存儲器文章進入存儲器技術(shù)社區(qū)

中國發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的幾點思考

應(yīng)用端的支撐對于中國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展的制勝因素。
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存儲器即將實現(xiàn)國產(chǎn)化，三星獨大的局面可望被中國打破

　　在春節(jié)長假期，國人歡慶佳節(jié)的時候，長江存儲的工廠依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長江存儲投產(chǎn)，中國可望打破當前三星在NAND flash行業(yè)獨大的局面。　　　　據(jù)介紹長江存儲正在建設(shè)的NAND flash存儲器工廠包括了三座全球潔凈面積最大NAND flash生產(chǎn)廠房，投資額高達240億美元，春節(jié)期間正在進行潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，計劃在4月份搬入機臺設(shè)備，三季度開始正式投產(chǎn)。　　當前全球NAND flash市場五大巨頭分別是三星
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春節(jié)不停工，武漢國家存儲器基地要在今年實現(xiàn)3D NAND量產(chǎn)？

　　打造萬億級產(chǎn)業(yè)集群,推動武漢經(jīng)濟高質(zhì)量發(fā)展。春節(jié)闔家團圓之時,仍有大量建設(shè)者、生產(chǎn)者堅守崗位,為城市發(fā)展貢獻“加速度”。過年期間,分布在譽為“黃金大道”的8公里左嶺大道上的多個重大產(chǎn)業(yè)項目上,有超過2000多人堅守崗位過大年,光谷“芯片—顯示—智能終端”萬億級產(chǎn)業(yè)集群正在“加速度”中加快鍛造。　　在國家存儲器基地,有600多人在建設(shè)工地上忙碌。據(jù)了解,目前,他們正在進行廠內(nèi)潔凈室
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存儲器產(chǎn)線加速半導(dǎo)體產(chǎn)能擴展

　　根據(jù)市場研究公司IC Insights的資料，新的半導(dǎo)體制造產(chǎn)線——特別是DRAM存儲器的導(dǎo)入，預(yù)計將推動2018年和2019年的晶圓總產(chǎn)能高于平均水準?！　C Insights最新的全球晶圓產(chǎn)能報告顯示，2018年和2019年晶圓產(chǎn)能預(yù)計將成長8%，較2018年至2019年間晶圓產(chǎn)業(yè)的年平均成長更高約5%。　　去年由于DRAM和NAND閃存庫存短缺導(dǎo)致價格上漲，這使得半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的銷售額首次突破了4,000億美元。據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)統(tǒng)計，去年存儲器營收成長了61.5%，其中，DRA
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2017年中國存儲器市場回顧，都有哪些大事件

如果只是短短一周或者一個月看，存儲市場，變化不是明顯。但是時間拉開到一年，整個存儲市場還是發(fā)生了天翻地覆的變化，各個廠商在新技術(shù)、產(chǎn)品、創(chuàng)新方面都有很大的發(fā)展，黃金時代已經(jīng)到來。
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SIA半導(dǎo)體銷售破新紀錄，存儲器成長幅度達61.5%

　　據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)2月5日公布，2017 年 12 月全球半導(dǎo)體銷售額為 380 億美元，創(chuàng)下單月銷售歷史新高。和前月相比，12 月銷售額上揚 0.8%。和去年同期相比，激增 22.5%。　　2017 年第四季半導(dǎo)體銷售額為 1,140 億美元，為單季新高。和前季相比，銷售提高為 5.7%;和去年同期相比，提高 22.5%。2017 年全年半導(dǎo)體銷售額年增 21.6% 至 4,122 億美元，改寫年度新高。　　SIA 總裁兼CEO John Neuffer 聲明稿指出，半導(dǎo)體廣泛用于汽
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日月光2017年營收增長12%，預(yù)計Q2營收將逐季成長

　　封測大廠日月光2月1日召開法說會，展望2018年首季營運，日月光預(yù)期以美元計價的封測營收，將略高于去年同期12.3億美元，毛利率將略高于去年同期的23%。電子代工(EMS)合并營收將略低于去年第三季331億元，毛利率將略高于上季9.2%。　　2017年日月光集團自結(jié)合并營收創(chuàng)2904.41億元新臺幣新高，年增6%。毛利率18.2%、營益率8.7%，低于前年19.3%、9.7%。歸屬業(yè)主稅后凈利229.88億元新臺幣，年增6%，創(chuàng)歷史次高，受股本膨脹影響，每股盈余2.82元新臺幣，與前年追溯調(diào)整后相
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Gartner : 中國擴產(chǎn)使存儲器價格松動，三星半導(dǎo)體龍頭將不保

這樣的情況隨著中國存儲器廠的大幅擴產(chǎn)后，預(yù)計存儲器價格將會下調(diào)，讓三星這個半導(dǎo)體龍頭的寶座再拱手讓出，超越英特爾只是暫時的。
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西部數(shù)據(jù)第二財季凈虧損8.23億美元同比轉(zhuǎn)虧

