半導(dǎo)體文章最新資訊

三星再度大手筆投資半導(dǎo)體

　　18日，三星電子(SAMSung)宣布2011年將投資92億美元發(fā)展半導(dǎo)體事業(yè)，這是繼2010年對(duì)半導(dǎo)體進(jìn)行96億美元的大規(guī)模投資后的再度出手。這樣的大手筆投資在半導(dǎo)體行業(yè)還很鮮見(jiàn)。　　
關(guān)鍵字：三星半導(dǎo)體 LED

未來(lái)幾年硅晶圓供貨面積預(yù)測(cè)

　　國(guó)際半導(dǎo)體制造設(shè)備材料協(xié)會(huì)(SEMI)公布了半導(dǎo)體用硅晶圓供貨面積(不含非拋光晶圓)的預(yù)測(cè)。該預(yù)測(cè)對(duì)象為2010年～2012年的硅晶圓供貨面積。　　
關(guān)鍵字：硅晶圓半導(dǎo)體

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的中國(guó)核心地位正在確立

　　最近，全球高科技產(chǎn)業(yè)步入持續(xù)復(fù)蘇的階段。中國(guó)在全球半導(dǎo)體行業(yè)的分量也愈發(fā)重要，尤其是全球最大的手機(jī)、電器及電腦制造商都將生產(chǎn)基地設(shè)立在中國(guó)。這使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)自然而然以中國(guó)為中心，形成一種產(chǎn)業(yè)聚落格局。　　
關(guān)鍵字： AMD 半導(dǎo)體

LED面臨大發(fā)展

　　工研院產(chǎn)經(jīng)中心(IEK)組長(zhǎng)林志勛于10/13出席由經(jīng)濟(jì)部能源局指導(dǎo)、工研院主辦的「LED照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇」時(shí)指出，2010年被視為L(zhǎng)ED照明元年，就產(chǎn)品生命周期來(lái)看，LED照明市占率今年將達(dá)5%,趨勢(shì)確實(shí)開(kāi)始向上。預(yù)估今年全球LED照明市場(chǎng)規(guī)模約40億美元，主要以建筑應(yīng)用多。但隨著各國(guó)政策推動(dòng)、全球經(jīng)濟(jì)(尤其新興市場(chǎng)帶動(dòng))成長(zhǎng)、LED產(chǎn)能擴(kuò)充及產(chǎn)品單價(jià)下降，2013年LED照明市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)137億美元，從2008年到2013年年復(fù)合成長(zhǎng)率估達(dá)49%. 　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 LED照明

消費(fèi)半導(dǎo)體市場(chǎng)分散

　　消費(fèi)電子設(shè)備市場(chǎng)繼續(xù)復(fù)蘇，預(yù)計(jì)今年銷售額將達(dá)到2590億美元，而2009年銷售額減少了3%以上，幾乎收復(fù)了上一年的全部失地。而且未來(lái)幾年將保持這種增長(zhǎng)勢(shì)頭，2011年增長(zhǎng)6.7%，2012年增長(zhǎng)7%。預(yù)計(jì)2013年擴(kuò)張速度將放緩到1.2%，然后該市場(chǎng)在2014年預(yù)計(jì)萎縮0.6%。
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推動(dòng)半導(dǎo)體臺(tái)灣本土設(shè)備應(yīng)戰(zhàn)

　　臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)30多年發(fā)展，實(shí)力已僅次于美、日成為全球第三大半導(dǎo)體生產(chǎn)基地。惟日前南韓宣布將于未來(lái)5年投入1.7兆韓圜全力發(fā)展系統(tǒng)芯片及半導(dǎo)體之制程設(shè)備，預(yù)定分別達(dá)至50%和35%之設(shè)備自給率。面對(duì)如此強(qiáng)大的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)，臺(tái)灣亦提出「推動(dòng)半導(dǎo)體制程設(shè)備暨零組件躍升計(jì)劃」，以積極開(kāi)發(fā)關(guān)鍵模塊及耗材零組件等，發(fā)展本土化設(shè)備來(lái)因應(yīng)，并持續(xù)推動(dòng)更完善的產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈體系。　　今年適逢全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣復(fù)蘇，預(yù)估2010年臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)值約可達(dá)到新臺(tái)幣1.7兆元，回復(fù)至金融風(fēng)暴前之水平。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)
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德州儀器建中國(guó)首個(gè)晶圓廠

　　德州儀器(TI)宣布了其在中國(guó)的首個(gè)晶圓廠。該廠是德州儀器從中芯國(guó)際購(gòu)得的，位于成都高新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)，全稱是成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司，相關(guān)設(shè)備齊全，用于生產(chǎn)200毫米晶圓。　　
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霍尼韋爾將擴(kuò)大靶材及相關(guān)金屬材料的產(chǎn)能

