存儲器文章最新資訊

傳博通獲東芝存儲器出售案獨家議約權(quán)

　　據(jù)朝日新聞報導(dǎo)，眾所矚目的東芝半導(dǎo)體招親案，美國芯片廠商博通(Broadcom)已確認中選，獲得東芝存儲器的獨家議約權(quán)。　　盡管東芝發(fā)言人第一時間拒絕對此發(fā)表評論，但消息還是激勵東芝股價周二早盤一度大漲4%。嘉實XQ全球贏家報價顯示，截至10時10分(GMT+8)止，東芝股價上漲2.66%、暫報262.4日圓。　　東芝的NAND閃存芯片在電子設(shè)備，包括智能手機、服務(wù)器和PC中得到廣泛使用。市場研究公司TrendForce的數(shù)據(jù)顯示，2017年第一季度，三星NAND閃存芯片業(yè)務(wù)的收入為42.1億
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幾種DSP與外接存儲器的連接方法

存儲器接口分為ROM接口和RAM接口兩種。ROM包括EPROM和FLASH，而RAM主要是指SRAM。TMS320C5409具有32K字的片內(nèi)RAM和16K字的掩膜ROM。但是在DSP應(yīng)用的很多場合，尤其是帶信號存儲的DSP應(yīng)用來說，TMS320C5409的片內(nèi)存儲資源是遠遠不夠用的。因此，設(shè)計一個TMS320C5409硬件系統(tǒng)一般應(yīng)該包括其與EPROM/FLASH和SRAM的接口設(shè)計，以存放程序和數(shù)據(jù)。本文介紹TMS320C5409與存儲器的接口設(shè)計方案。
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FPGA系統(tǒng)設(shè)計原則和技巧之：FPGA系統(tǒng)設(shè)計的3種常用IP模塊

FPGA的開發(fā)工具軟件，如Quartus II、ISE等，一般都會提供一些經(jīng)過驗證的IP模塊。這些IP模塊是芯片廠家提供的，所以只能用于該廠家的FPGA芯片設(shè)計中。這些IP主要包括以下幾類。
關(guān)鍵字： FPGA系統(tǒng)設(shè)計存儲器 IP模塊鎖相環(huán) 高速串行收發(fā)器

DDR3存儲器接口控制器IP加速了數(shù)據(jù)處理應(yīng)用

DDR3存儲器系統(tǒng)可以大大提升各種數(shù)據(jù)處理應(yīng)用的性能。然而，和過去幾代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存儲器器件有了一些新的要求。為了充分利用和發(fā)揮DDR3存儲器的優(yōu)點，使用一個高效且易于使用的DDR3存儲器接口控制器是非常重要的。視屏處理應(yīng)用就是一個很好的示例，說明了DDR3存儲器系統(tǒng)的主要需求以及在類似數(shù)據(jù)流處理系統(tǒng)中DDR3接口所需的特性。
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摩爾定律之后存儲器發(fā)展要靠大數(shù)據(jù)、AI？

　　半導(dǎo)體供應(yīng)鏈存儲器缺貨絕對是橫貫2017年的主調(diào)，但除了量變，大數(shù)據(jù)中心、AI深度學(xué)習(xí)運算帶來對CPU與AI處理器的運算速度、存儲容量高門檻要求，也正在改變整個存儲器乃至于運算基礎(chǔ)核心架構(gòu)。　　在近日一場GSA存儲器高峰論壇上，半導(dǎo)體與數(shù)據(jù)平臺、服務(wù)器領(lǐng)域與會人士對上述議題展開熱議。　　西數(shù)(Western Digital)董事長兼COO Mike Cordano提到，未來存儲產(chǎn)業(yè)仍然機會巨大，占整個IC行業(yè)的三分之一份額，其中DRAM約600億美元、NAND Flash約480億美元、微
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向IDM進軍中國存儲器產(chǎn)業(yè)需勇往直前

　　存儲器尤如一座大山，擺在中國半導(dǎo)體業(yè)面前。不過既然已經(jīng)決定發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)，就沒有退縮的余地。　　中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展有其特殊性，它依國家實力作為后盾，盡管西方陣營在“唱衰”中國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。然而不可否認的是，他們也在擔(dān)心中國存儲器業(yè)的成功。　　現(xiàn)階段中國存儲器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)積聚了三股力量，包括長江存儲，晉華及王寧國主導(dǎo)的合肥長鑫，它們各有特色，采用不同的策略。不過至于哪家能取得成功，要看2018或2019年的結(jié)果，目前尚不好預(yù)言。　　中國存儲器業(yè)的初級目標　　按中國臺
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【E課堂】單片機半導(dǎo)體存儲器的分類講解

　　單片機當中的存儲器，根據(jù)只讀和隨機可以分為兩種不同的種類，本文就將為大家介紹單片機系統(tǒng)當中的半導(dǎo)體存儲器分類，感興趣的朋友快來看一看吧?！　“垂δ芊譃橹蛔x和隨機存取存儲器兩大類。所謂只讀，從字面上理解就是只能從里面讀，不能寫進去，它類似于我們的書本，發(fā)到我們手回之后，我們只能讀里面的內(nèi)容，不能隨意更改書本上的內(nèi)容。只讀存儲器的英文縮寫為ROM(READ ONLY MEMORY)　　所謂隨機存取存儲器，即隨時能改寫，也能讀出里面的數(shù)據(jù)，它類似于我們的黑板，能隨時寫東西上去，也能用黑板
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基于FPGA助力高端存儲器接口設(shè)計

