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得可DirEKt植球技術(shù)推進微型化能力

作者: 時間:2009-08-20 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  進一步擴展高速的植球能力,已獲認可的 Ball Placement™ 工藝現(xiàn)能以300微米細距精準地置放直徑僅為200微米的焊球。憑借以高于99.99% 的首次通過良率實現(xiàn)這一精確性和精密度的能力,植球為現(xiàn)代提供必需的速度,而無需在性能方面作出任何犧牲。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/97358.htm

  與其他利用一系列方法進行植球不同,植球的并行印刷處理帶來無與倫比的可重復精度和極快循環(huán)時間,且與I/O數(shù)量完全無關(guān)。盡管這些統(tǒng)計數(shù)據(jù)可能是滿足下一代晶圓級CSP設(shè)備要求最令人印象深刻并完全保持一致的,仍然履行其承諾,繼續(xù)提高DirEKt植球能力。

  作為這個承諾的一部分,這一批量印刷引領(lǐng)者已設(shè)計了Galaxy薄晶圓系統(tǒng),該系統(tǒng)是能滿足薄晶圓加工和精密微型植球要求的高精度印刷設(shè)備。系統(tǒng)新設(shè)計的晶圓托盤,平整度小于10微米并能容納300毫米大而厚度只有75微米的晶圓,是推動植球工藝至下一代的基礎(chǔ)。

  “當我們已經(jīng)在大批量生產(chǎn)中實現(xiàn)300微米間距200微米焊球99.99% 的可重復首次通過良率,甚至更微型的焊球已經(jīng)能夠在實驗室環(huán)境下成功地進行置放,而我們正繼續(xù)開發(fā),以將工藝推向?qū)嶋H生產(chǎn)線。”得可的半導體和可替代應(yīng)用經(jīng)理David Foggie說:“我們正在積極開發(fā)100微米以下的微型植球計劃,而早期獲得的成果是極高的首次通過良率。”

  得可的DirEKt植球系統(tǒng)利用兩臺并行的印刷設(shè)備,其中第一臺系統(tǒng)使用助焊劑印刷技術(shù),在每個互聯(lián)點精密地涂敷助焊劑。而第二臺印刷機Galaxy薄晶圓系統(tǒng),配備能容納高達一億個焊球的先進封閉焊球轉(zhuǎn)移頭,接著精確地把每個焊球固定到助焊劑中。受益于Galaxy薄晶圓系統(tǒng)更好的穩(wěn)定性和安全性,得可的DirEKt植球系統(tǒng)技術(shù)能夠每小時加工多達45個晶圓。

  “高UPH微型植球顯然是推進晶圓級CSP制造的具有成本效益的方法。”Foggie說:“得可的DirEKt植球系統(tǒng)提供精度、可重復性、設(shè)備靈活性和低擁有成本,是提高這一關(guān)鍵封裝技術(shù)必需的的保證。”



關(guān)鍵詞: 得可 DirEKt 封裝制造

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