Ramtron推出FM14C88 F-RAM并口儲(chǔ)存器

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存儲(chǔ)器FM14C88，適合RAID(磁碟陣列)存儲(chǔ)服務(wù)器及主機(jī)總線適配卡 (HBA card) 等應(yīng)用。

　　與nvSRAM相比，FM14C88的讀寫速度更快, 工作電壓更低。FM14C88 的容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)300mil寬度的32腳SOIC封裝，具有高速訪問、無延遲(NoDelay™) 寫入、幾乎無限的讀寫次數(shù)及低功耗等特點(diǎn)，是取代BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)等存儲(chǔ)器的理想方案。

　　Ramtron市場拓展經(jīng)理李鴻鈞稱：“FM14C88的引腳和功能與CY14B256L和 STK14C88-3 等nvSRAM兼容，具有實(shí)時(shí)非易失性寫入和快速上電運(yùn)作等優(yōu)勢，不像nvSRAM需要大電容或BBSRAM需要電池來支持?jǐn)嚯姇r(shí)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。對比BBSRAM和nvSRAM等方案, FM14C88更能節(jié)省成本和基板空間，簡化生產(chǎn)，提高產(chǎn)品的可靠性。”

　　關(guān)于FM14C88

　　FM14C88 是配置為 32K x 8 的標(biāo)準(zhǔn)并口非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)，讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似，能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)，并提供超過635年(55℃) 的數(shù)據(jù)保存能力，消除BBSRAM (電池供電的SRAM) 或非易失性SRAM (nvSRAM)方案中電池，電容的不可靠性、高成本和設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問題。F-RAM具有寫入速度快，幾乎無限的讀寫次數(shù) (寫入次數(shù)大約為1014次) 等特點(diǎn)，使其成為RAID存儲(chǔ)服務(wù)器及工業(yè)自動(dòng)化等應(yīng)用的理想選擇。

　　FM14C88 在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它 SRAM 器件類似，可以用作標(biāo)準(zhǔn) SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可進(jìn)行讀寫操作。由于F-RAM存儲(chǔ)器采用獨(dú)特的鐵電存儲(chǔ)器工藝，具有非易失性的特點(diǎn)，所以非常適合需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用。FM14C88可在整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍(-40°C至 +85°C)工作。

　　FM14C88 F-RAM器件的特性包括：

• 無延遲 (NoDelay™) 寫入
• 頁面模式工作頻率高達(dá)33MHz
• 無需大型存儲(chǔ)電容器，不存在與電容相關(guān)的品質(zhì)和成本問題
• 即時(shí)進(jìn)行非易失性寫入操作
• 上電恢復(fù)時(shí)間為250 ms，比nvSRAM快100倍
• 引腳和功能與CY14B256L和STK14C88-3兼容
• 60 ns存取時(shí)間，90 ns讀寫周期時(shí)間
• 電源電壓2.0V – 3.6V
• 90 mA待機(jī)電流 (典型值)
• 7 mA工作電流 (典型值)
• 32腳“綠色”/RoHS SOIC封裝

　　FM14C88 并口存儲(chǔ)器已獲得全球著名RAID供應(yīng)商選用，其高性能、高可靠性和低成本的優(yōu)勢已獲得業(yè)界公認(rèn)。