全球DRAM大廠美光預計在臺投資新臺幣1,300億元,絕大部分DRAM基地都在臺灣地區(qū),成為生產重鎮(zhèn),未來也將持續(xù)在臺擴充產能。美光鎖定中科進行新的3D封測制程,預估2-3年可量產,要打造成為亞太區(qū)營運中心。
臺灣也就美光擴大投資所需土地、廠房、資金等提供協(xié)助,未來規(guī)劃中科擴廠計劃,將可增加2,000個以上就業(yè)機會,將臺灣塑造為高效完整的DRAM全球生產基地。
據了解,美光于2012年并購爾必達與瑞晶之后,剛好瑞晶于中科已有2廠,后面還有2個廠還沒蓋,解決土地、廠房、水電等問題后,美光未來
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存儲器 美光
“中國閃存市場峰會CFMS2017”上,英特爾中國區(qū)非易失存儲器事業(yè)部總經理劉鋼先生介紹了英特爾最新的存儲技術,包括用于熱數據的傲騰和用于溫數據的3D NAND “Ruler”?! ?,大數據、海量集成的數據在各個領域涌現,并希望能夠盡快處理,為此需要對海量的數據要進行分層,即熱數據、溫數據、冷數據。 熱數據——基于3D Xpoint材料的“傲騰” 英特爾展示了不同于flash的一種非易失存儲器材料——3D Xpoint?;?D Xpoint的
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英特爾 存儲器
近日,中國科學院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所相變存儲器課題組在三維存儲器設計領域取得進展,研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM為題,發(fā)表在IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs上。
相變存儲器利用電脈沖誘導存儲材料在非晶態(tài)與晶態(tài)之間切換,具有非揮發(fā)性、循環(huán)壽命長、寫入速度快、穩(wěn)定性好、功耗低
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存儲器
2017年全球半導體設備銷售金額可望創(chuàng)下歷史紀錄。據SEMI最新預估數字,2全球半導體設備銷售金額可望在2017年逼近550億美元,比2016年大幅成長37%。這也是自金融海嘯以來最高的成長率。
SEMI進一步分析,2017年全球最大半導體設備市場將由韓國奪下,其采購的半導體設備價值將達195億美元,比2016年大幅成長130%。韓國半導體設備采購金額暴增,主要與三星(Samsung)大舉投資新的存儲器產能有關。
另一方面,中國大陸半導體設備采購金額有望在2018年超越中國臺灣,以125億
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半導體 存儲器
據日媒報道,有關正陷入巨額虧損的東芝半導體子公司“東芝存儲器”的出售談判,作為新提案的一部分,美國西部數據公司(WD)正在詢問美國蘋果公司是否有意參與收購。報道稱,西數在新提案中表示出降低收購參與度的意向,有可能暫緩注資。據分析,西數意在增加己方陣營的注資企業(yè),確保東芝要求的2萬億日元(約合人民幣1200億元)規(guī)模的收購資金。
據報道,東芝6日召開社內外董事會議,以西數陣營的提案為主進行協(xié)商。然而對于未放棄將來取得經營權的西數,東芝存儲器方面存在著根深蒂固的警惕,因此并未
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東芝 存儲器
中國臺灣地區(qū)工業(yè)局副局長游振偉于近日赴存儲器大廠美光訪問,并促請美光持續(xù)擴大在臺投資。工業(yè)局官員表示,美光今年初購買達鴻廠房后,將改建成DRAM后段封測廠,估帶動相關設備投資達百億元新臺幣。
游振偉在拜訪美光時表示,期望美光在臺灣建立存儲器一條龍供應鏈,讓臺灣成為其全球DRAM存儲器產業(yè)研發(fā)與制造中心。
美光公司是世界第三大存儲器制造商,僅次于韓國三星及SK海力士,在桃園及臺中均有設廠,雇用約5,280人。
官員表示,達鴻廠房改造后,預計新增1,000名就業(yè)人口。
據了解,工業(yè)
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美光 存儲器
三星電子決定再次在西安高新區(qū)投資建設三星電子存儲芯片二期項目,使得西安高新區(qū)再次成為全球IT業(yè)界的聚焦點。
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三星 存儲器
存儲器作為智能手機,電腦,智能手表等終端產品必不可少的元器件之一,它的缺貨將會導致整個產業(yè)鏈供應失衡,終端產品也將面臨著無貨可用的尷尬。
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存儲器 DRAM
如果收購成功,西部數據的整體實力必然大增,半導體行業(yè)市場又將重新洗牌,那么,這一次收購是否意味著西部數據將再次轉型呢?
