三星文章進入三星技術社區(qū)

消息稱三星曾考慮使用天璣 9000 處理器，因供應量不足放棄

IT之家 3 月 11 日消息，博主 Revegnus 近日否認了三星旗艦手機未來將使用聯(lián)發(fā)科旗艦處理器的傳聞，但稱三星曾考慮在 S 系列手機上使用天璣 9000 處理器，但因供應不足而放棄。該博主稱當年聯(lián)發(fā)科曾考慮向三星供應 1000 萬顆天璣 9000，而這一供應量遠低于三星 Galaxy S 系列所需的 3000-3500 萬顆，協(xié)議最終沒有達成。此外，該博主曾于 2 月發(fā)文稱，傳言聯(lián)發(fā)科向三星提供了特殊價格，三星的入門手機系列將擴大聯(lián)發(fā)科處理器的使用范圍。Revegnus 強調(diào)聯(lián)發(fā)科與三
關鍵字：天璣9000 三星

美光攜手三星打造Galaxy S24系列，開啟移動AI體驗時代

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布，三星 Galaxy S24 系列的部分設備已搭載美光低功耗 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0 移動閃存存儲，為全球手機用戶帶來強大的人工智能（AI）體驗。Galaxy S24 系列由三星的生成式人工智能工具套件 Galaxy AI 提供支持，能夠實現(xiàn)無障礙通信并且最大限度地實現(xiàn)創(chuàng)作自由，從而進一步提升用戶體驗。隨著數(shù)據(jù)密集型和功耗密集型應用不斷推動智能手機的硬件性能達到極致，美光 LPDDR5X 內(nèi)存和 UFS 4.0
關鍵字：美光三星 Galaxy S24 移動AI

全球HBM戰(zhàn)局打響！

AI服務器浪潮席卷全球，帶動AI加速芯片需求。DRAM關鍵性產(chǎn)品HBM異軍突起，成為了半導體下行周期中逆勢增長的風景線。業(yè)界認為，HBM是加速未來AI技術發(fā)展的關鍵科技之一。近期，HBM市場動靜不斷。先是SK海力士、美光科技存儲兩大廠釋出2024年HBM產(chǎn)能售罄。與此同時，HBM技術再突破、大客戶發(fā)生變動、被劃進國家戰(zhàn)略技術之一...一時間全球目光再度聚焦于HBM。1HBM：三分天下HBM（全稱為High Bandwidth Memory），是高帶寬存儲器，是屬于圖形DDR內(nèi)存的一種。從技術原理上講，HB
關鍵字：三星半導體存儲器 HBM

三星全新microSD，憑借高性能和大容量助力移動計算和端側AI

三星電子今日宣布，已開始向客戶提供其256GB[1]SD Express[2] microSD存儲卡樣品，該款存儲卡順序讀取速度最高可達800MB/s，此外，1TB[3] UHS-1 microSD存儲卡現(xiàn)已進入量產(chǎn)階段。隨著新一代microSD存儲卡產(chǎn)品的推出，三星將著力打造差異化存儲解決方案，更好滿足未來移動計算和端側人工智能應用的需求。"來自移動計算和端側人工智能應用的需求與日俱增，三星推出的這兩款全新micro SD卡為應對這一問題提供了有效解決方案。"三星電子品牌存儲事業(yè)
關鍵字：三星 microSD 移動計算端側AI

消息稱三星背面供電芯片測試結果良好，有望提前導入

IT之家 2 月 28 日消息，據(jù)韓媒 Chosunbiz 報道，三星電子近日在背面供電網(wǎng)絡（BSPDN）芯片測試中獲得了好于預期的成果，有望提前導入未來制程節(jié)點。傳統(tǒng)芯片采用自下而上的制造方式，先制造晶體管再建立用于互連和供電的線路層。但隨著制程工藝的收縮，傳統(tǒng)供電模式的線路層越來越混亂，對設計與制造形成干擾。BSPDN 技術將芯片供電網(wǎng)絡轉移至晶圓背面，可簡化供電路徑，解決互連瓶頸，減少供電對信號的干擾，最終可降低平臺整體電壓與功耗。對于三星而言，還特別有助于移動端 SoC 的小型化?！?n
關鍵字：三星 BSPDN 芯片測試

