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東芝等日本半導(dǎo)體巨頭恢復(fù)增產(chǎn)投資
- 據(jù)國外媒體報道，日本國內(nèi)的半導(dǎo)體巨頭重新開啟了增產(chǎn)投資的大門。東芝公司一直生產(chǎn)手機(jī)等設(shè)備上使用的閃存，并在該領(lǐng)域排名全球第二，該公司計劃與美國公司共同出資1500億日元，以提高這方面的產(chǎn)能，增產(chǎn)程度約為4成。爾必達(dá)公司主要生產(chǎn)PC的內(nèi)存，該公司計劃在2010財年向主要生產(chǎn)廠投資600億日元，將出貨量提高3成。 自今年夏天以來，全球半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)堅挺的走勢，PC銷售等在需求的刺激下得到恢復(fù)。全球經(jīng)濟(jì)危機(jī)后，日本IT業(yè)大公司一改過去的謹(jǐn)慎投資的態(tài)度而變?yōu)榉e極投資，以期待與韓國三星公司展開競爭。
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東芝、爾必達(dá)提高半導(dǎo)體事業(yè)資本支出
- 自2009年夏季起全球半導(dǎo)體市場需求回溫，日本半導(dǎo)體大廠增資動作亦轉(zhuǎn)趨積極。日本經(jīng)濟(jì)新聞報導(dǎo)指出，東芝(Toshiba)將與美國業(yè)者共同投資1,500億日圓(約16億美元)于NAND Flash事業(yè)，提高約4成產(chǎn)能;爾必達(dá)(Elpida)亦計劃在2010年度中，投資600億日圓于主力據(jù)點(diǎn)，以增加3成出貨量。 報導(dǎo)指出，東芝擬于2010年度初期在三重縣四日市NAND Flash廠導(dǎo)入尖端設(shè)備，此亦為2007年來東芝在NAND Flash事業(yè)上的大舉投資。據(jù)悉，增設(shè)新生產(chǎn)線后，整廠生產(chǎn)規(guī)模將由26萬
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傳東芝投資22億美元擴(kuò)大NAND閃存產(chǎn)能
- 據(jù)國外媒體報道，消息人士周一透露，東芝可能將投資2000億日元(約合22億美元)擴(kuò)大NAND閃存芯片生產(chǎn)。到2010年4月底，東芝的閃存芯片生產(chǎn)規(guī)模將擴(kuò)大40%。 報道稱，東芝當(dāng)前還計劃在2012年3月之前，為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資總計5000億日元。市場調(diào)研公司iSuppli上周發(fā)布研究數(shù)據(jù)顯示，今年第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。 iSuppli的報告稱，全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達(dá)39.4億美元。
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消息稱張汝京或?qū)⒐芾碇行境啥技拔錆h芯片廠
- 據(jù)臺灣媒體報道，近期市場傳出中芯國際將切割代管的成都廠及武漢廠等兩地晶圓廠，而兩座廠將可能由中芯前總裁張汝京出面統(tǒng)籌管理，張汝京等于找到了新舞臺。 臺灣媒體引述“內(nèi)部人士”的話報道稱，成都及武漢兩地政府日前希望與中芯國際CEO王寧國見面，但王寧國未有正面回應(yīng)，目前中芯切割兩晶圓廠政策已是箭在弦上，成都市政府上周密會中芯前總裁張汝京，兩地政府希望未來成都廠及武漢廠由張汝京出面統(tǒng)籌管理。 據(jù)報道，中芯在張汝京時代，曾與成都、武漢等兩地方政府達(dá)成協(xié)議，成都市政府出資成立成
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東芝第三季度NAND閃存營收環(huán)比增長近50%
- 據(jù)國外媒體報道，市場研究公司iSuppli最新研究數(shù)據(jù)顯示，第三季度全球NAND閃存市場業(yè)績強(qiáng)勁，東芝表現(xiàn)最為搶眼，營收環(huán)比增長近50%。 全球NAND閃存市場第三季度的營收較第二季度的31億美元，增長了25.5%，達(dá)39.4億美元。東芝第三季度表現(xiàn)強(qiáng)于市場，其NAND閃存營收較第二季度的9.24億美元增長了47.5%，達(dá)14億美元。東芝在全球NAND閃存市場上位居第二，僅次于三星電子。 iSuppli資深分析師Michael Yang說：“東芝在第三季度充分利用了有利的NAN
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東芝發(fā)布業(yè)內(nèi)最大容量嵌入式NAND閃存模組
- 東芝公司本周一發(fā)布了據(jù)稱為業(yè)內(nèi)最大容量的64GB嵌入式NAND閃存模組。這種模組內(nèi)建專用的控制器，并內(nèi)含16個采用32nm制程技術(shù)制作的32Gbit存儲密度的閃存芯片，這種閃存芯片的厚度則僅有30微米。 這款內(nèi)存模組產(chǎn)品裝備在便攜設(shè)備如iPod/智能手機(jī)等之上后，手機(jī)的存儲容量將實(shí)現(xiàn)倍增。比如采用單閃存模組設(shè)計的iPhone的容量可由原來的32GB提升到64GB,而采用雙閃存模組設(shè)計的iPod touch的最大容量則可達(dá)到128GB。 東芝本月將開始對外提供這種64GB嵌入式閃存模組的
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臺美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵
- 兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計投入30億美元擴(kuò)產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營板塊運(yùn)動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。 隨著三星和海力士都擴(kuò)增2010年資本支出，隱約釋出對
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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)
- 臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
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12月上旬合約價DRAM持平 Flash下跌
- 12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個人計算機(jī)(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應(yīng)市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運(yùn)被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。 近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當(dāng)有限，反倒是原本各界預(yù)期12月上旬
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張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)
- 12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負(fù)成本。 張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認(rèn)為，全球經(jīng)濟(jì)都在復(fù)蘇中，復(fù)蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復(fù)蘇，但張忠謀認(rèn)為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當(dāng)嚴(yán)峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴(yán)峻因?yàn)槭沁^去兩年、甚至十年沒遇見過。 第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
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三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標(biāo)直指臺積電
- 據(jù)報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達(dá)到臺積電的規(guī)模。 根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元，而臺積電獨(dú)自占據(jù)了其中的100億美元。 三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領(lǐng)先地位，但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴(kuò)大其代工產(chǎn)能，目標(biāo)直指臺積電。 三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務(wù)。三星一直強(qiáng)調(diào)
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三星開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程N(yùn)AND閃存芯片
- 三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程N(yùn)AND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司宣稱，這種產(chǎn)品的讀取帶寬 是傳統(tǒng)閃存芯片的3倍左右，單顆這樣的DDR MLC閃存芯片數(shù)據(jù)傳輸峰值帶寬可達(dá)133Mbps，而舊款閃存芯片則只能達(dá)到40Mbps的水平。 即便將這種芯片應(yīng)用到閃存卡中，也能夠保持60Mbps的持續(xù)讀取速率，同樣比傳統(tǒng)閃存芯片的17Mbps快三倍左右。這種閃存芯片產(chǎn)品既適合智能手機(jī)，便攜多媒體播放器等產(chǎn)品，也同樣適用于SSD硬盤等設(shè)備。 另外一款
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