存儲器 文章 最新資訊
存儲器需求動能強勁,第四季DRAM合約價有望再漲逾一成
- 受到第三季進(jìn)入旺季需求帶動,存儲器、面板等關(guān)鍵零組件皆終止長期價格頹勢。TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示,存儲器在筆電需求回溫、智能手機延續(xù)強勁成長態(tài)勢與服務(wù)器需求增溫帶動下,DRAM與NAND Flash第四季價格預(yù)計將同步上揚,特別是DRAM合約價第四季估將再漲逾一成。 供應(yīng)持續(xù)吃緊,DRAM市場至2017年維持健康供需狀態(tài) 由于今年中國品牌智能手機表現(xiàn)超乎預(yù)期,服務(wù)器出貨也受惠于中國大陸數(shù)據(jù)中心需求增溫,下半年臺系服務(wù)器代工廠
- 關(guān)鍵字: 存儲器 DRAM
英特爾因應(yīng)深度學(xué)習(xí)需求 對Xeon Phi進(jìn)行調(diào)整
- 軟、硬件共同設(shè)計趨勢正在席卷整個IT部門,不論是資料分析或是機器學(xué)習(xí),每種工作項目的分工都 將更為精細(xì),硬件廠商也開始針對軟體設(shè)計新的產(chǎn)品。為了維系資料中心的市場霸主地位,英特爾(Intel)瞄準(zhǔn)機器學(xué)習(xí)的特殊需求,將推出代號為 Knights Mill的多核心處理器。 據(jù)The Next Platform報導(dǎo),英特爾現(xiàn)有的Knights Landing Xeon Phi芯片可提供雙精度(Double Precision)3.46 teraflop及單精度(Single Precision)6.
- 關(guān)鍵字: 英特爾 存儲器
IDC:Q2全球手機制造廠排行,零部件缺貨導(dǎo)致再洗牌

- IDC昨天公布,2016年第2季由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關(guān)鍵零組件短缺,全球智能手機產(chǎn)業(yè)制造量較首季僅成長4.8%。且因關(guān)鍵零組件短缺,造成排名的洗牌效應(yīng)。 IDC全球硬件組裝研究團(tuán)隊研究經(jīng)理高鴻翔指出,在蘋果、索尼、微軟等國際大廠出貨量滑落影響下,2016年第2季全球智能手機組裝產(chǎn)業(yè)競爭,呈現(xiàn)大陸廠商比重持續(xù)提升(44.1%上升至46.4%)、臺灣廠商比重滑落(23.4%跌至19.7%)的態(tài)勢。 由于液晶顯示屏幕、處理器、存儲器等關(guān)鍵零組件短缺,形成歐、美、日與大陸一線廠商以原
- 關(guān)鍵字: 處理器 存儲器
東芝開始全球首批64層3D NAND閃存的樣品出貨
- 東京-東芝公司今天宣布最新一代BiCS FLASHTM三維(3D)閃存存儲器,采用了堆棧式單元結(jié)構(gòu)[1]。該款64層工藝的存儲器于今天成為了世界首款[2]樣品出貨的產(chǎn)品。新型存儲器采用3-bit-per-cell(1個存儲器儲存單元可存放3比特的數(shù)據(jù))技術(shù),實現(xiàn)了256Gbit(32GB)的容量。這種進(jìn)步印證了東芝專有架構(gòu)的潛力。東芝將不斷精進(jìn)BiCS FLASHTM制造工藝,其發(fā)展藍(lán)圖中的下一個里程碑將是同樣采用64層堆棧的512Gbit(64GB)容量存儲器。 這款新型存儲器沿襲48層BiC
- 關(guān)鍵字: 東芝 存儲器
美大學(xué)突破相變化存儲器技術(shù) 速度較DRAM快逾千倍
- 在全球持續(xù)突破存儲器運行速度的努力進(jìn)程中,全球各研究人員均對于“相變化存儲器”(Phase Change Memory;PCM)領(lǐng)域的研究感興趣,并投入大量時間從事研發(fā),最新則是美國史丹佛大學(xué)(Stanford University)的研究做出了新突破,據(jù)稱可讓PCM的運行速度較傳統(tǒng)DRAM快上逾1,000倍以上。 據(jù)Techspot網(wǎng)站報導(dǎo),所謂的相變化存儲器運作原理,是指在低阻抗的結(jié)晶態(tài)及高阻抗的非結(jié)晶態(tài)兩種物理狀態(tài)下進(jìn)行移動,雖然此技術(shù)在現(xiàn)今全球儲存技術(shù)領(lǐng)域中已展現(xiàn)
- 關(guān)鍵字: 存儲器 DRAM
清華控股徐井宏:走向制造強國須靠扎實創(chuàng)新
- 略有變化,卻并不意外。隨著2016中國企業(yè)500強榜單的發(fā)布,人們看到,國家電網(wǎng)以20713.49億元的營業(yè)收入首次排名中國企業(yè)500強榜首, 中國石油(7.420, 0.02, 0.27%)、中國石化(4.950, 0.00, 0.00%)、工商銀行(4.490, -0.01, -0.22%)等緊隨其后。 “剛才我們也在討論,中國500強越來越大,每年中國進(jìn)入世界500強的企業(yè)在增加,但是大部分是央企, 是資源壟斷型、市場壟斷型企業(yè),我們真正擁有自己關(guān)鍵技術(shù)的企業(yè)寥寥無幾,像華為這
- 關(guān)鍵字: 京東方 存儲器
紫光國芯發(fā)布上半年財報:存儲器芯片業(yè)務(wù)增幅超過30%

