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TDDI市場爆發(fā)，80nm工藝成主流

  • 　　8月30日消息，據(jù)VentureBeat報道，谷歌旗下人工智能(AI)部門和哈佛大學的研究人員已經建立了新的AI模型，可以預測大地震一年后發(fā)生余震的位置。該模型使用近幾十年里經歷的199次大地震以及隨后的13萬次余震數(shù)據(jù)進行訓練。研究發(fā)現(xiàn)，該模型比目前用于預測余震的方法更加準確?！　∮糜谟柧氝@個神經網絡的數(shù)據(jù)集中包含的余震，多發(fā)生在距離震中50公里的垂直范圍和100公里的水平范圍內。哈佛大學地球和行星科學系的菲比·德威利斯(Phoebe DeVries)稱：“我們發(fā)現(xiàn)，經過訓練后改變應力，這個神經網絡
  • 關鍵字： TDDI  80nm  

北航與微電子所成功制備國內首個80nm磁隨機存儲器芯片器件

  • 　　近日，北京航空航天大學與微電子所聯(lián)合成功制備國內首個80納米自旋轉移矩——磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。 　　STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結構，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術上全面領先，很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。 　　微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3年的艱苦攻關，在STT-MRAM關鍵工
  • 關鍵字： 80nm  存儲器  
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80nm介紹

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