三星發(fā)布其首款36GB HBM3E 12H DRAM，滿足人工智能時代的更高要求

三星電子今日宣布，公司成功發(fā)布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品。 &n
關鍵字：三星 HBM3E DRAM 人工智能

AI-RAN聯(lián)盟成立，推動5G/6G網(wǎng)絡人工智能進化

據(jù)三星官網(wǎng)消息，2月26日，AI-RAN 聯(lián)盟在巴塞羅那 MWC2024 世界通信大會上正式成立，旨在通過與相關公司合作，將人工智能（AI）技術融入蜂窩移動網(wǎng)絡的發(fā)展，推動5G及即將到來的6G通信網(wǎng)絡進步，以改善移動網(wǎng)絡效率、降低功耗和改造現(xiàn)有基礎設施。據(jù)悉，該組織共有11個初始成員，其中包括：三星、ARM、愛立信、微軟、諾基亞、英偉達、軟銀等行業(yè)巨頭。聯(lián)盟將合作開發(fā)創(chuàng)新的新技術，以及將這些技術應用到商業(yè)產(chǎn)品中，為即將到來的 6G 時代做好準備。據(jù)了解，AI-RAN 聯(lián)盟將重點關注三大研究和創(chuàng)新領域：AI
關鍵字： AI-RAN MWC2024 三星 ARM 愛立信微軟英偉達

半導體工業(yè)的關鍵——晶圓專題

半導體已經(jīng)與我們的生活融為一體，我們?nèi)粘Ｉ畹脑S多方面，包括手機、筆記本電腦、汽車、電視等，都離不開半導體。而制造半導體所需的多任務流程被分為幾個基本工藝，這些工藝的第一步就是晶圓制造。晶圓可以說是半導體的基礎，因為半導體集成電路包含許多處理各種功能的電氣元件。而集成電路是通過在晶圓的基板上創(chuàng)建許多相同的電路來制造的。晶圓是從硅棒上切成薄片的圓盤，由硅或砷化鎵等元素制成。大多數(shù)晶圓是由從沙子中提取的硅制成。美國的硅谷始于半導體產(chǎn)業(yè)，最終成為全球軟件產(chǎn)業(yè)的中心。據(jù)報道，它的名字是半導體原材料“硅”和圣克拉拉
關鍵字：晶圓制造臺積電格芯三星

三星啟動新的半導體部門，旨在開發(fā)下一代AGI芯片

據(jù)報道，三星已在硅谷成立了一個新的半導體研發(fā)組織，旨在開發(fā)下一代AGI芯片。三星不打算就此止步，因為他們決定抓住潛在的“黃金礦藏”與AGI半導體部門一擁而上，比其他公司更早三星電子，特別是其鑄造部門，在擴大半導體能力方面正在迅速進展，公司宣布新的下一代工藝以及最終的客戶。然而，在人工智能時代，與像臺積電這樣的競爭對手相比，三星在AI方面沒有取得顯著進展，因為該公司未能引起像NVIDIA這樣的公司對半導體的關注，但看起來這家韓國巨頭計劃走在前面，隨著世界轉向AGI主導的技術領域。相關故事報告顯示去年銷售
關鍵字：三星，AGI，芯片

