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存儲器 文章 最新資訊

DRAM價格漲勢延續(xù) 存儲器廠模組廠運營同步走高

  •   DRAM現(xiàn)貨價漲不停,主流規(guī)格DDR4 4Gb芯片均價昨(27)日正式站穩(wěn)2美元、達2.1美元,攀上七個多月來高點,本季來大漲逾24%,第4季報價持續(xù)看漲一成,南亞科、威剛、宇瞻等記憶體族群大進補。   業(yè)界透露,在全球存儲器芯片龍頭三星拉抬報價帶動下,DRAM漲勢延續(xù),9月以來已連續(xù)三周上漲,漲勢明確,伴隨追價買盤進場,漲勢加大。   根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技昨日晚間最新報價,DDR4 4Gb芯片正式站穩(wěn)2美元、均價來到2.1美元,單日漲幅1.6%,合計本周以來二個交易日
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存儲器市場還能熱多久? 一切取決于三星

  •   存儲器供貨吃緊,價格噴發(fā),先前韓媒預(yù)估,廠商制程轉(zhuǎn)換將使產(chǎn)能減少,明年下半可能還有一波新行情。對此外資警告,DRAM榮景能否持續(xù),取決于存儲器龍頭三星電子,要是三星擴產(chǎn),好景恐怕無法持續(xù)。   六月以來PCDRAM現(xiàn)貨價大漲30%,光是過去兩周就飆升9%;NANDFlash也供不應(yīng)求,價格挺升,存儲器大廠SK海力士(SKHynix)和美光(Micron)股價都因此一飛沖天。存儲器市場還能熱多久?BernsteinResearch的MarkNewman說,一切要看三星。Bernstein報告稱,要是D
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中國半導(dǎo)體存儲行業(yè)未來50年發(fā)展路線圖

  • 存儲器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一,產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應(yīng)均較為顯著,而目前中國大陸的企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的份額依然較低,在國家的“芯片國產(chǎn)化”產(chǎn)業(yè)政策的推動下,中央政府和地方政府在產(chǎn)業(yè)內(nèi)的投資助推國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)崛起,市場環(huán)境及競爭狀況注定了中國企業(yè)的未來崛起之路任重道遠。
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半導(dǎo)體廠進軍大陸:五年500億美元投資

  • 受新興市場對智能手機的熱切需求和物聯(lián)網(wǎng)正要起飛的激勵,半導(dǎo)體的需求預(yù)料將繼續(xù)擴大,但回想中國過去推動鋼鐵、造船、太陽能發(fā)電等產(chǎn)業(yè)的投資,每次都造成全球市場供需失衡,外界不得不擔心,下一回供給過剩的慘況可能就輪到半導(dǎo)體。
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嵌入式設(shè)計經(jīng)驗分享:存儲器以及BootLoader的一些

  • 在大學(xué)的時候很少關(guān)心單片機內(nèi)部存儲器的結(jié)構(gòu)及應(yīng)用,只是大概的知道RAM和ROM的區(qū)別,甚至只是知道程序下載到ROM中就能運行了。其他的如何工作程
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8月NAND合約價 較上月跌近2成

  • 根據(jù)研調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,NAND Flash合約價在8月上旬下跌6~8%后,8月下旬續(xù)跌5~10%,亦即8月合約價較7月重跌11~18%
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一種新型非易失性存儲器的原理及應(yīng)用

  • 縱觀目前低容量并行接口的非易失存儲器市場,EEPROM、FRAM、SRAM+BAKBAT方式等占據(jù)了市場主流,其中EEPROM的供應(yīng)廠家很多,其中以ATMEL,ST等廠家占主導(dǎo)地
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串并口F-RAMW系列存儲器

  • 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲器,W系列器件帶有串口I2C
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為高性能FPGA平臺選擇最佳存儲器

  • 在演算法交易領(lǐng)域的最新進展是導(dǎo)入一些更低延遲的解決方案,其中最佳的方式是使用FPGA搭建的客制硬體。這些FPGA硬體可說是硬編碼ASIC的極致性能和CP
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存儲器價格飆升 DRAM廠營運旺

  • DRAMeXchange表示,由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場格局確立,加上各大DRAM供應(yīng)商按照原先規(guī)劃減少標準型存儲器部位影響下,主流模塊4GB均價在第2季上揚16%,由23.5
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意法半導(dǎo)體和Memoir Systems整合突破性的存儲器技

  • 這一整合讓嵌入式存儲器速度更快、散熱更低、設(shè)計更簡單中國,2013年11月20日 ——橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)
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Xilinx擴展產(chǎn)品路線圖為數(shù)據(jù)中心新增加速強化技術(shù)

  • 全可編程技術(shù)和器件的全球領(lǐng)先企業(yè)賽靈思公司 (Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布擴展其16nm UltraScale+™ 產(chǎn)品路線圖,面向數(shù)據(jù)中心新增加速強化技術(shù)
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賽普拉斯低引腳數(shù)HyperRAM#8482;存儲器簡化嵌入式

  • 嵌入式系統(tǒng)解決方案領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達克股票交易代
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提高存儲器子系統(tǒng)效率的三種方法

  • 行業(yè)專家認為,對于一個典型的大型數(shù)據(jù)中心而言,其50億美元成本的80%左右會用在設(shè)備的機械和電子基礎(chǔ)設(shè)施上。對于數(shù)據(jù)中心服務(wù)器,高功率密度的
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非揮發(fā)性存儲器改寫產(chǎn)業(yè)合作模式

  •   標準和規(guī)格一直是確保記憶體正常運作于更廣泛系統(tǒng)中的關(guān)鍵,但隨著技術(shù)進展以及記憶體與儲存產(chǎn)業(yè)開始整并,改變了供應(yīng)商及其客戶之間的合作關(guān)系...   美光科技(Micron Technology)在今年初于德州奧斯汀成立美光儲存解決方案中心(Micron Storage Solutions Center:MSSC),一部份的原因就來自于這種新合作模式的帶動。美光科技儲存軟體工程副總裁Steve Moyer指出,其引爆點就是業(yè)界開始轉(zhuǎn)型至非揮發(fā)性記憶體技術(shù)以及快閃記憶體成為新興的儲存技術(shù)。   &ldq
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存儲器介紹

什么是存儲器 存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。 存儲器的構(gòu)成 構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì),目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]
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