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EEPW首頁 >> 主題列表 >> ?nand flash

亞太晶圓代工廠2009年下半扮演資本支出復(fù)蘇推手

  • 　　SEMI World Fab Forecast最新出爐報告，2009年前段半導(dǎo)體業(yè)者設(shè)備支出下滑，其中第1季的資本支出便較2008年第4季下滑26%至32億美元。然而，資本支出在2009年第2季便已呈現(xiàn)落底，目前在整個產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈也已經(jīng)看到穩(wěn)定回升的訊號，其中晶圓代工廠2009年下半年扮演資本支出復(fù)蘇推手，存儲器晶圓廠、后段封測則跟進(jìn)。 　　晶圓代工廠臺積電宣布，增加2009年資本支出回復(fù)到2008年19億美元的水平，比起原本的預(yù)測提高了26%左右。隨后，臺積電第2季的投資法人說明會上，臺積電又進(jìn)一步
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基于VxWorks的NAND FLASH驅(qū)動程序設(shè)計

  • 0 引 言
    目前，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，計算機(jī)技術(shù)也得到飛速的發(fā)展，產(chǎn)生了很多新技術(shù)。但就計算機(jī)的基本結(jié)構(gòu)來說，還是基本采用了馮?諾依曼結(jié)構(gòu)。然而馮?諾依曼結(jié)構(gòu)的一個中心點(diǎn)就是存儲一控制，所以存儲器
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東芝32納米即將量產(chǎn)　群聯(lián)備戰(zhàn)將全線支持

  • 　　面臨英特爾(Intel)和美光(Micron)陣營的壓力，東芝(Toshiba)下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)32納米的NAND Flash制程技術(shù)，東芝原本預(yù)計32納米制程產(chǎn)量，在年底可達(dá)產(chǎn)能30%，但以目前進(jìn)度來看，勢必會延后量產(chǎn)時間點(diǎn)，其控制芯片供應(yīng)商群聯(lián)則表示，支持東芝32納米的所有產(chǎn)品線都已經(jīng)準(zhǔn)備妥當(dāng)，包括隨身碟和記憶卡的控制芯片皆然，隨時可進(jìn)入量產(chǎn)階段。此外，群聯(lián)8月營收將持續(xù)成長，估計月增率可達(dá)10%以上，8月毛利率可微幅高于7月，整體第3季獲利持續(xù)上揚(yáng)。 　　東芝43納米制程量產(chǎn)成熟，下半年積極轉(zhuǎn)進(jìn)
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2013年閃存需求規(guī)模將達(dá)到08年的11倍

  • 　　根據(jù)配備各種存儲器的電子終端等的產(chǎn)量，筆者預(yù)測了2013年之前NAND型閃存和DRAM的需求走勢。預(yù)測結(jié)果為，1990年代曾經(jīng)拉動半導(dǎo)體元件投資增長的DRAM即將完成其使命，NAND型閃存將取而代之，一躍成為投資主角。 　　按8Gbit產(chǎn)品換算，NAND需求規(guī)模將達(dá)到400億個 　　《日經(jīng)市場調(diào)查》的調(diào)查結(jié)果顯示，按8Gbit產(chǎn)品換算，2013年NAND型閃存的需求規(guī)模將達(dá)到約400億個。這一規(guī)模相當(dāng)于2008年的11倍左右。支持需求增長的產(chǎn)品是個人電腦用SSD(固態(tài)硬盤)。不過，SSD市場要到2
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20nm之后將采取三維層疊技術(shù)

  • 　　在今后的2年～3年內(nèi)，NAND閃存的集成度仍將保持目前的發(fā)展速度。具體來說，到2011年～2012年，通過采用2Xnm的制造工藝與3位/單元～4位/單元的多值技術(shù)，NAND閃存很有可能實(shí)現(xiàn)128Gb的容量。 　　但是，如果要實(shí)現(xiàn)超過128Gb的更大容量，恐怕就需要全新的技術(shù)。目前正在量產(chǎn)的NAND閃存通常都使用浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。許多工程師也認(rèn)為，2011年～2012年將量產(chǎn)的2Xnm工藝及其后的20nm工藝仍可采用現(xiàn)有的浮柵結(jié)構(gòu)的存儲單元。但據(jù)SanDisk公司分析，當(dāng)工藝發(fā)展到20nm以下時，從
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美光：TMC模式不會成功

