耶魯大學與SRC公司聯(lián)合開發(fā)下一代內存芯片技術FeDRAM

　　SRC公司與耶魯大學的研究者們周二宣布發(fā)明了一種能顯著提高內存芯片性能的新技術。這項技術使用鐵電體層來替換傳統(tǒng)內存芯片中的電容結構作為基本的存儲 單元，科學家們將這種內存稱為鐵電體內存(FeDRAM),這種內存芯片的存儲單元將采用與CMOS微晶體管類似的結構，不過其門極采用鐵電體材料而不是傳統(tǒng)的電介質材料制作。

　　這種技術能使存儲單元的體積更小，信息的保存時間比傳統(tǒng)方式多1000倍左右，刷新的時間間隔可以更大，因此耗電量也更小，還可以像閃存芯片中那樣在一個存儲單元中存儲多位數(shù)據(jù)。此外，有關的制造設備也更簡單，因此從理論上說制造成本也更低。

　　目前研究者們正努力制造基于FeDRAM技術的原型產品。在SRC公司的大力支持下，據(jù)稱FeDRAM內存芯片有望在不久的將來面世，不過有關人士并沒有給出這款產品具體的面世時間。