存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

兆易創(chuàng)新于國際存儲器技術(shù)會議發(fā)表論文

　　全球頂級研究人員匯聚三藩市，參加IEEE國際電子元件會議(IEDM)。斯坦福大學團隊在會議上發(fā)表的一篇論文，正是這種洞察細節(jié)精神的體現(xiàn)。　　由IBM電子工程師出身的黃漢森教授(H.S.PhilipWong)指導該團隊，在深入研究一種新型資料儲存技術(shù)。對于智慧手機和其他移動設(shè)備而言，高效節(jié)能是至關(guān)重要的，因此此種資料存儲技術(shù)將是這些設(shè)備的理想選擇。　　這種新技術(shù)產(chǎn)品稱為電阻式存儲器，縮寫為RRAM。電阻式存儲器基于一種新型半導體材料，此種半導體材料能夠以阻止或允許通過電子流的方式，形成狀態(tài)值&l
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趙偉國：要打贏存儲芯片制造的“世界戰(zhàn)爭”

　　引起全球集成電路產(chǎn)業(yè)重大關(guān)注的國家存儲器基地項目，2016年12月30日正式開工。立志打造中國集成電路產(chǎn)業(yè)航母的紫光集團入股長江存儲，執(zhí)掌項目建設(shè)，亦引人注目。　　2016年12月30日，紫光集團董事長兼長江存儲董事長趙偉國接受長江日報記者采訪時表示，參與建設(shè)國家存儲器基地，對于紫光集團來說，責任和壓力很大，這是事關(guān)國家戰(zhàn)略、“使命必達”的戰(zhàn)役，也是真刀真槍的全球市場競爭。　　談項目：這是“中國存儲器航母”起航　　“國家存儲器基地
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國家存儲器基地動土　要建3座全球最大3D NAND廠

　　傾大陸國家之力的中國長江存儲存儲器基地正式于2016年12月30日開工，而此項目前身為武漢新芯存儲器基地，在歷經(jīng)中國紫光與武漢新芯合體后，重新找地建新廠，強調(diào)要打造全球單座潔凈室面積最大的3DNANDFlash新廠。　　紫光集團于2016年12月30日在大陸武漢東湖高新區(qū)舉移動土典禮，宣布中國國家存儲器基地正式開工，該建設(shè)項目聯(lián)合紫光集團、國家集成電路產(chǎn)業(yè)地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出資，項目總投資金額達240億美元。　　紫光集團暨長江存儲董事長趙偉國趙偉國典禮中強調(diào)，
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正式開工長江存儲帶頭中國存儲產(chǎn)業(yè)啟航

　　今日，由紫光集團聯(lián)合國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資240億美元建設(shè)的國家存儲器基地項目正式動工，預(yù)計 2018年建成投產(chǎn)，2020年完成整個項目，初期計劃以先進的3D NAND為策略產(chǎn)品。　　據(jù)悉，此次動工建設(shè)的存儲器基地位于武漢東湖高新區(qū)的武漢未來科技城，規(guī)劃建設(shè)3座3D NAND 生產(chǎn)工廠，1座總部研發(fā)大樓和其他若干配套設(shè)施，總占地面積1968畝，預(yù)計到2020年可形成月產(chǎn)能30萬片的規(guī)模，年產(chǎn)值將超過100億美元，到2030年可提升到每月100萬
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Cypress于聯(lián)電制造的eCT嵌入式快閃存儲器MCU開始量產(chǎn)出貨

　　聯(lián)華電子與嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案廠商Cypress今(14日)共同宣布，在聯(lián)電制造的專有40奈米嵌入式電荷擷取(eCT)快閃存儲器的微電腦控制器(MCU)已量產(chǎn)出貨。此次量產(chǎn)展現(xiàn)Cypress快閃存儲器技術(shù)結(jié)合聯(lián)電40奈米低功耗(40LP)邏輯制程的多年合作結(jié)果。 40奈米eCT 快閃存儲器的尺寸僅為0.053μm2，比最接近之競爭對手的尺寸約小25%。 eCT快閃存儲器可滿足最嚴苛的高性能應(yīng)用設(shè)計的兩個關(guān)鍵特性，即8 nsec的隨機存取速率和
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資深工程師：選擇汽車MCU的十大考慮因素

　　微控制器(MCU)在從電機控制，到信息娛樂系統(tǒng)和車身控制等越來越寬泛的汽車應(yīng)用中提供至關(guān)重要的性能。隨著價格的下降和整固的增加，微控制器正變得越來越普及，這意味著MCU被越來越多地視為商品。盡管存在這種商品化趨勢，汽車系統(tǒng)設(shè)計工程師仍然認為不同的控制器會有很大的差異，包括各種級別的集成度和功率要求。選擇MCU通常可以縮減材料成本(BOM)，從而有效地降低電子控制單元(ECU)本身的價格?！　∵x擇汽車MCU時，設(shè)計工程師可以考慮以下10個重要因素，實現(xiàn)成本壓力與應(yīng)用所需的特定性能特色之間的平衡?！　?.
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存儲的春天 2017年存儲行業(yè)收入將創(chuàng)紀錄

　　根據(jù)ICInsights報道，在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于
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SK海力士72層3D NAND存儲器，傳明年領(lǐng)先全球量產(chǎn)