  • 　　隨著TMC股東和班底逐漸浮上臺面，美光(Micron)和臺塑集團(tuán)將加速送出整合計畫書，美光在臺代表暨華亞科執(zhí)行副總勒松言(Michael Sadler)表示，TMC模式不會成功，即使成功亦不會解決臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)問題，但臺系DRAM廠并不會步上奇夢達(dá)(Qimonda)后塵，因?yàn)榕_灣12寸廠產(chǎn)能相當(dāng)吸引人，不會像奇夢達(dá)倒了都還找不到買主，而美光在臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)布局策略，除華亞科之外，亦將尋求與其它DRAM廠合資(JV)機(jī)會。 　　現(xiàn)階段TMC還未有產(chǎn)能奧援，初期定位以利基型存儲器公司作出發(fā)，采取爾必
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三星計劃升級美國內(nèi)存芯片工廠 裁員500人

  • 　　三星電子正計劃對美國德克薩斯州奧斯汀的一處內(nèi)存芯片工廠進(jìn)行升級改造，這一過程中將裁員500人。 　　三星奧斯汀半導(dǎo)體公司將投資5億美元將對該工廠進(jìn)行改造。該工廠將于10月份關(guān)閉，改造工作將于2009年末至2010年初開始。 　　今年早些時候，三星奧斯汀半導(dǎo)體公司在三星電子的大規(guī)模重組中裁員20人。該公司在當(dāng)?shù)負(fù)碛袃杉夜S，分別生產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片。
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智能手機(jī)微型投影機(jī)初露鋒芒，NAND閃存繁榮依舊

  • 　　手機(jī)及其它移動電子設(shè)備微型投影機(jī)發(fā)展驚人 　　據(jù) iSuppli 公司，由于能夠克服移動電子設(shè)備顯示屏尺寸的限制，嵌入到智能手機(jī)等產(chǎn)品中的微型投影機(jī)的出貨量未來四年將增長約 60 倍。 　　到 2013 年，內(nèi)嵌式微型投影機(jī)的出貨量將從今年的 5 萬部升至超過 300 萬部。附圖為 iSuppli公司對內(nèi)嵌式微型投影機(jī)全球出貨量的預(yù)測。 　　iSuppli 對微型投影機(jī)的定義是：重量小于 2 磅 (約 0.9 公斤)、體積小于 60 立方英寸(約 983 立方厘米)、無需電池組的正投影機(jī)。雖然微
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NAND閃存產(chǎn)業(yè)走到十字路口

  • 　　NAND閃存產(chǎn)業(yè)正處在十字路口。SanDisk CEO Eli Harari稱未來的產(chǎn)能需要和產(chǎn)品需求“失去了關(guān)聯(lián)”。NAND閃存糟糕的產(chǎn)業(yè)模式使廠商對建新廠失去興趣。 　　積極地來看，Harari稱2013年NAND閃存位需求將達(dá)10萬petabyte(PB，1 peta=100萬Giga)，而現(xiàn)在為7000PB。當(dāng)前和未來的NAND閃存需求讓將爆炸性增長，其中包括最有潛力的市場驅(qū)動力——嵌入式移動應(yīng)用市場。 　　Harari在閃存峰會的主題演講中
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英特爾美光聯(lián)合推出34納米閃存芯片

  • 　　英特爾和美光科技周二發(fā)布了用于閃存卡和優(yōu)盤的高數(shù)據(jù)容量閃存技術(shù)。這兩家公司稱，他們已經(jīng)開發(fā)出了基于34納米技術(shù)的NAND閃存芯片，存儲容量為每個儲存單元3比特。這個存儲密度高于目前標(biāo)準(zhǔn)的每個存儲單元2比特的技術(shù)，從而將實(shí)現(xiàn)高容量的優(yōu)盤。 　　美光NAND閃存營銷經(jīng)理Kevin Kilbuck說，雖然在一個存儲單元加入更多比特的數(shù)據(jù)能夠提供更大的數(shù)據(jù)密度，但是，這種做法沒有基于更標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)的閃存那樣可靠。因此，每個儲存單元3比特的芯片最初將僅限于應(yīng)用到優(yōu)盤。優(yōu)盤沒有要求固態(tài)硬盤的那種數(shù)據(jù)存儲可靠性。固
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臺灣媒體：奇夢達(dá)資產(chǎn)拍賣 大陸撿便宜

