英特爾 CEO：18A 制程優(yōu)于臺(tái)積電的 2nm

據(jù)報(bào)道，英特爾（Intel）CEO Pat Gelsinger 在接受采訪(fǎng)時(shí)信心滿(mǎn)滿(mǎn)，相信該公司的先進(jìn)制程工藝將擊敗臺(tái)積電。

Gelsinger 指出，英特爾的 18A 和臺(tái)積電的 N2（2nm）制程的晶體管似乎差不多，沒(méi)有哪家具備顯著優(yōu)勢(shì)，但每個(gè)人都說(shuō)英特爾的背面供電（backside power delivery）更加優(yōu)秀。他說(shuō)，這讓硅芯片擁有更好的面積效率（area efficiency），這意味著成本降低，供電較佳則代表表現(xiàn)效能更高。

Gelsinger 表示，不錯(cuò)的晶體管、極佳的供電讓 18A 制程稍稍領(lǐng)先 N2。此外，臺(tái)積電的封裝成本非常高，英特爾毛利則可望緩步增加。

被問(wèn)到未來(lái) 10 年中美 AI 競(jìng)賽將如何演變？Gelsinger 回答，人們一提到 AI，就想到算力、數(shù)據(jù)供給及創(chuàng)新研究算法。美國(guó)的算力顯然是領(lǐng)先的。大家以為中國(guó)在數(shù)據(jù)方面有優(yōu)勢(shì)，但實(shí)際上，美國(guó)的開(kāi)放讓許多數(shù)據(jù)集（data set）唾手可得。第三就是美國(guó)人已將創(chuàng)新融入生活，擁有開(kāi)放、喜愛(ài)挑戰(zhàn)的性格，中國(guó)難以跟上。

英國(guó)金融時(shí)報(bào)日前引述未具名消息人士報(bào)道，臺(tái)積電已將 N2 制程原型對(duì)蘋(píng)果（Apple）、英偉達(dá)（Nvidia）等大客戶(hù)進(jìn)行了展演。

報(bào)道指出，三星電子雖然提供價(jià)格較具競(jìng)爭(zhēng)力的 2nm 制程原型，試圖吸引英偉達(dá)等大戶(hù)，但對(duì)部分人士而言，臺(tái)積電的表現(xiàn)似乎更佳。Dalton Investments 分析師 James Lim 表示，三星相信 2nm 將改變整個(gè)賽局，但人們質(zhì)疑三星導(dǎo)入新制程的執(zhí)行力能否優(yōu)于臺(tái)積電。

據(jù)報(bào)道，英特爾也大膽宣示將在 2024 年底前投產(chǎn)新一代 18A 制程芯片，領(lǐng)先亞洲競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，但市場(chǎng)對(duì)該公司的表現(xiàn)感到懷疑。

先進(jìn)制程爭(zhēng)奪戰(zhàn)

先進(jìn)制造工藝（包括 16/14nm 及更先進(jìn)技術(shù)）方面，中國(guó)臺(tái)灣在 2023 年以 68% 的全球產(chǎn)能份額處于領(lǐng)先地位，其次是美國(guó)（12%）、韓國(guó)（11%）和中國(guó)大陸（8%）。與此同時(shí)，中國(guó)臺(tái)灣在 EUV 生成工藝方面占據(jù)近 80% 的份額。

在先進(jìn)制程領(lǐng)域，中國(guó)臺(tái)灣仍由臺(tái)積電支撐，美國(guó)扶持臺(tái)積電、三星、英特爾等廠(chǎng)商，在境內(nèi)大舉投資先進(jìn)制程晶圓廠(chǎng)，預(yù)估至 2027 年，美國(guó)的先進(jìn)制程產(chǎn)能占比，將由目前的 12% 增至 17%，臺(tái)積電及三星尚占逾半數(shù)產(chǎn)能，仍有關(guān)鍵地位。

在最先進(jìn)制程研發(fā)和量產(chǎn)方面，行業(yè)三強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)會(huì)越來(lái)越激烈。

據(jù)外媒報(bào)道，臺(tái)積電近期在 IEEE 國(guó)際電子組件會(huì)議（IEDM）首次揭露，將繼 2nm 后推出 1.4nm 制程。雖然臺(tái)積電尚未明確揭露 1.4nm 制程正式量產(chǎn)時(shí)程，但以目前 2nm 預(yù)定 2025 年量產(chǎn)，是全球第一家提供 2nm 制程代工服務(wù)的晶圓廠(chǎng)，預(yù)料 1.4nm 也將會(huì)是世界第一家提供最先進(jìn)代工服務(wù)的晶圓廠(chǎng)。

值得注意的是，為了延續(xù)設(shè)備共通使用，有效節(jié)省資本支出，臺(tái)積電內(nèi)部?jī)A向仍將延用于 2nm 采用的環(huán)繞閘極（GAA-FET）的晶體管設(shè)計(jì)架構(gòu)，而不是被密集討論的疊層互補(bǔ)式場(chǎng)效晶體管（CFET）結(jié)構(gòu)。 但臺(tái)積電未在 IEDM 透露 1.4nm 制程是否將延用 GAA-FET。

供應(yīng)鏈分析，臺(tái)積電 2nm 和 1.4nm 會(huì)做出設(shè)備支出最適化的考慮，且因臺(tái)積電未來(lái) 2nm 量產(chǎn)，擁有其他同業(yè)欠缺的經(jīng)驗(yàn)曲線(xiàn)，預(yù)料在晶體管的 PPA（效能、功耗、面積），仍將會(huì)是業(yè)界領(lǐng)先并獲得 AI 加速芯片及繪圖處理器、CPU 等高效能運(yùn)算芯片廠(chǎng)首選制程。

三星緊追臺(tái)積電不放，對(duì)外宣布計(jì)劃 2027 年推出 1.4nm，讓臺(tái)積電也不敢松懈。

至于另一勁敵英特爾，是臺(tái)積電在 2nm 制程后列入鎖定雷達(dá)區(qū)內(nèi); 英特爾 CEO 基辛格稍早強(qiáng)調(diào)，在他上任后揭露英特爾將在 4 年內(nèi)推出 5 個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，目前進(jìn)展一切如預(yù)期。

基辛格日前主持英特爾創(chuàng)新日時(shí)重申，Intel 7 已進(jìn)入量產(chǎn)階段，Intel 4 現(xiàn)已量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒、Intel 3 也會(huì)按計(jì)劃于今年底推出。 他并現(xiàn)場(chǎng)展示以 Intel 20A 試產(chǎn)出的晶圓，一般預(yù)料是用于生產(chǎn)明年推出的 Arrow Lake 處理器; Intel 18A 也將在 2024 下半年量產(chǎn)。

值得留意的是，除了吸引臺(tái)積電設(shè)廠(chǎng)外，日本更積極扶持本地企業(yè) Rapidus，目標(biāo)直指最先進(jìn) 2nm 制程，同步祭出補(bǔ)貼政策，包含臺(tái)積電熊本廠(chǎng)和力積電仙臺(tái)廠(chǎng)雙管齊下，預(yù)估 2027 年先進(jìn)制程產(chǎn)能占比，將近乎零大幅拉升至 4%，日本精密工業(yè)與材料科學(xué)技術(shù)與經(jīng)驗(yàn)不容小覷。