　　美國存儲設(shè)備廠西部數(shù)據(jù)(Western Digital，簡稱WD)看好本季展望，預(yù)期今年存儲器價格增長將趨緩，市場成長反而有望加快。　　西數(shù)最新財報預(yù)測，本季每股盈余(EPS)介于3.2～3.3美元，高于分析師預(yù)估的3.04美元。截止2017年第四季度西數(shù)營收年增9.2%至53.4億美元，優(yōu)于分析師預(yù)估的53億美元。　　在存儲器價格連續(xù)增長七個季度后，部份存儲器價格在2018年初出現(xiàn)下滑，同時三星本月的財報預(yù)測低于預(yù)期，使得投資人感到不安。　　但西部數(shù)據(jù)財務(wù)長Mark Long表示，存儲器
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Gartner：2018年全球半導(dǎo)體收入預(yù)計將增長7.5%

　　全球領(lǐng)先的信息技術(shù)研究和顧問公司Gartner表示，2018年全球半導(dǎo)體收入預(yù)計將達到4510億美元，比2017年的4190億美元增加7.5%。這個數(shù)字與Gartner在2017年10月預(yù)測的4%增長率相比，幾乎增加了一倍。　　Gartner首席研究分析師李輔邦表示：“存儲器市場自2016年下半年開始好轉(zhuǎn)，增長勢頭貫穿2017年全年，并有望持續(xù)到2018年，為半導(dǎo)體收入增長提供強大推動力。與去年10月份的預(yù)測相比，Gartner將2018年半導(dǎo)體收入預(yù)測值提高了236億美元，其中存儲器
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中國存儲及半導(dǎo)體新勢力，必須正視即將到來的專利問題

隨著中國存儲器產(chǎn)業(yè)的逐步量產(chǎn)，專利戰(zhàn)肯定會爆發(fā)，不過要說中國因此會受到限制也不是絕對，關(guān)鍵還是自身核心技術(shù)的提升。無論如何，不僅僅是存儲領(lǐng)域，專利是崛起的中國半導(dǎo)體企業(yè)必須馬上就正視的問題。
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老杳:有關(guān)大陸發(fā)展存儲器的專利問題

　　近期有關(guān)大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的專利問題再次成為媒體關(guān)注的熱點。　　原因很簡單，每每海外競爭對手評價大陸發(fā)展存儲器，都會將專利列為必不可少的障礙之一，特別是臺灣的某些同行。　　最近因為美光起訴福建晉華更將這一問題推向媒體關(guān)注焦點，專利真會成為大陸發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)的障礙嗎? 　　老杳認為不會! 　　首先，美光起訴福建晉華并不是專利侵權(quán)，而是商業(yè)秘密. 　　說國際存儲器大廠已經(jīng)向中國存儲器廠商發(fā)起專利戰(zhàn)有點聳人聽聞。　　第二，沒有任何一家中國存儲器廠商對外宣傳不尊重國際大廠的專利權(quán)。　　中
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為何存儲器在十大芯片公司中稱霸五席？

　　需求量大、供不應(yīng)求是存儲器上升的主因　　近日，Gartner最近提前預(yù)估2017年全球半導(dǎo)體銷售額達4197億美元，增長22%，并給出2017年世界芯片公司排行榜。令人驚嘆的是半導(dǎo)體市場不僅一反前幾年的低迷徘徊，而是增長亮麗;而且存儲器企業(yè)占了五席!　　　　先查一下Gartner前兩年的數(shù)據(jù)：　　*Gartner的2016年全球半導(dǎo)體總收入為3435億美元，相比2015年的3349億美元增長了2.6%[1]。Gartner研究總監(jiān)James Hines解釋道：“全球半
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存儲器大廠3D NAND良率升 NAND Flash恐過剩

三星、東芝等存儲器大廠已擬定3D NAND擴產(chǎn)計畫，新產(chǎn)能將在2019年后開出，屆時NAND Flash市場將供過于求。
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中韓存儲器業(yè)紛擴產(chǎn)，2019 年半導(dǎo)體原料大缺貨？

中韓半導(dǎo)體廠商大擴產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)能 2018、2019 年開出。各大廠商增產(chǎn)，半導(dǎo)體原料需求大增，供給卻未相對成長，外界憂慮 2019 年半導(dǎo)體原料可能會爆發(fā)缺貨危機。
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存儲器介紹

什么是存儲器存儲器（Memory）是計算機系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來存放程序和數(shù)據(jù)。計算機中的全部信息，包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計算機程序、中間運行結(jié)果和最終運行結(jié)果都保存在存儲器中。它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲器的構(gòu)成構(gòu)成存儲器的存儲介質(zhì)，目前主要采用半導(dǎo)體器件和磁性材料。存儲器中最小的存儲單位就是一個雙穩(wěn)態(tài)半導(dǎo)體電路或一個CMOS晶體管或磁性材 [ 查看詳細 ]