　　美國(guó)新澤西州莫里斯鎮(zhèn) 2010 年10 月 11 日訊——霍尼韋爾公司電子材料部今日宣布，作為長(zhǎng)期投資計(jì)劃的一部分，公司將擴(kuò)大 300mm 濺射靶材及相關(guān)金屬材料的產(chǎn)能，以適應(yīng)半導(dǎo)體行業(yè)需求的反彈。　　
關(guān)鍵字：霍尼韋爾半導(dǎo)體

德州儀器宣布收購(gòu)成都成芯半導(dǎo)體

　　德州儀器正式宣布收購(gòu)成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司(以下簡(jiǎn)稱“成芯半導(dǎo)體”)，該交易財(cái)務(wù)細(xì)節(jié)并未對(duì)外公布。成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司成立于2005年9月，注冊(cè)資本22.5億元人民幣，由成都高新投資集團(tuán)有限公司和成都工業(yè)投資集團(tuán)有限公司共同投資組建，與中芯國(guó)際合作對(duì)成芯項(xiàng)目進(jìn)行建設(shè)和營(yíng)運(yùn)管理。　　
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黃金驚漲：IC封測(cè)業(yè)加速轉(zhuǎn)進(jìn)銅制程

　　黃金持續(xù)飆漲，對(duì)以金線為封裝材料的IC封測(cè)廠商來(lái)說(shuō)，成本壓力不小，對(duì)臺(tái)灣封測(cè)雙雄日月光和矽品而言，黃金每上漲10%,將侵蝕1個(gè)百分點(diǎn)的毛利率，因此促使積極轉(zhuǎn)進(jìn)銅制程。　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 IC封測(cè)

晶體硅廠商帶動(dòng)了2010年第三季度產(chǎn)能擴(kuò)張

　　Solarbuzz上海辦公室, 2010年10月11日--- 根據(jù)最新出版的SolarBuzz全球光伏廠商、產(chǎn)能與設(shè)備季度報(bào)告，2010年第三季度電池廠商產(chǎn)能擴(kuò)充沖破十億瓦水平，從而帶動(dòng)了光伏設(shè)備投資支出達(dá)到新高紀(jì)錄。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶體硅

外資看淡半導(dǎo)體族群

　　同為亞太區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究部主管的巴克萊證券陸行之與瑞銀證券程正樺昨(11)日指出，IC封裝測(cè)試族群疲弱的9月?tīng)I(yíng)收表現(xiàn)，對(duì)晶圓代工族群將是一大「警訊」，由于IC設(shè)計(jì)客戶第4季開(kāi)始去化庫(kù)存，預(yù)計(jì)產(chǎn)能利用率將從10月起修正至明(2011)年第1季。　　
關(guān)鍵字：宏達(dá)電半導(dǎo)體晶圓

半導(dǎo)體族群無(wú)利多外資看淡

　　同為亞太區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究部主管的巴克萊證券陸行之與瑞銀證券程正樺昨(11)日指出，IC封裝測(cè)試族群疲弱的9月?tīng)I(yíng)收表現(xiàn)，對(duì)晶圓代工族群將是一大「警訊」，由于IC設(shè)計(jì)客戶第4季開(kāi)始去化庫(kù)存，預(yù)計(jì)產(chǎn)能利用率將從10月起修正至明年第1季。　　
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體晶圓代工

全球IC庫(kù)存增大

　　按iSuppli的報(bào)告，全球IC庫(kù)存水平從Q3開(kāi)始增加。　　全球半導(dǎo)體的庫(kù)存的天數(shù)(DOI)在2010 Q3上升到75.9天，相比Q2多了1.5天。Q3的DOI與季節(jié)性的平均值相比高出4.8%。　　
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iSuppli報(bào)告稱半導(dǎo)體行業(yè)庫(kù)存供大于求

　　研究機(jī)構(gòu)iSuppli今天發(fā)表報(bào)告稱，半導(dǎo)體行業(yè)的庫(kù)存目前可能處于“供過(guò)于求”的狀態(tài)。　　
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半導(dǎo)體介紹

semiconductor 電阻率介于金屬和絕緣體之間并有負(fù)的電阻溫度系數(shù)的物質(zhì)。半導(dǎo)體室溫時(shí)電阻率約在10-5～107歐·米之間，溫度升高時(shí)電阻率指數(shù)則減小。半導(dǎo)體材料很多，按化學(xué)成分可分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導(dǎo)體；化合物半導(dǎo)體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化鎘、硫化鋅等)、氧化物(錳、鉻、鐵、銅的氧化物), [ 查看詳細(xì) ]