臺美日DRAM廠連手 抗韓策略發(fā)酵

　　兩大韓系內(nèi)存廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)紛傳出將大幅調(diào)高2010年資本支出，繼三星預(yù)計(jì)投入30億美元擴(kuò)產(chǎn)及制程微縮后，海力士2010年資本支出亦將倍增至20億美元，使得爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)加緊腳步與臺系DRAM廠合作，盡管過去喊出的臺美日廠連手抗韓策略，在DRAM整合戲碼停擺后沒再被提起，但DRAM廠指出，實(shí)際上全球4大DRAM陣營板塊運(yùn)動，仍按照臺美日廠連手抗韓局勢發(fā)展。

　　隨著三星和海力士都擴(kuò)增2010年資本支出，隱約釋出對2010年DRAM和NAND Flash產(chǎn)業(yè)樂觀看法，以2010年三星30億美元資本支出為例，雖然還未回到2007、2008年逾40億美元資本支出水平，但已較2009年大幅成長;目前三星單月12吋晶圓DRAM芯片產(chǎn)出超過30萬片。

　　海力士2010年資本支出約20億美元，與2009年相比成長超過1倍，其中，13億美元花在DRAM芯片，7億美元花在NAND Flash芯片。海力士2009年與臺廠茂德緣分告終，但并未影響DRAM擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度，目前海力士單月12吋晶圓DRAM芯片產(chǎn)出超過20萬片，2010年將致力往40納米制程發(fā)展。

　　2008年底DRAM產(chǎn)業(yè)整合定調(diào)為臺美日廠聯(lián)盟，連手對抗韓廠，在這樣氛圍下使得海力士退出臺DRAM產(chǎn)業(yè)，茂德轉(zhuǎn)向與日系陣營合作，臺DRAM產(chǎn)業(yè)整合雖破局，但臺美、臺日陣營聯(lián)盟抗韓效應(yīng)，卻仍發(fā)酵中。

　　內(nèi)存業(yè)者認(rèn)為，面對韓系大軍調(diào)高資本支出，爾必達(dá)2009年資本支出為5億美元，2010年暫訂6億美元，表面上增加支出金額相當(dāng)小，但實(shí)際上大部分支出都轉(zhuǎn)嫁至臺廠，包括力晶、瑞晶、茂德、華邦電等，尤其是子公司瑞晶2010年資本支出高達(dá)4億美元，會是臺日聯(lián)盟主要基地。

　　在臺美陣營方面，美光雖然沒有獲得臺灣當(dāng)局金援，但自身募資成功，加上合作伙伴南亞科和子公司華亞科2009年連番募資成功，2010年大量轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程，亦將成功穩(wěn)固臺美陣營實(shí)力。

　　整體來看，原本全球DRAM產(chǎn)業(yè)有5大陣營，2009年奇夢達(dá)(Qimonda)遭洗牌出局后，海力士亦被洗出臺灣市場，未來全球4大陣營也1分為2，由臺美日廠對抗韓廠，其中，日廠爾必達(dá)和美系美光在全球DRAM產(chǎn)業(yè)三哥寶座競爭激烈，臺廠產(chǎn)能將牽動未來全球DRAM市占版圖。