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三星首款24Gbps GDDR6顯存 賦能下一代高端顯卡

  • 先進(jìn)存儲半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一三星電子今天宣布，三星首款具有24Gbps處理速度的16Gb GDDR6（第六代圖形用雙倍數(shù)據(jù)傳輸率存儲）顯存已開始出貨。該款新顯存采用三星第三代10納米級（1z）*工藝和極紫外光（EUV）技術(shù)，旨在顯著提升下一代顯卡（視頻圖形陣列）、筆記本電腦、游戲機(jī)以及基于人工智能的應(yīng)用和高性能計算（HPC）系統(tǒng)的圖形性能。三星半導(dǎo)體24Gbps GDDR6顯存三星電子存儲器產(chǎn)品企劃團(tuán)隊執(zhí)行副總裁Daniel Lee表示："如今AI和元宇宙帶來的數(shù)據(jù)量激增，推動高性能圖形處理需
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三星印度計劃今年賣出10億美元Galaxy M手機(jī)

  • IT之家 7 月 14 日消息，三星的 Galaxy M 系列覆蓋了三星一些便宜的 Android 手機(jī)。這些手機(jī)最初僅在印度地區(qū)提供。此后，三星公司還將面向全球其他市場發(fā)布 Galaxy M 系列新手機(jī)。三星今天在印度推出了 Galaxy M13 和 Galaxy M13 5G 手機(jī)。一位三星高級官員表示，三星計劃今年在印度銷售出價值 10 億美元（約 67.2 億元人民幣）的 Galaxy M 手機(jī)。三星印度高級總監(jiān)兼產(chǎn)品營銷主管 Aditya Babbar 表示，三星的目標(biāo)是在 2022 年銷售出價
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具有24Gbps處理速度 三星16Gb GDDR6顯存正式開始出貨

  • 三星電子今日官宣旗下首款具有24Gbps處理速度的16Gb GDDR6顯存已經(jīng)正式開始出貨。這款三星目前最快的GDDR6顯存采用了其第三代10納米級（1z）工藝和極紫外光（EUV）技術(shù)，能夠顯著提升下一代顯卡、筆記本電腦、游戲機(jī)等設(shè)備的圖形性能。而且，其還采用新的電路設(shè)計，通過引入絕緣材料（高K金屬柵極）盡可能減少電流泄漏當(dāng)該顯存被集成在高端顯卡中后，理論上能夠在一秒內(nèi)傳輸高達(dá)1.1TB的數(shù)據(jù)，約等于275部全高清電影。此外，這款GDDR6顯存還搭載動態(tài)電壓開關(guān)（DVS）技術(shù)，能夠根據(jù)性能要求調(diào)整工作電壓
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英特爾正從三星和臺積電招募高管及資深員工，提高其代工競爭力

  • IT之家7 月 13 日消息，據(jù) The Register 報道，為了建立能夠與三星和臺積電抗衡的晶圓代工業(yè)務(wù)，英特爾正積極從三星和臺積電等競爭對手中聘請高管和資深員工。據(jù)領(lǐng)英資料顯示，Suk Lee 目前在英特爾代工業(yè)務(wù)中擔(dān)任生態(tài)系統(tǒng)技術(shù)辦公室的副總裁，在此之前，其在臺積電工作了 13 年，最后的頭銜是設(shè)計基礎(chǔ)設(shè)施管理部門副總裁。Michael Chang 在英特爾代工業(yè)務(wù)中擔(dān)任客戶支持副總裁，此前在臺積電工作了 31 年，最后的頭銜是先進(jìn)技術(shù)解決方案總監(jiān)。去年 6 月，英特爾首次高調(diào)聘用外部人員 Ho
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中國廠商成3nm“小白鼠”：三星自家芯片兩年后才用

  • 6月30日，三星代工廠和半導(dǎo)體研發(fā)中心的職員齊聚一堂，慶祝公司成為世界首家大規(guī)模投產(chǎn)3nm芯片的半導(dǎo)體企業(yè)。雖然三星上馬的是取代FinFET的革命性GAA晶體管，雖然三星把3nm看得無比重要，可BK的報道稱，三星3nm的首家客戶居然是來自中國的一家名為PanSemi（上海磐矽半導(dǎo)體技術(shù)有限公司）的礦機(jī)芯片企業(yè)。考慮到當(dāng)前虛擬貨幣慘淡的行情，這筆訂單的量級肯定不會大到哪兒去，對于檢驗(yàn)3nm GAA的成色也不具備充分說服力。另一個有趣的細(xì)節(jié)是，報道稱，三星自家芯片準(zhǔn)備在2024年才用3nm，而且是第二代，這就
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3nm彎道超車臺積電之后 三星2nm工藝蓄勢待發(fā)：3年后量產(chǎn)

