存儲器文章最新資訊

存儲器廠調(diào)漲DRAM合約價明年Q1價格仍有望居高不下

　　DRAM漲勢不斷，后遺癥逐步顯現(xiàn)，渠道商表示，因存儲器漲幅過大，下游應(yīng)用端，尤其是筆電和部分智能手機等市場，不堪侵蝕獲利，已開始朝降低搭載量抵制，加上部分新產(chǎn)量陸續(xù)在2019年產(chǎn)出，研判明年下半年，DRAM漲勢將止步，價格有下調(diào)壓力。　　調(diào)研機構(gòu)研究報告顯示，三星、SK海力士及福建晉華、合肥睿力等公司的增產(chǎn)計劃，都為未來DRAM市場投下新變數(shù)，明年DRAM產(chǎn)值雖仍可成長11.8%，但成長已低于今年的67.8%，到2019年，在新產(chǎn)能增加，重陷價格戰(zhàn)下，年產(chǎn)值將衰選25.9%，且預(yù)估有2年的殺戮戰(zhàn)。
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國際大廠力量強勢，中國存儲器明年迎 “大戰(zhàn)”

存儲產(chǎn)業(yè)是一個長期的過程，不可能一蹴而就。在未來相當(dāng)長的一段時間內(nèi)，中國半導(dǎo)體業(yè)必須是一個踏踏實實的“跟隨者”與“學(xué)習(xí)者”，同樣又是一個與產(chǎn)業(yè)共同進步的“貢獻者”。
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存儲器產(chǎn)值減少，臺灣2017年半導(dǎo)體產(chǎn)值首度落后韓國

　　在存儲器價格供不應(yīng)求，價錢居高不下的情況下，也進一步影響了臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)值在全世界的排名。根據(jù)工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟與趨勢研究中心(IEK)的研究指出，全球半導(dǎo)體市場在存儲器成長達(dá)到六成幅度的帶動下，首度超過4千億美元，較2016年成長近2成。這使得目前在存儲器市場擁有絕對優(yōu)勢的南韓，2017年的半導(dǎo)體產(chǎn)值超越臺灣，排名居次，僅次于美國。　　工研院IEK7日上午舉辦“眺望2018產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢研討會”，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究經(jīng)理彭茂榮表示，2017年全球經(jīng)濟成長持穏，加上存儲器價格大漲，帶動全
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莫大康：準(zhǔn)備迎接更艱難的時刻到來

　　中國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展有它的獨特規(guī)律，通常生產(chǎn)線的產(chǎn)能爬坡速率緩慢，用時相對久些，也即需要如“接力棒式”傳遞。但是中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展在任何時候必須要充滿信心，堅持到底，因為我們有國家層面的支持，是全球其它地區(qū)無法比及的，所以相信中國半導(dǎo)體業(yè)一定會取得最后的成功。　　-莫大康2017年11月6日　　01大基金推動下成績卓然　　近期中國半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)好事連連，上海中微半導(dǎo)體宣布，它的MOCVD設(shè)備PrismoA7機型出貨量已突破100臺，邁向重要里程碑，包括三安光電和華燦光電等設(shè)
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蘋果掃貨DRAM漲不停本季已漲10％，下季料將續(xù)漲5％

　　由于蘋果包下了三星、SK海力士、美光等三大廠第四季移動式DRAM產(chǎn)能，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)發(fā)酵下，標(biāo)準(zhǔn)型、服務(wù)器、利基型等DRAM持續(xù)缺貨，第四季合約價順利再漲6～10%，業(yè)界對明年第一季淡季續(xù)漲5%已有高度共識，法人點名南亞科、華邦電、威剛將受惠最大。　　南亞科受惠于DRAM合約價順利調(diào)漲，加上20納米制程新產(chǎn)能全面開出，昨(6)日公告10月合并營收月增9.2%達(dá)50.72億元，創(chuàng)下單月營收歷史新高，與去年同期相較亦大增32.7%。華邦電及威剛尚未公告10月營收，但法人樂觀預(yù)估華邦電營收將介于43～4
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有機憶阻器再創(chuàng)紀(jì)錄，但未來是否有機會顛覆存儲器市場？