- 8月18日,紫光國芯股份有限公司(下稱“紫光國芯”)對外公布了2016年上半年(1月-6月)財務(wù)報告。 財報顯示,紫光國芯2016年上半年營收和利潤實現(xiàn)雙增長,營業(yè)總收入達(dá)到6.46億元,比上年同期增長15.76%,實現(xiàn)歸屬于上市公司股東的凈利潤1.50億元,比上年同期增長12.76%。 盡管全球經(jīng)濟環(huán)境并不是太好,但得益于國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,紫光國芯經(jīng)營業(yè)績保持了快速增長的態(tài)勢。 圖片來源:紫光國芯財報 存儲器芯片業(yè)
- 關(guān)鍵字: 紫光 存儲器
丁文武點評存儲器市場:人才是競爭的關(guān)鍵
- 在日前舉行的“國際集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇”上,國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金總裁丁文武表示,目前,存儲器已經(jīng)成為我國進(jìn)口的最大宗商品,2015年進(jìn)口額超2100億美金。 與此同時,由于存儲器涉及到信息存儲,信息安全等方面,其已經(jīng)成為信息安全和產(chǎn)業(yè)安全基石。 存儲器在集成電路中的地位以及我國對于存儲器的旺盛需求,讓全國各個地方基金對于發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)具有非常高的積極性。目前,武漢、深圳、福建、合肥、北京等針對存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)進(jìn)行相應(yīng)的投資與布局。 以武漢為例,武漢已經(jīng)明
- 關(guān)鍵字: 存儲器 集成電路
STM32學(xué)習(xí)筆記-Flash作為存儲器儲存數(shù)據(jù)
- 說到STM32的FLSAH,我們的第一反應(yīng)是用來裝程序的,實際上,STM32的片內(nèi)FLASH不僅用來裝程序,還用來裝芯片配置、芯片ID、自舉程序等等。當(dāng)然, FLASH還可以用來裝數(shù)據(jù)。 自己收集了一些資料,現(xiàn)將這些資料總結(jié)了一下,不想看的可以直接調(diào)到后面看怎么操作就可以了。 FLASH分類 根據(jù)用途,STM32片內(nèi)的FLASH分成兩部分:主存儲塊、信息塊。 主存儲塊用于存儲程序,我們寫的程序一般存儲在這里。 信息塊又分成兩部分:系統(tǒng)存儲器、選項字節(jié)。 系統(tǒng)存儲器存儲用于存放在系統(tǒng)存
- 關(guān)鍵字: STM32 存儲器
28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世
- SamsungFoundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體,做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示,該公司的技術(shù)藍(lán)圖顯示,28
- 關(guān)鍵字: 存儲器 MRAM
老杳:收編新芯,紫光扛起中國存儲器大旗
- 長江存儲科技有限責(zé)任公司成立,清華紫光成為武漢新芯的新東家,正式扛起中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的大旗。 自從國家計劃大力發(fā)展存儲器,大陸已經(jīng)有三地啟動了存儲器發(fā)展計劃,北京紫光最早,不過動作最慢,武漢新芯已經(jīng)啟動FLASH工廠建設(shè),而福建晉華則聯(lián)合 聯(lián)電啟動了DRAM工廠建設(shè),傳聞中合肥也將建設(shè)存儲器基地。除紫光外,無論武漢、泉州還是合肥,都是當(dāng)?shù)卣度刖揞~資金扶植發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)。 存儲器是個充分市場競爭的行業(yè),目前全球范圍內(nèi)五強爭霸,韓國的三星、海力士,美國的Intel、美光,此外還包括日本的
- 關(guān)鍵字: 紫光 存儲器
28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

- Samsung Foundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程,提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體,做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項??。 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示,該
- 關(guān)鍵字: FD-SOI 存儲器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構(gòu)成
構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]
相關(guān)主題
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