  • 在6月最后一天，三星宣布3nm工藝正式量產(chǎn)，這一次三星終于領(lǐng)先臺積電率先量產(chǎn)新一代工藝，而且是彎道超車，后者的3nm今年下半年才會量產(chǎn)。根據(jù)三星官方介紹，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，新開發(fā)的3nm GAE工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能。第二代的3nm GAP工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。再往后呢？三星也有了計劃，3nm GAP工藝之后就會迎
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難道是新款麒麟？三星透露3nm芯片新消息，信息量頗大

  • 在芯片企業(yè)中，華為海思還是頂流的存在，可以說，華為海思自研的麒麟系列芯片能夠與高通驍龍8系列、蘋果A系列并駕齊驅(qū)。甚至可以說，海思麒麟芯片還領(lǐng)先于蘋果、高通，因?yàn)槭卓?nm 5G Soc就是華為海思推出的，NPU也是華為率先用在處理器中，蘋果、高通紛紛效仿。然而，誰也沒有想到的是，美多次修改芯片等規(guī)則，導(dǎo)致臺積電等企業(yè)不能自由出貨，原因是臺積電等在芯片生產(chǎn)制造過程中也使用了相關(guān)美技術(shù)。在這樣的情況，臺積電等積極爭取自由出貨許可，還不斷加速發(fā)展先進(jìn)技術(shù)，目的就是盡可能地降低對美技術(shù)的依賴，從而實(shí)現(xiàn)自由出貨。
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2年來首次！內(nèi)存價格已跌10% 三星的噩夢開始了

  • 　　2022年下半年剛開始，全球芯片市場的風(fēng)向就變了，持續(xù)了兩年的產(chǎn)能緊張、缺貨漲價變成了庫存擠壓、價格下滑，其中內(nèi)存價格2年來首次下滑，三星是全球第一大存儲芯片供應(yīng)商，跌價的噩夢開始了?！　?jù)行業(yè)調(diào)研公司集邦科技的報告，今年二季度，主要存儲芯片DRAM內(nèi)存的平均合同價格同比下跌10.6%，為2年來首降，另一種存儲芯片NAND價格也沒好到哪里去，價格也在波動中。　　不僅二季度跌，目前的三季度中情況還會更壞，集邦科技預(yù)測內(nèi)存平均合同價格將環(huán)比下跌21%，NAND閃存的環(huán)比價格跌幅則在12%?！　≡诖酥?，另
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三星公布第二季度業(yè)績預(yù)期：運(yùn)營利潤107億美元

  • 網(wǎng)易科技報道7月7日消息，全球最大的存儲芯片和智能手機(jī)制造商三星電子公司周四公布了2022年第二季度初步業(yè)績。該公司預(yù)計，在芯片需求強(qiáng)勁的支撐下，該公司可能公布四年來最好的第二季度業(yè)績。在業(yè)績指引中，三星估計其第二季度運(yùn)營利潤為14萬億韓元（約合107.3億美元），比去年同期增長11.38%，但低于分析師平均預(yù)期的14.45萬億韓元（約合115.6億美元）。不過，這將是三星2018年以來錄得的第二季度最高運(yùn)營利潤是去年同期的12.57萬億韓元（約合100.6億美元）。三星還在簡短的初步業(yè)績報告中說，該公司
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取代OLED！三星大規(guī)模量產(chǎn)新一代屏幕QD-OLED：燒屏問題未解決 壽命延長

  • 　　QD-OLED被譽(yù)為支持下一代電視畫質(zhì)的技術(shù)，很顯然三星也在不遺余力的推進(jìn)。　　據(jù)TheElec報道，三星顯示已開始開發(fā)更薄的量子點(diǎn)(QD)-OLED面板。按照Samsung Display總裁Choi Joo-sun的說法，其已將其基于量子點(diǎn)（QD）的有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）面板的良率提升至85%?！　?022上半年，三星顯示器的中小尺寸面板銷量也迎來了10%的同比增長、并創(chuàng)下了歷史新高?！　”M管2022上半年的智能手機(jī)需求因受到通脹壓力而減弱，但三星顯示器公司在中小尺寸面板市場還是取得了相當(dāng)亮眼
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三星GAA架構(gòu)3納米領(lǐng)先量產(chǎn)

