先進(jìn)制程文章進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)社區(qū)

英特爾 CEO：18A 制程優(yōu)于臺(tái)積電的 2nm

英特爾的先進(jìn)制程發(fā)展腳步越邁越大。
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高通、英偉達(dá)、AMD、特斯拉等先進(jìn)制程芯片，花落誰家？

蘋果、英偉達(dá)、AMD、高通和聯(lián)發(fā)科等都采用臺(tái)積電半導(dǎo)體制程生產(chǎn)最新芯片，部分芯片可能采用三星晶圓代工，但通常不是旗艦。隨著三星過去幾個(gè)月良率提升，三星非常希望拿下部分訂單，例如3納米GAA制程。之前市場消息，高通Snapdragon 8 Gen 4可能采用雙代工廠策略，也就是同時(shí)采用臺(tái)積電的N3E制程技術(shù)和三星的SF3E制程技術(shù)。不過，目前高通和聯(lián)發(fā)科都計(jì)劃采用臺(tái)積電第二代3納米制程技術(shù)（N3E），制造Snapdragon 3 Gen 8和天璣4的芯片，并沒有所謂的雙來源計(jì)劃。三星在2022年6
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三大晶圓代工巨頭先進(jìn)制程新進(jìn)展

近期，英特爾執(zhí)行長基辛格表示，英特爾可如期達(dá)成4年推進(jìn)5世代制程技術(shù)的目標(biāo)。Intel 7制程技術(shù)已大量生產(chǎn)，Intel 4制程也已經(jīng)量產(chǎn)，Intel 3制程準(zhǔn)備開始量產(chǎn)，Intel 20A制程將如期于2024年量產(chǎn)，Intel 18A制程將是5世代制程目標(biāo)的終極制程，已確定相關(guān)設(shè)計(jì)規(guī)則。在AI、高性能計(jì)算等新興技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程重要性日益凸顯，吸引臺(tái)積電、三星、英特爾積極布局。臺(tái)積電方面，該公司N3X、2nm工藝計(jì)劃2025年進(jìn)入量產(chǎn)階段。臺(tái)積電介紹，公司將在2nm制程節(jié)點(diǎn)首度使用
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3納米市占超車美國對(duì)手中砂拼先進(jìn)制程明年靚

再生晶圓暨鉆石碟大廠中砂6日舉辦法說會(huì)，發(fā)言人李偉彰副總指出，公司于研發(fā)階段便與客戶共同投入研發(fā)，過往持續(xù)擴(kuò)增實(shí)驗(yàn)室規(guī)模，于客戶先進(jìn)制程逐漸斬獲成效，于3納米制程已經(jīng)獲得7成之市占，彎道超車美國競爭對(duì)手。李偉彰強(qiáng)調(diào)，未來在2納米甚至更先進(jìn)制程，皆不會(huì)落下；伴隨線徑微縮極致的追求，耗材使用壽命只會(huì)愈來愈短，對(duì)耗材供應(yīng)系一大利多。中砂第三季營收獲利逐步回溫，自第一季低點(diǎn)之后、逐季好轉(zhuǎn)，其中毛利率站回3成之水平，達(dá)到32％，營益率也回到17％，稅后純益達(dá)2.92億元，單季每股稅后純益（EPS）2.02元；前三
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先進(jìn)制程之戰(zhàn)：三星/英特爾/臺(tái)積電動(dòng)態(tài)跟蹤

近期，三星電子旗下晶圓代工事業(yè)Samsung Foundry 透露，已開始跟大型芯片客戶接洽，準(zhǔn)備提供1.4nm及2nm制程的服務(wù)。據(jù)朝鮮日?qǐng)?bào)報(bào)道，對(duì)于三星率先量產(chǎn)3nm（環(huán)繞式閘極，gate-all-around，GAA）制程、大客戶方面卻不如臺(tái)積電的言論，Samsung Foundry科技長Jeong Ki-tae近日在韓國國際會(huì)議暨展示中心（COEX）舉行的2023年半導(dǎo)體博覽會(huì)（Semiconductor Expo 2023）表示，晶圓代工客戶大約需要3年才能做出最終購買決定。三星正在跟大
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三大先進(jìn)制程代工廠的路線圖

據(jù)集邦咨詢報(bào)道，臺(tái)積電、三星、英特爾等尖端制程代工廠紛紛發(fā)布 2nm 及以上制程路線圖，凸顯下一代 GAA 技術(shù)領(lǐng)先地位的開發(fā)競爭加速。大型晶圓廠的前沿工藝路線圖。請(qǐng)注意，這是 TrendForce 根據(jù)各公司公布的計(jì)劃創(chuàng)建的，不一定完全如圖所示（來源：TrendForce，截至 2023 年 9 月）臺(tái)積電將于 2025 年在寶山工廠開始量產(chǎn) 2nm 工藝關(guān)于產(chǎn)業(yè)龍頭臺(tái)積電，集邦科技將于 2024 年第二季開始在中國臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)寶山地區(qū)（新竹縣寶山鄉(xiāng)）的工廠安裝量產(chǎn) 2 納米（N2）制程的制造設(shè)備。
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晶圓代工大廠角逐先進(jìn)制程迎新進(jìn)展！