　　憶阻器是傳說中電阻器、電容器和電感元件以外的電路第四元件，始終處于實驗階段，但這個傳說可能將實現(xiàn)。來自新加坡、美國和印度的國際團隊研究出一種新型有機憶阻器，不只速度快且穩(wěn)定性高，保存資料的時間更打破原有紀(jì)錄。　　憶阻器(Memristor)最早在1971年由加州大學(xué)柏克萊分校的蔡少棠教授提出，概念取自于“記憶”(Memory)和“電阻器”(Resistor)兩個字的組合。他認(rèn)為電阻、電容和電感代表電子學(xué)中電壓、電流、電荷和磁通量4項重要元素之間的關(guān)系
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有機憶阻器再創(chuàng)紀(jì)錄，但未來是否有機會顛覆存儲器市場？

雖然距離實際上市還要一段時間，但以這項憶阻器的容量和特性，如果產(chǎn)品真的成功，將大大顛覆整個電子產(chǎn)業(yè)，并改變?nèi)藗兊娜粘Ｉ睢?/li>
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基于NFC技術(shù)的無線抄表檢測系統(tǒng)電路設(shè)計

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基于STC12C5A60S2的U盤音頻播放器電路設(shè)計

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詳解2018年全球存儲器產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

從2016年開始，內(nèi)存的價格持續(xù)的高漲，內(nèi)存儼然已成為大家最關(guān)注的半導(dǎo)體器件之一，內(nèi)存的趨勢發(fā)展以及供需狀況也是大家特別關(guān)注的話題，明年供不應(yīng)求的情況將更加嚴(yán)重。
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揭秘FPGA多重配置硬件電路設(shè)計方案

揭秘FPGA多重配置硬件電路設(shè)計方案-當(dāng)FPGA 完成上電自動加載初始化的比特流后，可以通過觸發(fā)FPGA 內(nèi)部的多重啟動事件使得FPGA 從外部配置存儲器（SPI FLASH）指定的地址自動下載一個新的比特流來重新配置。
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攻克可穿戴醫(yī)療存儲器件封裝難題

攻克可穿戴醫(yī)療存儲器件封裝難題-可穿戴醫(yī)療設(shè)備通常設(shè)計得盡可能隱蔽。因此，在盡可能小的封裝中達(dá)到所需的存儲密度非常必要。種種創(chuàng)新要求在有限的外形尺寸中存儲更多的數(shù)據(jù)。要滿足這一點，許多醫(yī)療設(shè)備設(shè)計人員轉(zhuǎn)而采用創(chuàng)新型裸片存儲器解決方案。
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淺談存儲器體系結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展趨勢

淺談存儲器體系結(jié)構(gòu)的未來發(fā)展趨勢-對存儲器帶寬的追求成為系統(tǒng)設(shè)計最突出的主題。SoC設(shè)計人員無論是使用ASIC還是FPGA技術(shù)，其思考的核心都是必須規(guī)劃、設(shè)計并實現(xiàn)存儲器。系統(tǒng)設(shè)計人員必須清楚的理解存儲器數(shù)據(jù)流模式，以及芯片設(shè)計人員建立的端口。即使是存儲器供應(yīng)商也面臨DDR的退出，要理解系統(tǒng)行為，以便找到持續(xù)發(fā)展的新方法。
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DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別

DRAM/NAND都是啥？科普內(nèi)存和硬盤的區(qū)別-現(xiàn)如今隨著手機的不斷推廣和普及，已掩蓋電腦時代的輝煌，很多新生代的用戶都與手機的存儲就陷入了茫然。
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7個技巧開發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)

7個技巧開發(fā)高可靠性嵌入式系統(tǒng)-盡管許多嵌入式工程師充滿了希望和夢想，但高可靠性的代碼不是一蹴而就的。它是一個艱苦的過程，需要開發(fā)人員維護和管理系統(tǒng)的每個比特和字節(jié)。當(dāng)一個應(yīng)用程序被確認(rèn)為“成功”的那一刻，通常會有一種如釋重負(fù)的感覺，但僅僅因為軟件在受控條件下的那一刻運行正常并不意味著明天或一年后還會運行正常。
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細(xì) ]