  • 　　曾經(jīng)是歐洲最大內(nèi)存廠的奇夢達(dá)進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段，而此舉剛好給了大陸切入內(nèi)存產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域的大好時機(jī)!浪潮集團(tuán)將于8月中收購奇夢達(dá)西安研發(fā)中心，至于蘇州封測也傳出將由華潤集團(tuán)接手，而這些收購公司背后都有國資背景，顯見在官方撐腰并下指導(dǎo)棋的情況下，大陸內(nèi)存產(chǎn)業(yè)鏈終于完備。 　　德國內(nèi)存龍頭廠奇夢達(dá)確定遭到市場淘汰，并已正式進(jìn)入資產(chǎn)拍賣階段。目前奇夢達(dá)的資產(chǎn)包括6大研發(fā)中心、美國的弗吉尼亞與德國的德勒斯登12吋晶圓廠，以及大陸、葡萄牙、馬來西亞的后段封測廠。至于奇夢達(dá)在大陸的基地，只有西安的研發(fā)中心與蘇州的內(nèi)存后
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日本半導(dǎo)體和液晶生產(chǎn)復(fù)蘇 廠家暑期加班應(yīng)對

  • 　　據(jù)日本媒體報道，日本近期半導(dǎo)體和液晶面板的生產(chǎn)水平得到回升，大型電器生產(chǎn)廠家紛紛決定利用暑期休假時間加班加點(diǎn)進(jìn)行生產(chǎn)。由于環(huán)保積分制度促進(jìn)數(shù)碼家電銷量增長等因素，市場需求得到恢復(fù)，庫存調(diào)整也取得進(jìn)展。生產(chǎn)水平的回升一旦上了軌道，這些企業(yè)的業(yè)績有望得到好轉(zhuǎn)，也可能為日本國內(nèi)經(jīng)濟(jì)帶來一股活力。 　　在液晶生產(chǎn)領(lǐng)域擁有主導(dǎo)權(quán)的夏普公司旗下龜山第二工廠的液晶面板生產(chǎn)線暑期照常開工。該工廠從8月起將液晶面板產(chǎn)能提高約10%，在建中的堺市新工廠也將于10月起按預(yù)定計劃開工。 　　東芝公司旗下生產(chǎn)用于手機(jī)等的&
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基于FPGA的高速大容量FLASH存儲

  • 基于FPGA的高速大容量FLASH存儲,1、引言
    數(shù)字電路應(yīng)用越來越廣泛，傳統(tǒng)通用的數(shù)字集成芯片已經(jīng)難以滿足系統(tǒng)的功能要求，隨著系統(tǒng)復(fù)雜程度的提高，所需通用集成電路的數(shù)量呈爆炸性增值，使得電路的體積膨大，可靠性難以保證 [1]。因而出現(xiàn)了現(xiàn)場可編
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R8C/1B單片機(jī)的Flash編程/擦除掛起功能

  • 　　Flash存儲器已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。但是在對Flash進(jìn)行編程或擦除的操作過程中，如果單片機(jī)需要處理一些緊急的情況(如中斷、數(shù)據(jù)存儲等等)，就需要暫停相對比較消耗時間的Flash編程/擦寫過程，優(yōu)先處理這些緊急情況。這對Flash存儲器的工藝水平及控制技術(shù)提出了更高的要求。 　　瑞薩公司推出的R8C/1B單片機(jī)采用改進(jìn)的Flash存儲器工藝，大大縮短了編程/擦除掛起的時間，使其能夠更加及時地響應(yīng)中斷或進(jìn)行其他操作。 　　Flash編程/擦除掛起功能 　　所謂掛起功能，是
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