首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 內(nèi)存芯片

美國商務(wù)部向美光科技提供 61 億美元資金,用于在該國生產(chǎn)芯片

  • 12 月 11 日消息,美國商務(wù)部周二表示,作為2022 年《芯片和科學(xué)法案》的一部分,美光科技已獲得高達(dá) 61.65 億美元(當(dāng)前約 448.07 億元人民幣)的撥款,用于在美國制造半導(dǎo)體。該機構(gòu)表示,這筆資金將支持美光的“二十年愿景”,即在紐約投資約 1000 億美元、在愛達(dá)荷州投資 250 億美元用于新工廠,并創(chuàng)造約 20,000 個新工作崗位。美國商務(wù)部還表示,美光將根據(jù)某些里程碑的完成情況逐步獲得上述資金。此外,美國商務(wù)部還宣布已與美光科技達(dá)成初步協(xié)議,將額外提供 2.75 億美元資金,用于擴建
  • 關(guān)鍵字: 美國  美光科技  生產(chǎn)芯片  半導(dǎo)體  DRAM  內(nèi)存芯片  存儲芯片  

芯片制造轉(zhuǎn)移,價格大變

  • 7 月,處在 2024 年中,不僅是上下半年的過渡期,也是整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由衰轉(zhuǎn)盛的過渡期,因為行業(yè)正在從 2023 年的低谷期向上走,根據(jù)各大市場研究機構(gòu)統(tǒng)計和預(yù)測,2024 上半年依然處于恢復(fù)期,下半年的行情會比上半年好很多。在這種情況下,處于年中過渡期的 6、7 月份,受多種因素影響,也成了多事之秋,特別是芯片制造,訂單和制造產(chǎn)線轉(zhuǎn)移輪番上演,芯片價格也隨之變化。晶圓代工轉(zhuǎn)單加劇臺積電最新財報顯示,2024 年第二季度以客戶總部所在地劃分,北美占比仍然最大,達(dá)到 65%,中國大陸市場則急速拉升至 16
  • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  

三星否認(rèn)自家 HBM 內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試,“正改善質(zhì)量”

  • 5 月 27 日消息,此前有消息稱三星電子最新的高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片尚未通過英偉達(dá)測試,有“知情人士”表示,該公司的芯片因發(fā)熱和功耗問題而受到影響。不過據(jù)韓媒Business Korea 報道,三星電子發(fā)布聲明否認(rèn)了相關(guān)報道,該公司聲稱他們正在與多家全球合作伙伴“順利進(jìn)行 HBM 芯片測試過程”,同時強調(diào)“他們正與其他商業(yè)伙伴持續(xù)合作,以確保產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性”。三星最近開始批量生產(chǎn)其第五代 HBM 芯片 ——24GB(8-Hi)/ 36GB(12-Hi)的 HBM3E 產(chǎn)品。在目前已量產(chǎn)的 H
  • 關(guān)鍵字: 三星  HBM  內(nèi)存芯片  英偉達(dá)  

消息稱三星將發(fā)布超高速32Gb DDR5內(nèi)存芯片

  • 2 月 5 日消息,據(jù)報道,三星將在即將到來的 2024 年 IEEE 國際固態(tài)電路峰會上推出多款尖端內(nèi)存產(chǎn)品。除了之前公布的 GDDR7 內(nèi)存(將在高密度內(nèi)存和接口會議上亮相),這家韓國科技巨頭還將發(fā)布一款超高速 DDR5 內(nèi)存芯片。這款大容量 32Gb DDR5 DRAM 采用 12 納米 (nm) 級工藝技術(shù)開發(fā),在相同封裝尺寸下提供兩倍于 16Gb DDR5 DRAM 的容量。雖然三星沒有提供太多關(guān)于將在峰會上發(fā)布的 DDR5 芯片的信息,但我們知道,這款 DDR5 的 I / O 速度高達(dá)每個引
  • 關(guān)鍵字: 三星  32Gb DDR5  內(nèi)存芯片  

