?晶圓代工 文章 進入?晶圓代工技術(shù)社區(qū)
晶圓代工競逐高階制程 設(shè)備大廠受惠
- 晶圓代工搶攻高階制程市占率,積極擴充產(chǎn)能,臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購設(shè)備,帶動半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)再現(xiàn)產(chǎn)業(yè)循環(huán)高峰,包括應(yīng)用材料(Applied Materials)、艾斯摩爾(ASML)等接單暢旺,不僅走出2009年金融海嘯虧損陰霾,2010年營收亦可望創(chuàng)佳績。 根據(jù)市場機構(gòu)估計,到 2011年第4季時,臺積電、 Global Foundries與三星的45奈米以下制程產(chǎn)能總和的年增率可大幅成長約3倍。光是
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ASML整合微影方案獲意法采用
- 受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進制程,對浸潤式顯影機臺需求大增,讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺,隨著半導(dǎo)體制程推進5x奈米以下先進制程,制程復(fù)雜度大增,亦需加緊提高量良率,讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品,已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。 ASML指出,隨著半導(dǎo)體制程推進到50x奈米以下制程,業(yè)者投入的經(jīng)費越來越高昂,生產(chǎn)時程亦拉得更長,良率更難提升,制程容許度(p
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GlobalFoundries投入EUV技術(shù) 4年后量產(chǎn)
- 繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后,全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布,投入EUV微影技術(shù),預(yù)計于2012年下半將機臺導(dǎo)入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8),將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù),讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米,不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源,走到22奈米已
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臺積電資本支出將超越英特爾
- 臺積電董事長張忠謀看好半導(dǎo)體市場景氣持續(xù)復(fù)蘇,決定加大12吋廠擴產(chǎn)力道,包括竹科Fab12第5期第4季投產(chǎn),南科Fab14明年上半年投產(chǎn),及中科 Fab15加速建廠等。設(shè)備商預(yù)估,臺積電應(yīng)會在月底法說會中再度上修今年資本支出,以目前投資力道來看,有機會上看55億美元。若果達此水平,則將超越英特爾日前修正后的52億美元目標(biāo)。 臺積電原本預(yù)期今年資本支出達48億美元,但今年以來12吋廠高階制程產(chǎn)能一直供不應(yīng)求,下半年雖然法人及分析師認(rèn)為景氣復(fù)蘇力道將趨緩,不過臺積電第3季先進制程接單仍然滿載,第4季
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TSMC超大型12英寸晶圓廠動土 2012年投產(chǎn)
- TSMC于16日在中國臺灣臺中科學(xué)園區(qū)舉行第三座十二吋超大型晶圓廠(GIGAFABTM)--晶圓十五廠動土典禮,為TSMC“擴大投資臺灣”的承諾寫下另一個重要的里程碑。 動土典禮由TSMC張忠謀董事長兼總執(zhí)行長主持。張忠謀董事長表示,科學(xué)園區(qū)在臺灣高科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展過程中,扮演關(guān)鍵的角色,也是TSMC之所以能夠“立足臺灣、放眼全球、在全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)光”的重要支持。過去二十幾年來,TSMC陸續(xù)在竹科及南科茁壯成長,如今位于中科的晶圓十五廠開始動土興建,
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X-FAB公布首款0.35微米100V高壓純晶圓代工廠技術(shù)
- X-FAB Silicon Foundries,業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術(shù)的專家,今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設(shè)備,以及用于使用壓電驅(qū)動器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外,X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管,對于達到100V的多運作電壓,導(dǎo)通電阻可降低45%,晶片的占位能夠降低40%,從而降低了晶