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存儲器 西部數據
三星電子(SamsungElectronics)、SK海力士(SKHynix)、美光(Micron)等存儲器業(yè)者在市場供不應求引起的價格上漲下,接連刷新自身業(yè)績,但韓國封測業(yè)者卻因疏于強化技術競爭力,逐漸陷入經營困境。
據韓媒ETNews報導,Winpac是韓國存儲器封測業(yè)者,也是IC設計業(yè)者TLi的子公司,從2015年起已經連續(xù)2年出現營業(yè)損失,2017年上半營業(yè)損失達34億韓元(約298萬美元),更從2013年以來連續(xù)4年出現凈損失,財務狀況相當不理想。
最近Winpac面臨必須提前償
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存儲器 封測
全球主要晶圓代工廠計劃在2017年與2018年提供磁阻式隨機存取存儲器(MRAM)作為嵌入式儲存解決方案,可望改變下一代儲存技術的游戲規(guī)則。
據Semi Engineering網站報導,GlobalFoundries、三星(Samsung)、臺積電(TSMC)和聯電(UMC)計劃在2017年稍晚開始提供ST-MRAM或STT-MRAM,取代NOR Flash,此舉代表市場的巨大轉變,因為到目前為止,只有Everspin已經為各種應用提供MRAM,例如電池供電的SRAM替代品、讀寫緩存(Write
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存儲器 MRAM
前兩期《中國芯勢力》介紹了長江存儲和晉華存儲,然而中國三大存儲器勢力還有一大神秘“隊伍”——合肥長鑫,看看背后有著怎么樣的神秘。
揭開合肥存儲器項目神秘
合肥對DRAM的謀劃不僅是合肥長鑫的存儲項目,在2016年3月,就有消息傳出,原爾必達社長坂本幸雄成立的半導體設計公司兆基科技(Sino King Technology)將在中國主導大規(guī)模半導體生產項目。據悉,這位爾必達前社長和合肥政府欲聯合投資8000億日元,爆料的文章中還用到了&ldqu
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合肥長鑫 存儲器
隨著電子技術的飛速發(fā)展, 存儲器的種類日益繁多,每一種存儲器都有其獨有的操作時序,為了提高存儲器芯片的測試效率,一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)應運而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設計與實現,對各種數據位寬的多種存儲器芯片(SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等)進行了詳細的結口電路設計(如何掛載到NIOSII的總線上),最終解決了不同數據位寬的多種存儲器的同平臺測試解決方案,并詳細地設計了各結口的硬件實現方法。 引
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存儲器 芯片
新的運算架構在硅谷成為熱門話題,盡管存儲器以及微處理器目前仍舊是2個不同的元件,隨著信息量持續(xù)增加,半導體產業(yè)很有可能會走上結合存儲以及邏輯元件的路。摩爾定律見證半導體產業(yè)持續(xù)推出更快、更便宜、更節(jié)能的芯片,然而摩爾定律的速度變緩是產業(yè)面臨的挑戰(zhàn)。電移(electromigration)、溫度遷移(thermal migration)、動態(tài)電流密度等物理效應考驗摩爾定律,通過工程技術克服制造瓶頸的難度的更高、費用更為昂貴。
據網站Semiconductor Engineering報導,除了芯片相
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存儲器 模擬處理器
存儲器介紹
什么是存儲器
存儲器(Memory)是計算機系統(tǒng)中的記憶設備,用來存放程序和數據。計算機中的全部信息,包括輸入的原始數據、計算機程序、中間運行結果和最終運行結果都保存在存儲器中。它根據控制器指定的位置存入和取出信息。
存儲器的構成
構成存儲器的存儲介質,目前主要采用半導體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [
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