  • 韓國三星電子6月30日正式宣布新一代環(huán)繞閘極晶體管（GAA）架構(gòu)的3nm制程進(jìn)入量產(chǎn)階段，號稱是全球第一家3nm進(jìn)入生產(chǎn)的晶圓代工廠，不過市場預(yù)期三星的產(chǎn)能規(guī)模仍無法追上競爭對手臺積電。臺積電仍維持3奈米下半年進(jìn)入量產(chǎn)預(yù)期，業(yè)界推估第四季投片規(guī)模可望超過1萬片，包括高通、蘋果、英特爾等都是主要客戶。三星宣布開始量產(chǎn)GAA架構(gòu)3nm制程，但未公布首發(fā)客戶及產(chǎn)能規(guī)劃，外電報導(dǎo)客戶包括中國虛擬貨幣挖礦機(jī)芯片廠上海盤硅半導(dǎo)體及手機(jī)芯片大廠高通，但高通會視情況進(jìn)行投片。三星指出，3nm采用多橋通道場效晶體管（MBC
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三星3nm工藝搶先量產(chǎn) 專家表態(tài)：趕鴨子上架、沒人用的

  • 一如之前預(yù)告的那樣，三星在今天正式宣布了3nm工藝量產(chǎn)，這意味著三星在新一代工藝上搶先了臺積電量產(chǎn)，并且首次量產(chǎn)GAA晶體管工藝，技術(shù)上也是全面壓制了臺積電，后者要到2nm節(jié)點(diǎn)才會用上GAA工藝。根據(jù)三星所說，在3nm芯片上，其放棄了之前的FinFET架構(gòu)，采用了新的GAA晶體管架構(gòu)，大幅改善了芯片的功耗表現(xiàn)。與5nm相比，第一代3nm工藝能夠降低45%的功耗，減少16%的面積，并同時提升23%的性能，第二代的3nm工藝可以降低50%的功耗，提升30%的性能，同時面積減少35%，效果更好。對于三星搶先量產(chǎn)
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三星公布3納米GAA架構(gòu)制程技術(shù)芯片開始生產(chǎn)

  • 2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡稱 GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%三星電子首次實(shí)現(xiàn)GAA"多橋-通道場效應(yīng)晶體管"（簡稱: MBCFETTM  Multi-Bridge-Channel FET）應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過降低工作電壓水平來提高
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三星即將量產(chǎn)3nm工藝 功耗比大降50%

  • 芯研所6月29日消息，據(jù)韓國媒體報道稱，三星將在未來幾天宣布開始批量制造，在生產(chǎn)世界上最先進(jìn)的芯片的過程中擊敗競爭對手臺積電。在此之前這家韓國科技巨頭在向更小的工藝節(jié)點(diǎn)轉(zhuǎn)移時出現(xiàn)了很多產(chǎn)量問題，以至于影響了它的一些最大客戶的業(yè)務(wù)，如高通公司，該公司現(xiàn)在正考慮將臺積電用于未來的移動芯片。NVIDIA在處理了Ampere GPU的良品率問題和相對較低的能源效率后，正為其下一代產(chǎn)品選擇臺積電，這些GPU原本是在三星的8nm工藝節(jié)點(diǎn)上制造的。來自韓國當(dāng)?shù)孛襟w的報道顯示，三星正準(zhǔn)備宣布開始3納米的批量制造，可能最快
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三星量產(chǎn)89吋Micro LED 友達(dá)、镎創(chuàng)搶進(jìn)供應(yīng)鏈

  • 韓國媒體The Elec報導(dǎo)，三星將于第三季生產(chǎn)89吋Micro LED電視，售價將突破1億韓元（折合新臺幣約230萬元、8萬美元），友達(dá)、镎創(chuàng)將分別供應(yīng)LTPS TFT基板、LED芯片，該款電視雖因新冠肺炎疫情及良率問題而延后，但三星今年仍計劃推出三款Micro LED電視，包括89吋、101吋、114吋。三星為镎創(chuàng)第一大股東暨第一大客戶，持有股權(quán)占增資前股本逾20％，營收占比達(dá)60％以上，镎創(chuàng)及子公司擁有巨量轉(zhuǎn)移、巨量修補(bǔ)、巨量檢測等相關(guān)技術(shù)，為全球首家量產(chǎn)Micro LED業(yè)者，2014年成立以來積
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