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臺積電將建月產(chǎn)能10萬片芯片廠
- 臺積電位于臺中科學(xué)園區(qū)的12寸廠本周五(16日)舉行動土典禮,將由董事長張忠謀親自主持。這座簡稱為“15廠”的12吋廠,將朝月產(chǎn)能10萬片的超大晶圓廠發(fā)展,為臺積電營運增加增長動能,持續(xù)在全球芯片工產(chǎn)業(yè)拓大市占率。 臺積電董事長張忠謀在今年初說明會中首度對外透露將在中科內(nèi)建全新的12寸芯片廠,并預(yù)計今年中動土,因此臺積電選在16日對外舉行動土典禮。因動土典禮將由張忠謀親自主持,預(yù)期他將對外說明臺積電對15個廠的整體投資金額,具體的量產(chǎn)時程以及發(fā)展重點。 臺積電規(guī)劃,
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臺積電第三間12英寸工廠Fab15本月16日舉行動工儀式
- 臺積電最近對外發(fā)放了一批動工儀式邀請函,邀請函稱該公司定于本月16日在臺灣臺中科技園區(qū)將舉辦其Fab15工廠的破土動工儀式。據(jù)臺積電CEO張忠謀 今年4月份透露,臺積電Fab15工廠建成的初期將采用適合于40nm制程的規(guī)格進行布置,不過未來這間工廠將負(fù)責(zé)為臺積電開發(fā)28nm及更高級別的制程 技術(shù)。 除了興建Fab15工廠之外,臺積電同時還在積極發(fā)展其現(xiàn)有兩家12英寸工廠的制程技術(shù)。今年第三季度,臺積電Fab12工廠第五期擴建工程將正式投入生產(chǎn)使用;而Fab14工廠的第四期擴建工程也將于今年年底前
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臺灣晶圓代工西進放行 兩岸半導(dǎo)體業(yè)巨變
- 臺灣“經(jīng)濟部”對晶圓代工西進首度松綁,投審會日前通過臺積電參股大陸晶圓廠中芯一案,為政府放行半導(dǎo)體西進的首例,雖然臺積電并無參與直接經(jīng)營的計劃,不過等于已牽制住未來中芯的策略布局,同時對聯(lián)電來說,有了臺積電的先例,未來合并和艦只是時間早晚的問題。晶圓代工西進腳步往前跨進一大步,牽動的將是未來兩岸的半導(dǎo)體市場版圖。 2009年臺積電向“經(jīng)濟部”提出申請參股中芯,原本市場認(rèn)為投審會通過的機率不大,不過在臺積電保證將維持制程技術(shù)兩個世代領(lǐng)先,并加速28納
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芯片缺貨無解 交期拖到20周
- 歐盟主權(quán)債信問題未獲解決,歐美日等先進國家失業(yè)率仍居高不下,在手機廠及筆電廠陸續(xù)傳出下修出貨量消息后,法人圈對半導(dǎo)體市場景氣已由樂觀轉(zhuǎn)趨悲觀。不過,根據(jù)市調(diào)機構(gòu)iSuppli及通路商表示,部份模擬及電源管理IC、數(shù)字邏輯芯片、內(nèi)存等供給仍吃緊,除了價格持續(xù)調(diào)漲,第2季末交期已拉長到 18至20周,第3季零組件缺貨陰霾仍然存在。 由于市場上半導(dǎo)體產(chǎn)能調(diào)配不均,且部份大型IDM廠在金融海嘯后關(guān)閉自有6吋或8吋廠后,至今仍沒有打算重啟運作,在景氣處于復(fù)蘇狀態(tài)的此時,因為晶圓代工廠及封測廠的新增產(chǎn)能無法
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臺灣晶圓代工西進放行 兩岸半導(dǎo)體業(yè)巨變
- 臺灣“經(jīng)濟部”對晶圓代工西進首度松綁,投審會日前通過臺積電參股大陸晶圓廠中芯一案,為政府放行半導(dǎo)體西進的首例,雖然臺積電并無參與直接經(jīng)營的計劃,不過等于已牽制住未來中芯的策略布局,同時對聯(lián)電來說,有了臺積電的先例,未來合并和艦只是時間早晚的問題。晶圓代工西進腳步往前跨進一大步,牽動的將是未來兩岸的半導(dǎo)體市場版圖。 2009年臺積電向“經(jīng)濟部”提出申請參股中芯,原本市場認(rèn)為投審會通過的機率不大,不過在臺積電保證將維持制程技術(shù)兩個世代領(lǐng)先,并加速28納
- 關(guān)鍵字: 臺積電 晶圓代工 IC設(shè)計
今年純晶圓代工產(chǎn)業(yè)營業(yè)收入將比去年增長42.3%

- 由于消費產(chǎn)品需求回升,iSuppli公司把2010年純晶圓代工廠商的營業(yè)收入增長率預(yù)測上調(diào)了2.8個百分點。 iSuppli公司預(yù)測,2010年前三個季度晶圓代工廠商將在滿足客戶需求方面面臨壓力。這種壓力正在推動營業(yè)收入增長。繼2008年第四季度和2009年全年急劇下滑之后,消費者支出已經(jīng)在強力回升。 因此,iSuppli公司已把2010年總體營業(yè)收入預(yù)測調(diào)高到298億美元,比2009年的221億美元增長42.3%。iSuppli公司先前預(yù)測今年營業(yè)收入增長39.5%。 到2014年
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