　　高性能系統(tǒng)設(shè)計師在滿足關(guān)鍵時序余量的同時要力爭獲得更高性能，而存儲器接口設(shè)計則是一項艱巨挑戰(zhàn)。雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM和4倍數(shù)據(jù)速率SDRAM都采用源同步接口來把數(shù)據(jù)和時鐘(或選通脈沖)由發(fā)射器傳送到接收器。接收器接口內(nèi)部利用時鐘來鎖存數(shù)據(jù)，此舉可消除接口控制問題(例如在存儲器和FPGA間的信號傳遞時間)，但也為設(shè)計師帶來了必須解決的新挑戰(zhàn)。　　關(guān)鍵問題之一就是如何滿足各種讀取數(shù)據(jù)捕捉需求以實現(xiàn)高速接口。隨著數(shù)據(jù)有效窗越來越小，該問題也益發(fā)重要;同時，更具挑戰(zhàn)性的問題是，如何讓接收到的時鐘與數(shù)據(jù)中心對準
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我國成功研制80納米“萬能存儲器”核心器件

　　想必大家都曾經(jīng)遭遇過電腦突然斷電，因數(shù)據(jù)未及時保存后悔不已;或是因為手機待機時間太短而莫名焦慮……這些尷尬有望避免。記者日前獲悉，北京航空航天大學(xué)電子信息工程學(xué)院教授趙巍勝與中科院微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超聯(lián)合團隊經(jīng)過三年攻關(guān)，成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機存儲器器件(STT-MRAM)，此項技術(shù)應(yīng)用后，電腦死機也會保留所有數(shù)據(jù)，手機待機時間也有望大幅提高。　　存儲器是電子系統(tǒng)的重要組成部分。目前絕大多數(shù)電子系統(tǒng)均采用寄存、主存加硬盤的存儲體
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我國集成電路產(chǎn)業(yè)全景掃描

　　如果以2000年國務(wù)院印發(fā)《鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策》為標志，中國集成電路產(chǎn)業(yè)進入真正起步階段，2014年發(fā)布的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》(以下簡稱《推進綱要》)則是一臺強力加速器，將中國集成電路產(chǎn)業(yè)又推向一個新的高度。　　然而，隨著產(chǎn)業(yè)發(fā)展進程的加快，我們更加急需了解我國當前IC產(chǎn)業(yè)的整體狀況，包括產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展情況、產(chǎn)業(yè)區(qū)域分布、關(guān)鍵產(chǎn)品開發(fā)進程等，進而探尋適合中國IC的發(fā)展模式。　　關(guān)鍵器件：存儲器將是突破口　　從1958年第一塊集成電路發(fā)明開始，至今近60年的發(fā)展
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存儲器國產(chǎn)化是我國半導(dǎo)體發(fā)展大戰(zhàn)略的重要一步

與此形成鮮明對比的是，在存儲器領(lǐng)域，我國幾乎完全依賴于進口，存儲器已經(jīng)成為我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受外部制約最嚴重的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一，存儲器國產(chǎn)化也成了我國半導(dǎo)體發(fā)展大戰(zhàn)略中的重要一步。
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數(shù)據(jù)中心等需求帶動存儲器為首零組件價格上揚

　　2017年4~6月的主要電子零組件與材料交易價，以存儲器為中心，包括DRAM等揮發(fā)性存儲器以及NAND Flash與硬盤等非揮發(fā)性存儲器，呈現(xiàn)持續(xù)走揚，除了智能型手機與個人電腦(PC)需求外，4K電視與數(shù)據(jù)中心需求也帶動相關(guān)市場。　　根據(jù)日本經(jīng)濟新聞(Nikkei)報導(dǎo)，大屏幕4K電視除了帶動存儲器需求外，同時也帶動液晶面板市場走勢，大陸液晶面板廠仍在建設(shè)中，目前仍無法供應(yīng)市場需求，鴻海與夏普(Sharp)得以利用價格優(yōu)勢積極搶奪市場。另外，存儲器需求還影響到硅晶圓需求成長，硅晶圓材料廠投資仍謹慎
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北航與微電子所成功制備國內(nèi)首個80nm磁隨機存儲器芯片器件

　　近日，北京航空航天大學(xué)與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩——磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。　　STT-MRAM是一種極具應(yīng)用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術(shù)上全面領(lǐng)先，很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。　　微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學(xué)教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM關(guān)鍵工
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存儲器價格揚升　第2季三星有望成為全球最大半導(dǎo)體廠

　　隨著DRAM與NAND Flash等存儲器平均售價(ASP)大幅揚升，南韓三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體產(chǎn)品銷售額，有可能在2017年第2季首度超越英特爾(Intel)，躍居為全球最大半導(dǎo)體產(chǎn)品供應(yīng)商，并終結(jié)20余年來英特爾在半導(dǎo)體市場中的霸主地位。　　根據(jù)調(diào)研機構(gòu)IC Insights最新公布數(shù)據(jù)，2017年第1季全球DRAM與NAND Flash存儲器ASP為3.82美元與3.79美元，分別季增26.5%與8.3%，以及年增45.2%與35.8%。雖然預(yù)計2017年下
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存儲器供貨短缺將持續(xù)一整年？

2017年會是flash/SSD年?隨著3D NAND轉(zhuǎn)型步調(diào)緩慢，加上智慧型手機到服務(wù)器等市場需求旺盛，如今的flash晶粒供應(yīng)極其吃緊…
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]