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存儲器 文章 最新資訊

存儲器需求動能強勁,第四季DRAM合約價有望再漲逾一成

  •   受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動,存儲器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示,存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續(xù)強勁成長態(tài)勢與服務(wù)器需求增溫帶動下,DRAM與NAND Flash第四季價格預(yù)計將同步上揚,特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。   供應(yīng)持續(xù)吃緊,DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài)   由于今年中國品牌智能手機表現(xiàn)超乎預(yù)期,服務(wù)器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫,下半年臺系服務(wù)器代工廠
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英特爾因應(yīng)深度學(xué)習(xí)需求 對Xeon Phi進(jìn)行調(diào)整

  •   軟、硬件共同設(shè)計趨勢正在席卷整個IT部門,不論是資料分析或是機器學(xué)習(xí),每種工作項目的分工都 將更為精細(xì),硬件廠商也開始針對軟體設(shè)計新的產(chǎn)品。為了維系資料中心的市場霸主地位,英特爾(Intel)瞄準(zhǔn)機器學(xué)習(xí)的特殊需求,將推出代號為 Knights Mill的多核心處理器。   據(jù)The Next Platform報導(dǎo),英特爾現(xiàn)有的Knights Landing Xeon Phi芯片可提供雙精度(Double Precision)3.46 teraflop及單精度(Single Precision)6.
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IDC:Q2全球手機制造廠排行,零部件缺貨導(dǎo)致再洗牌

  •   IDC昨天公布,2016年第2季由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關(guān)鍵零組件短缺,全球智能手機產(chǎn)業(yè)制造量較首季僅成長4.8%。且因關(guān)鍵零組件短缺,造成排名的洗牌效應(yīng)。   IDC全球硬件組裝研究團(tuán)隊研究經(jīng)理高鴻翔指出,在蘋果、索尼、微軟等國際大廠出貨量滑落影響下,2016年第2季全球智能手機組裝產(chǎn)業(yè)競爭,呈現(xiàn)大陸廠商比重持續(xù)提升(44.1%上升至46.4%)、臺灣廠商比重滑落(23.4%跌至19.7%)的態(tài)勢。   由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關(guān)鍵零組件短缺,形成歐、美、日與大陸一線廠商以原
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東芝開始全球首批64層3D NAND閃存的樣品出貨

  •   東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器,采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)[1]。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲器采用3-bit-per-cell(1個存儲器儲存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))技術(shù),實現(xiàn)了256Gbit(32GB)的容量。這種進(jìn)步印證了東芝專有架構(gòu)的潛力。東芝將不斷精進(jìn)BiCS FLASHTM制造工藝,其發(fā)展藍(lán)圖中的下一個里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。   這款新型存儲器沿襲48層BiC
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美大學(xué)突破相變化存儲器技術(shù) 速度較DRAM快逾千倍

  •   在全球持續(xù)突破存儲器運行速度的努力進(jìn)程中,全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣,并投入大量時間從事研發(fā),最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破,據(jù)稱可讓PCM的運行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。   據(jù)Techspot網(wǎng)站報導(dǎo),所謂的相變化存儲器運作原理,是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動,雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
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清華控股徐井宏:走向制造強國須靠扎實創(chuàng)新

  •   略有變化,卻并不意外。隨著2016中國企業(yè)500強榜單的發(fā)布,人們看到,國家電網(wǎng)以20713.49億元的營業(yè)收入首次排名中國企業(yè)500強榜首, 中國石油(7.420, 0.02, 0.27%)、中國石化(4.950, 0.00, 0.00%)、工商銀行(4.490, -0.01, -0.22%)等緊隨其后。   “剛才我們也在討論,中國500強越來越大,每年中國進(jìn)入世界500強的企業(yè)在增加,但是大部分是央企, 是資源壟斷型、市場壟斷型企業(yè),我們真正擁有自己關(guān)鍵技術(shù)的企業(yè)寥寥無幾,像華為這
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紫光國芯發(fā)布上半年財報:存儲器芯片業(yè)務(wù)增幅超過30%

  •   8月18日,紫光國芯股份有限公司(下稱“紫光國芯”)對外公布了2016年上半年(1月-6月)財務(wù)報告。   財報顯示,紫光國芯2016年上半年營收和利潤實現(xiàn)雙增長,營業(yè)總收入達(dá)到6.46億元,比上年同期增長15.76%,實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.50億元,比上年同期增長12.76%。   盡管全球經(jīng)濟環(huán)境并不是太好,但得益于國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,紫光國芯經(jīng)營業(yè)績保持了快速增長的態(tài)勢。        圖片來源:紫光國芯財報   存儲器芯片業(yè)
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3D NAND風(fēng)暴來襲,中國存儲器廠商如何接招?

