海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈

　　韓國半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益，破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。

　　據(jù)業(yè)界預(yù)測，2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士，2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈，落在2,000億韓元左右，接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模，而在2007年第3季以后，三星已連續(xù)7季營運呈現(xiàn)虧損。

　　分析指出，海力士營運改善的原動力在于，相較于DRAM價格上揚，倒不如說海力士從量產(chǎn)50納米DRAM競爭中脫穎而出。自2008年第2季開始以50納米量產(chǎn)DRAM，核心制程并從2009年第1季開始由現(xiàn)有60納米轉(zhuǎn)為50納米。

　　反觀美商美光(Micron)、日商爾必達(Elpida)雖成功開發(fā)50納米制程，但在制造過程中，確定量產(chǎn)宣告失敗，停滯在60納米階段。在混沌不明的半導(dǎo)體現(xiàn)況中，DDR3 DRAM供應(yīng)不足現(xiàn)象也肇因于美光和爾必達50納米DRAM量產(chǎn)能力不足所致。

　　海力士50納米進入量產(chǎn)伴隨2009年DRAM價格上漲，是讓海力士在2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈的原因。50納米制程產(chǎn)量比60納米高出40%以上，加上2009年第3季DRAM平均銷售價格(ASP)較2009年第2季上漲逾20%，是海力士營運改善的關(guān)鍵。