AI、高性能計(jì)算等新興技術(shù)驅(qū)動(dòng)下，晶圓代工產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程重要性日益凸顯。近期，產(chǎn)業(yè)迎來新進(jìn)展：英特爾宣布Intel 4制程節(jié)點(diǎn)已大規(guī)模量產(chǎn)。與此同時(shí)，臺(tái)積電、三星同樣在積極布局先進(jìn)制程技術(shù)。英特爾Intel 4制程節(jié)點(diǎn)已大規(guī)模量產(chǎn)10月15日，“英特爾中國”官方公眾號(hào)宣布，英特爾已于近日開始采用極紫外光刻（EUV）技術(shù)大規(guī)模量產(chǎn)Intel 4制程節(jié)點(diǎn)。官方表示，英特爾正以強(qiáng)大執(zhí)行力推進(jìn)“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃，并將用于新一代的領(lǐng)先產(chǎn)品，滿足AI推動(dòng)下“芯經(jīng)濟(jì)”指數(shù)級(jí)增長的算力需求。作為英特爾首個(gè)采用極紫外光
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先進(jìn)制程競爭升級(jí)，三星臺(tái)積電4納米正面交鋒

據(jù)韓媒Business Korea報(bào)道，三星電子將在今年上半年開始大規(guī)模生產(chǎn)第三代4納米芯片。報(bào)道稱，三星電子3月12日發(fā)布了一份商業(yè)報(bào)告，報(bào)告提到將在今年上半年開始2.3代（2.3-generation process）4納米工藝大規(guī)模生產(chǎn)。這是三星電子首次提到4納米新版本的具體量產(chǎn)時(shí)間。與4納米芯片的第一代產(chǎn)品SF4E相比，第二代和第三代產(chǎn)品顯示出更好的性能，更低的功耗，并且使用更小的晶圓面積。目前，業(yè)界已經(jīng)量產(chǎn)的最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝制程為3納米，但市場主要產(chǎn)品仍為4納米和5納米芯片上，競爭廠商主要
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NXP：先進(jìn)制程有助打造更高效率的運(yùn)算架構(gòu)

物聯(lián)網(wǎng)被視為未來各種智能化系統(tǒng)的主要架構(gòu)，透過底層感測網(wǎng)絡(luò)、中間通訊傳輸與上層云端平臺(tái)的組合，讓信息無縫流動(dòng)，進(jìn)而延伸出更多應(yīng)用，賦予更智能的生活體驗(yàn)。不過隨著物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用多元化、許多應(yīng)用或因功能安全或因直觀需要實(shí)時(shí)反應(yīng)，集中式運(yùn)算的物聯(lián)網(wǎng)架構(gòu)已難因應(yīng)所有領(lǐng)域，因此系統(tǒng)終端開始被賦予一定程度的運(yùn)算能力，以提升實(shí)時(shí)反應(yīng)功能。恩智浦(NXP)半導(dǎo)體大中華區(qū)資深營銷經(jīng)理黃健洲恩智浦(NXP)半導(dǎo)體大中華區(qū)資深營銷經(jīng)理黃健洲指出，而針對(duì)此一需求，在MCU已布局多年的NXP在2019年推出了i.MX RT
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半導(dǎo)體從業(yè)人員受訪時(shí)承認(rèn)：技術(shù)落后2-3代

受美國制裁的影響，我國在半導(dǎo)體先進(jìn)制程的發(fā)展速度上嚴(yán)重放緩。日經(jīng)新聞采訪了7家中國主要半導(dǎo)體設(shè)備制造商，大多數(shù)承認(rèn)目前主要生產(chǎn)14納米至28納米的芯片，落后對(duì)手至少2到3代。日經(jīng)在今年3月的2021中國國際半導(dǎo)體展期間訪問了多家半導(dǎo)體公司，獲得了7家公司回復(fù)。大多受訪者坦承，中國半導(dǎo)體先進(jìn)芯片制程發(fā)展速度已經(jīng)放緩，也表示美國制裁阻礙他們從國外采購零件和材料，但用國內(nèi)產(chǎn)品替代又會(huì)降低良品率。上海微電子是中國唯一一家商用光刻機(jī)制造商，一名工程師受訪表示：我們的主要光刻機(jī)是用于90納米制程的，而28納米和14
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先進(jìn)制程推升算力需求云端EDA帶來靈活彈性

而隨著芯片制程不斷縮小，單一芯片內(nèi)的晶體管與電路數(shù)量也持續(xù)倍增，芯片的生產(chǎn)流程也進(jìn)入了新的時(shí)代，云端IC設(shè)計(jì)就是其中之一趨勢
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邁向先進(jìn)制程 PLD商機(jī)更加龐大

在過去的幾年間，整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨著巨幅的衰退，然而，這個(gè)衰退現(xiàn)象卻為可編程邏輯組件(PLD)產(chǎn)業(yè)帶來了實(shí)質(zhì)的絕佳成長機(jī)會(huì)。雖然PLD公司之間的競爭仍然相當(dāng)激烈，但ASIC仍然是主要的競爭對(duì)手，如今，這種競爭現(xiàn)象
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明年資本支出臺(tái)積將首超三星、英特爾

　　先進(jìn)制程成為半導(dǎo)體巨擘兵家必爭之地，臺(tái)積電日前于法說會(huì)上初透口風(fēng)，表示明年資本支將約略高于100億美元，主要將用于16奈米制程的產(chǎn)能布建及10奈米的準(zhǔn)備工作。工研院產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)與趨勢研究中心(IEK)則估，臺(tái)積電明年資本支出可望達(dá)到115億美元，超越英特爾、三星。　　IEK分析，今年全球半導(dǎo)體廠商的資本支出估達(dá)643.6億美元、年增8.4%，其中三星、英特爾、臺(tái)積三強(qiáng)均超過百億美元。如此龐大的資本支出，即是由于在擴(kuò)大產(chǎn)能之余，先進(jìn)制程的研發(fā)投資成本亦跟著水漲船高。舉例來說，一條20奈米產(chǎn)線的投資金額就
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力抓先進(jìn)制程，晶圓代工雙雄持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)

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