  • 中國正在下大力度推進(jìn)存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,3D NAND被認(rèn)為是一個有利的突破口。
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丁文武點評存儲器市場:人才是競爭的關(guān)鍵

  •   在日前舉行的“國際集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇”上,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武表示,目前,存儲器已經(jīng)成為我國進(jìn)口的最大宗商品,2015年進(jìn)口額超2100億美金。   與此同時,由于存儲器涉及到信息存儲,信息安全等方面,其已經(jīng)成為信息安全和產(chǎn)業(yè)安全基石。   存儲器在集成電路中的地位以及我國對于存儲器的旺盛需求,讓全國各個地方基金對于發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)具有非常高的積極性。目前,武漢、深圳、福建、合肥、北京等針對存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)行相應(yīng)的投資與布局。   以武漢為例,武漢已經(jīng)明
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解讀實現(xiàn)中國存儲器夢的三條路徑

  • 中中國下決心做存儲器芯片,是個特別重大,而又十分艱難的決定,國存儲器業(yè)要取得成功,總體上產(chǎn)業(yè)發(fā)展有三條路徑,研發(fā),兼并及合資,合作都是十分有效,然而經(jīng)過一段時間的實踐,有一定進(jìn)展,但是情況也有些變化,這一切唯有通過研發(fā)的早日成功,才能扭轉(zhuǎn)被動的局面。
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STM32學(xué)習(xí)筆記-Flash作為存儲器儲存數(shù)據(jù)

  •   說到STM32的FLSAH,我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的,實際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然, FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。   自己收集了一些資料,現(xiàn)將這些資料總結(jié)了一下,不想看的可以直接調(diào)到后面看怎么操作就可以了。   FLASH分類   根據(jù)用途,STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分:主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序,我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分:系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。 系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存
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長江存儲推動國家存儲器戰(zhàn)略落地,魏少軍:三年后最難

  •   針對近期關(guān)于“紫光收購武漢新芯”的市場傳聞,《第一財經(jīng)日報》記者采訪武漢新芯獲悉,3月28日國家存儲器基地在武漢啟動的四個月后,今年7月26日,長江存儲科技有限責(zé)任公司(下稱“長江存儲”)正式成立,武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司,而紫光集團(tuán)則是參與長江存儲的二期出資。   專家觀點   為做大做強中國存儲器產(chǎn)業(yè)開了好頭   “長江存儲的股權(quán)安排從根本上避免了有限資源的分散和潛在的惡性競爭,對于不同存儲器產(chǎn)品的規(guī)劃和發(fā)展也更易于實現(xiàn)優(yōu)
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

  •   SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。   三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體,做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。   SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示,該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示,28
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老杳:收編新芯,紫光扛起中國存儲器大旗

  •   長江存儲科技有限責(zé)任公司成立,清華紫光成為武漢新芯的新東家,正式扛起中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的大旗。   自從國家計劃大力發(fā)展存儲器,大陸已經(jīng)有三地啟動了存儲器發(fā)展計劃,北京紫光最早,不過動作最慢,武漢新芯已經(jīng)啟動FLASH工廠建設(shè),而福建晉華則聯(lián)合 聯(lián)電啟動了DRAM工廠建設(shè),傳聞中合肥也將建設(shè)存儲器基地。除紫光外,無論武漢、泉州還是合肥,都是當(dāng)?shù)卣度刖揞~資金扶植發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)。   存儲器是個充分市場競爭的行業(yè),目前全球范圍內(nèi)五強爭霸,韓國的三星、海力士,美國的Intel、美光,此外還包括日本的
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

  •   Samsung Foundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。   三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體,做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。   Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示,該
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存儲器介紹

什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
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