Ramtron推出V系列并口256Kb F-RAM器件

　　世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出新型V系列串口和并口F-RAM產(chǎn)品之第二款并口器件FM28V020。 FM28V020與其它V系列F-RAM一樣，具有較高的讀寫速度和較低的工作電壓，其容量為256Kb、工作電壓為2.0至3.6V，并采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)28腳SOIC封裝，具有快速訪問、無(wú)延遲(NoDelay™) 寫入、無(wú)乎無(wú)限的讀寫次數(shù)及低功耗特點(diǎn)。FM28V020可用于工業(yè)控制、儀表、醫(yī)療、汽車電子、軍事、游戲和計(jì)算機(jī)及其它應(yīng)用領(lǐng)域中，作為需電池供電的SRAM的兼容替代產(chǎn)品。

　　Ramtron市場(chǎng)拓展經(jīng)理Mike Peters稱：“FM28V020相比現(xiàn)有256Kb并口存儲(chǔ)器有多項(xiàng)性能提升，與目前廣泛使用的FM18L08比較之下，F(xiàn)M28V020具有更快的訪問速度和更短的讀寫周期，低至2V的工作電壓則容許在更低的工作電流下工作，而且頁(yè)面模式工作頻率高達(dá)40MHz，是需電池供電的SRAM或NVSRAM的簡(jiǎn)便升級(jí)產(chǎn)品。”

　　關(guān)于FM28V020

　　FM28V020是配置為32K x 8的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM)，讀寫操作與標(biāo)準(zhǔn)SRAM相似，能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)，提供超過10年的數(shù)據(jù)保存能力，可消除需電池供電的SRAM (BBSRAM) 帶來(lái)的諸如可靠性、功能缺陷和系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜性等問題。去除了系統(tǒng)中的電池可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)過程，減少系統(tǒng)維護(hù)，并且顯得更加環(huán)保。F-RAM具有的寫入速度快，幾乎無(wú)限的讀寫次數(shù)等特點(diǎn) (寫入次數(shù)大約為1014次)，使其優(yōu)于其它類型的存儲(chǔ)器。

　　FM28V020在系統(tǒng)內(nèi)的工作方式與其它RAM器件類似，可以用作標(biāo)準(zhǔn)SRAM的兼容替代器件。只需開啟芯片的使能引腳或改變地址，就可觸發(fā)讀寫操作。由于F-RAM存儲(chǔ)器采用獨(dú)特的鐵電存儲(chǔ)器工藝，具有非易失性的特點(diǎn)，所以極度適用于需要頻繁或快速寫入數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)應(yīng)用。FM28V020可在-40°C至+85°C的整個(gè)工業(yè)環(huán)境溫度范圍內(nèi)工作。

　　關(guān)于V系列F-RAM

　　Ramtron 的V系列F-RAM產(chǎn)品采用由Ramtron 和德州儀器(TI)共同開發(fā)的先進(jìn)130nm CMOS生產(chǎn)工藝制造，所實(shí)現(xiàn)的器件性能改進(jìn)包括：

　　提高存儲(chǔ)器性能： 隨著FM28V020的推出，256-Kb 并口F-RAM的存儲(chǔ)周期已從140ns降低到90ns，比Ramtron現(xiàn)有256-Kb并口 F-RAM 器件縮短64%。 SPI和 I2C 串口V系列產(chǎn)品的讀寫性能則較Ramtron現(xiàn)有串口F-RAM 產(chǎn)品提高2至3倍。

　　更低的工作電壓，更寬的電壓范圍： V系列F-RAM由于采用德州儀器130nm F-RAM制造工藝，現(xiàn)已具有設(shè)置低至2.0V工作電壓的靈活性，讓F-RAM在更多電子系統(tǒng)的固有電壓下工作。