傳感器將場(chǎng)景中的光線轉(zhuǎn)換為電子圖像，因而推升了對(duì)圖像傳感器的需求。但圖像傳感器種類繁多，功能特性各不相同，設(shè)計(jì)人員需要熟悉不同傳感器的不同功能特性，才能為特定應(yīng)用選擇合適的攝像頭。乘用車攝像頭搭載量激增，有些豪華車型甚至配有十幾個(gè)攝像頭。汽車制造商需要添加更多傳感器以提升安全性，還需考慮每個(gè)攝像頭的經(jīng)濟(jì)成本和占用空間，這為其帶來了挑戰(zhàn)。于是，汽車制造商開始尋找解決方案，希望用一個(gè)攝像頭捕獲同時(shí)針對(duì)人眼視覺和機(jī)器視
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安森美被納入納斯達(dá)克100指數(shù)

2023 年 6月 13日—智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美（onsemi，美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），將于美國時(shí)間2023年6月20日星期二開市前被納入納斯達(dá)克100指數(shù)。安森美已連續(xù)兩年取得創(chuàng)紀(jì)錄的業(yè)績(jī)，其市值在過去30個(gè)月里增長(zhǎng)了兩倍，2022年收入83億美元，盈利增長(zhǎng)速度是收入的4倍。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury說：“安森美被納入著名的納斯達(dá)克100指數(shù)，證明我們?cè)谶^去兩年實(shí)施的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型是成功的，在此期間，我們?cè)谑澜绺鞯氐膯T工堅(jiān)定不移的付出和創(chuàng)新為安森美的股東帶
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安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 靜態(tài)特性分析

SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價(jià)位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場(chǎng)上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動(dòng)器）的使用指南。本文為第一部分，將重點(diǎn)介紹安森美M 1
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高能效、小外形的240W USB PD3.1 EPR適配器的參考設(shè)計(jì)

更大容量電池需具備相同或更快充電時(shí)間的趨勢(shì)正在加速USB-C PD采用更大的功率及更高的輸出電壓， USB PD組織發(fā)布了最新的USB PD3.1 EPR規(guī)范，使得最大的輸出達(dá)到48V 5A, 240W的功率。在設(shè)計(jì)USB PD適配器和充電器時(shí)，要滿足COC V5 Tier2 等最新的能效標(biāo)準(zhǔn)，并考慮小型化設(shè)計(jì)以配合移動(dòng)便攜式設(shè)備等輕薄短小但功能豐富多樣的趨勢(shì)。安森美(onsemi)最新推出的240 W圖騰柱PFC配合最新的高頻準(zhǔn)諧振 (QR)控制器所構(gòu)成的雙管反激變換器 USB PD3.1 EPR適配器
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注意！設(shè)計(jì)半橋 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器，你得注意這些

在眾多諧振轉(zhuǎn)換器中，LLC 諧振轉(zhuǎn)換器有著高功率密度應(yīng)用中最常用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。與其他諧振拓?fù)湎啾?，這種拓?fù)渚哂性S多優(yōu)點(diǎn)：它能以相對(duì)較小的開關(guān)頻率變化來調(diào)節(jié)整個(gè)負(fù)載變化的輸出；它可以實(shí)現(xiàn)初級(jí)側(cè)開關(guān)的零電壓開關(guān) (ZVS) 和次級(jí)側(cè)整流器的零電流開關(guān) (ZCS)；而且，諧振電感可以集成到變壓器中。NCP4390 系列是一種先進(jìn)的脈沖頻率調(diào)制 (PFM) 控制器系列，適用于具有同步整流 (SR) 的 LLC 諧振轉(zhuǎn)換器，可為隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器提供出眾的效率。與市場(chǎng)上的傳統(tǒng) PFM 控制器相比，NCP439
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用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

隨著電動(dòng)汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展，對(duì) SiC MOSFET 的需求也在增長(zhǎng)。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì) OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計(jì)人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓?fù)?，因?yàn)樗兄吭降拈_關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢(shì)。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽
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AI賦能聽學(xué)解決方案，安森美致力讓更多人聽到世界的美好

相比于爆火的TWS耳機(jī)應(yīng)用，助聽器并不算是很龐大的市場(chǎng)，但因?yàn)樘囟ㄈ巳旱膭傂瑁蛊溆质且粋€(gè)注定將長(zhǎng)期存在的市場(chǎng)，安森美作為極少數(shù)一直堅(jiān)持服務(wù)這個(gè)市場(chǎng)的硬件供應(yīng)商，已經(jīng)在該領(lǐng)域擁有30多年的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)。在最近北京舉辦的國際聽力學(xué)大會(huì)現(xiàn)場(chǎng)，安森美(onsemi)工業(yè)醫(yī)療智能部門亞太區(qū)高級(jí)營銷經(jīng)理楊正龍 (Henry Yang)先生接受了本刊的專訪，暢談安森美在這個(gè)特殊市場(chǎng)的產(chǎn)品、解決方案和未來發(fā)展趨勢(shì)。助聽器已經(jīng)在市場(chǎng)上存在了幾十年，隨著全球大部分發(fā)達(dá)國家進(jìn)入老齡化社會(huì)和人口壽命的增加，助聽器市場(chǎng)規(guī)模在未來
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議，共同投資于碳化硅擴(kuò)產(chǎn)

2023年6月1日 - 緯湃科技（Vitesco Technologies）和安森美（onsemi）今天宣布了一項(xiàng)價(jià)值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅產(chǎn)品10年期供應(yīng)協(xié)議，以實(shí)現(xiàn)緯湃科技在電氣化技術(shù)方面的提升。緯湃科技是國際領(lǐng)先的現(xiàn)代驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電氣化解決方案制造商，將向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的投資，用于采購碳化硅晶錠生長(zhǎng)、晶圓生產(chǎn)和外延的新設(shè)備，以提前鎖定碳化硅的產(chǎn)能。這些設(shè)備將用于生產(chǎn)碳化硅晶圓，以支持緯湃科技不斷增長(zhǎng)的業(yè)務(wù)需求。同時(shí)，作為智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，安森美將繼續(xù)
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅（SiC）長(zhǎng)期供應(yīng)協(xié)議

?·?????? 緯湃科技正在鎖定價(jià)值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產(chǎn)能投資，獲得這一關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)電氣化的強(qiáng)勁增長(zhǎng)·?????? 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進(jìn)一步優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng)方面達(dá)成合作?2023年
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安森美介紹

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor, 美國納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強(qiáng)大的產(chǎn)品系列，是計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場(chǎng)客戶之首選高能效半導(dǎo)體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號(hào)、邏輯、分立及定制器件。公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場(chǎng)運(yùn)營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計(jì)中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細(xì) ]