　　SK海力士最先進72層3D NAND存儲器傳明年開始量產(chǎn)，韓聯(lián)社周一引述知情人事消息報導指出，SK海力士計劃于2017上半年完成芯片設(shè)計，位在利川(Icheon)的M14廠將可在下半年開始生產(chǎn)。　　若按計劃進行，SK海力士將成為全球第一個量產(chǎn)72層3D NAND的存儲器廠。為因應(yīng)市場需求增溫，SK海力士上周已宣布將在韓國與中國兩地，投資3.15兆韓圜來增加DRAM與NAND存儲器產(chǎn)能。　　隨著微縮制程遭遇瓶頸，業(yè)者紛紛改以3D垂直方式堆疊存儲器做突破，但工藝技術(shù)各不相同。目前技術(shù)領(lǐng)先的三星已于
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10M存儲器+豐富通信接口的MCU，打造更低成本的微型打印機

　　隨著電子技術(shù)和信息化社會的發(fā)展，作為嵌入式系統(tǒng)和計算機的輸出設(shè)備之一的微型打印機被廣泛應(yīng)用于生活當中?！　』谑缽姶淼娜鹚_ RZ/A1的微型打印模塊系統(tǒng)主要包括MCU、字庫芯片、熱敏機芯(加熱控制、溫度檢測、滾筒檢測、缺紙檢測、步進電機驅(qū)動)、串行接口電路等?！　D：基于世強代理的瑞薩RZ/A1的微型打模塊系統(tǒng)框圖　　瑞薩RZ/A1系列微處理器是以ARM Cortex-A9 CPU為內(nèi)核，該CPU的時鐘頻率為400 MHz，DMIPS3為1000，擁有全球容量
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《Cortex-M0權(quán)威指南》之體系結(jié)構(gòu)---存儲器系統(tǒng)

　　Cortex-M0處理器為32位處理器，所以具有最大4G的尋址空間。在體系結(jié)構(gòu)上，存儲器空間被劃分位一系列的區(qū)域，每個區(qū)域都有推薦的用途，以提高不同設(shè)備間的可移植性。　　M0處理器內(nèi)置了各種不見，例如NVIC和一些調(diào)試部件，它們都被映射到系統(tǒng)空間的固定地址上。因此所有基于M0的設(shè)備在中斷控制和調(diào)試方面，都由相同的編程模式。這種處理有利于軟件移植，也方便調(diào)試工具提供商位M0的微控制器和片上系統(tǒng)SOC提供開發(fā)調(diào)試方案。　　Cortex-M0支持大端和小端操作，使用相應(yīng)的配置即可選擇，但已經(jīng)成型
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傳希捷與SK海力士結(jié)盟全球存儲器版圖將大變革？

硬盤大廠爭相與Flash廠商結(jié)盟，全球存儲器產(chǎn)業(yè)鏈供貨、版圖又將迎來什么樣的變化?
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莫大康：十年來全球半導體業(yè)改變了什么？

十年時間匆匆而過，全球半導體業(yè)發(fā)生大的改變，產(chǎn)業(yè)己趨越來越成熟，增長己顯乏力。
關(guān)鍵字：半導體存儲器，

IC Insights：2017年全球存儲器市場同比增長10%

　　在經(jīng)歷了2013年與2014年連續(xù)兩年20%以上增長的好年景以后，2015年全球存儲器市場陷入困境。無論是供應(yīng)商合并、產(chǎn)能控制還是新型應(yīng)用頻出等過去認為是利好的事情，都沒有拯救2015年的存儲器市場。個人電腦市場的低迷導致存儲器庫存過多，從而在2015年下半年出現(xiàn)了價格暴跌，2015年存儲器銷售額最終為780億美元，同比下降了3%。　　這種頹勢延續(xù)到了2016年上半年，但從2016年下半年開始情況發(fā)生了變化，存儲器價格開始變得異常堅挺，而且持續(xù)到了2016結(jié)束。但由于上半年跌價太狠，IC Insi
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斯坦福: 新的存儲器技術(shù)可能更節(jié)能

　　科學家們經(jīng)常會發(fā)現(xiàn)尚未完全理解其中因果的事物令人興趣盎然，但是對于工程師而言，此種未知奧秘卻是夢魘。工程師的工作是將基礎(chǔ)知識轉(zhuǎn)化為實用技術(shù)，這意味著需要洞察細節(jié)?！　?2月5日，全球頂級研究人員匯聚舊金山，參加IEEE國際電子組件會議(IEDM)。斯坦福大學團隊在會議上發(fā)表的一篇論文，正是這種洞察細節(jié)精神的體現(xiàn)?！　∮蒊BM電子工程師出身的黃漢森教授(H. S. Philip Wong)領(lǐng)導的該團隊，在深入研究一種新型數(shù)據(jù)存儲技術(shù)。對于智能手機和其他移動設(shè)備而言，高效節(jié)能
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非揮發(fā)性存儲器規(guī)模將超越SSD

　　NAND Flash固態(tài)硬碟(SSD)襲卷了過去10年的儲存技術(shù)產(chǎn)業(yè)，而非揮發(fā)性存儲器(NVM)消除了DRAM與儲存硬碟間的差異，勢必掀起一波更大的革命。由微軟(Microsoft)與英特爾(Intel)所組成的Wintel聯(lián)盟，即將卷土重來，成為這波革命背后最主要的推手。 ZDNet報導指出，F(xiàn)lash SSD速度雖較傳統(tǒng)旋轉(zhuǎn)磁碟裝置快上許多，但兩者的I/O堆疊其實沒有太大的差異，因此Flash SSD在執(zhí)行數(shù)據(jù)寫入時，仍有延遲、錯誤等缺點。反觀NVM除了速度更快之外，其存儲器還擁有持久型儲存的功能
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]