三星調(diào)整芯片工廠建設計劃，應對市場需求變化

IT之家 2 月 20 日消息，三星半導體業(yè)務雖然面臨著持續(xù)的挑戰(zhàn)，但該公司仍對今年下半年的市場前景持樂觀態(tài)度。為了提高效率并更好地響應市場需求，三星正在對其芯片工廠進行一些調(diào)整。具體而言，三星正在調(diào)整位于韓國平澤的 P4 工廠的建設進度，以便優(yōu)先建造 PH2 無塵室。此前，三星曾宣布暫停建設 P5 工廠的新生產(chǎn)線。三星正在根據(jù)市場動態(tài)調(diào)整其建設計劃。平澤是三星主要的半導體制造中心之一，是三星代工業(yè)務的集中地，也是該公司生產(chǎn)存儲芯片的地方。目前，P1、P2 和 P3 工廠已經(jīng)投入運營，P4 和
關鍵字：三星晶圓代工

三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷

最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問題，未能通過三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產(chǎn)階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
關鍵字：三星 Exynos 芯片 3nm GAA

測試發(fā)現(xiàn)三星Galaxy S24 Ultra鈦合金用料不及iPhone 15 Pro Max

?2 月 6 日消息，和 iPhone 15 Pro Max 一樣，三星 Galaxy S24 Ultra 也采用了鈦合金框架，以提升手機的耐用性和輕量化程度。然而，兩款手機的鈦合金含量和品質(zhì)卻并不相同。知名 Youtube 科技頻道 JerryRigEverything 通過火燒測試，揭示了其中的奧秘。此前，JerryRigEverything 已經(jīng)對 iPhone 15 Pro Max 進行了同樣的測試，發(fā)現(xiàn)其鈦合金框架在高溫灼燒下依然完好無損。這并不令人意外，因為測試所用的熔爐溫度不足以熔
關鍵字：三星 Galaxy S24 Ultra 鈦合金 Phone 15 Pro Max

消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

2 月 5 日消息，據(jù)報道，三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存（將在高密度內(nèi)存和接口會議上亮相），這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術開發(fā)，在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關于將在峰會上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息，但我們知道，這款 DDR5 的 I / O 速度高達每個引
關鍵字：三星 32Gb DDR5 內(nèi)存芯片

2nm半導體大戰(zhàn)打響！三星2nm時間表公布

2月5日消息，據(jù)媒體報道，三星計劃明年在韓國開始2nm工藝的制造，并且在2047年之前，三星將在韓國投資500萬億韓元，建立一個巨型半導體工廠，將進行2nm制造。據(jù)悉，2nm工藝被視為下一代半導體制程的關鍵性突破，它能夠為芯片提供更高的性能和更低的功耗。作為三星最大的競爭對手，臺積電在去年研討會上就披露了2nm芯片的早期細節(jié)，臺積電的2nm芯片將采用N2平臺，引入GAAFET納米片晶體管架構和背部供電技術。臺積電推出的采用納米片晶體管架構的2nm制程技術，在相同功耗下較3nm工藝速度快10%至15%，在相
關鍵字： 2nm 半導體三星

三星與臺積電據(jù)悉都將從2025年開始投入2nm制程量產(chǎn)

2月5日消息，三星與臺積電據(jù)悉都將從2025年開始投入2nm制程量產(chǎn)。此前，韓國政府1月中旬表示，三星公司計劃到2047年在首爾南部投資500萬億韓元建設“超大集群”半導體項目，將重點生產(chǎn)先進產(chǎn)品，包括使用2nm工藝制造的芯片。
關鍵字：三星臺積電 2nm

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三星介紹

　韓國三星電子成立于1969年，正式進入中國市場則是1992年中韓建交后。1992年8月，三星電子有l(wèi)ogo限公司在中國惠州投資建廠。此后的10年，三星電子不斷加大在中國的投資與合作，已經(jīng)成為對中國投資最大的韓資企業(yè)之一。2003年三星電子在中國的銷售額突破100億美元，躍入中國一流企業(yè)的水平。2003年，三星品牌價值108.5億美元，世界排名25位，被商務周刊評選為世界上發(fā)展最快的高科技品牌。 [ 查看詳細 ]