全球芯片供應(yīng)持續(xù)過剩 三星第三季度營業(yè)利潤或下滑80%

  • 10月10日消息,因受到全球芯片供應(yīng)持續(xù)過剩的影響,三星電子的“搖錢樹”業(yè)務(wù)第三季度可能出現(xiàn)巨額虧損,營業(yè)利潤預(yù)計將較上年同期下降80%。作為全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機和電視制造商,三星電子將于周三公布第三季度初步業(yè)績。LSEG SmartEstimate對19位分析師進(jìn)行的調(diào)查顯示,在第三季度,三星電子的營業(yè)利潤可能降至2.1萬億韓元(約合15.6億美元)。相比之下,去年第四季度的營業(yè)利潤為10.85萬億韓元(約合80億美元)。三星營業(yè)利潤大幅下滑的原因是,由于內(nèi)存芯片價格未能像部分人預(yù)期的那樣迅速回
  • 關(guān)鍵字: 全球芯片  過剩  三星  內(nèi)存芯片  智能手機  電視制造商  

三星第二季度營業(yè)利潤或暴跌96% 降至14年來最低水平

  • 7月6日消息,據(jù)分析師預(yù)測,三星電子公司第二季度營業(yè)利潤可能會較上年同期下滑96%,為14年來最低水平。理由是,盡管供應(yīng)有所減少,但芯片供應(yīng)過剩仍在繼續(xù)導(dǎo)致這家科技巨頭的“搖錢樹”出現(xiàn)巨額虧損。金融研究機構(gòu)Refinitiv SmartEstimate對27位分析師進(jìn)行的一項調(diào)查顯示,作為全球最大的內(nèi)存芯片、智能手機和電視制造商,三星今年第二季度的營業(yè)利潤可能降至5550億韓元(約合4.26億美元)。如果分析師們的預(yù)測準(zhǔn)確,這將是三星自2008年第四季度以來的最低營業(yè)利潤,當(dāng)時三星電子公布了約7400億韓
  • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存芯片  智能手機  電視制造商  芯片供應(yīng)  

無需3nm工藝 全球首顆商用存內(nèi)計算SoC問世:功耗低至1毫安

  • 臺積電明年就要宣布量產(chǎn)3nm工藝,這是當(dāng)前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝,然而3nm這樣的工藝不僅成本極高,同時SRAM內(nèi)存還有無法大幅微縮的挑戰(zhàn),國產(chǎn)半導(dǎo)體芯片公司知存科技今年3月份推出了WTM2101芯片,是全球首顆商用存內(nèi)計算SoC。存內(nèi)計算是一種新型架構(gòu)的芯片,相比當(dāng)前的計算芯片采用馮諾依曼架構(gòu)不同, 存內(nèi)計算是計算與數(shù)據(jù)存儲一體,可以解決內(nèi)存墻的問題,該技術(shù)60年代就有提出,只是一直沒有商業(yè)化。知存科技的WTM2101芯片是國際首顆商用存內(nèi)計算SoC芯片,擁有高算力存內(nèi)計算核,相對于NPU、DSP
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  3nm  內(nèi)存芯片  

美光新技術(shù) 內(nèi)存芯片無需再用昂貴的EUV光刻機

  • 內(nèi)存工藝進(jìn)入20nm節(jié)點之后,廠商的命名已經(jīng)發(fā)生了變化,都被稱為10nm級內(nèi)存,但有更細(xì)節(jié)的劃分,之前是1x、1y 和 1z三代,后面是1α,1β,1γ。    在1α,1β,1γ這三代中,三星在1α上就開始用EUV光刻工藝,但是代價就是成本高。而美光前不久搶先宣布的量產(chǎn)1β內(nèi)存芯片則沒有使用EUV工藝,避免了昂貴的光刻機。    不使用EUV光刻,美光在1β內(nèi)存上使用的主要是第二代HKMG工藝、ArF浸液多重光刻等工藝,實現(xiàn)了35%的存儲密度提升,同時省電15%。
  • 關(guān)鍵字: 美光  內(nèi)存芯片  

芯片巨頭美光:成功繞過了EUV光刻技術(shù)

  •   本周美光宣布,采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機制造商、芯片平臺合作伙伴進(jìn)行驗證,并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?! ?β工藝可將能效提高約15%,存儲密度提升35%以上,單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?! ∫粋€值得關(guān)注的點是,美光稱,1β繞過了EUV(極紫外光刻)工具,而依然采用的是DUV(深紫外光刻)?! ∵@意味著相較于三星、SK海力士,美光需要更復(fù)雜的設(shè)計方案。畢竟,DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力,各公司目
  • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  內(nèi)存芯片  光刻機  EUV  

消息稱Intel欲出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù):SK海力士100億美元接手

  • 據(jù)外媒最新消息稱,Intel可能出售內(nèi)存芯片業(yè)務(wù),而接盤者是SK海力士,價格是100億美元。報道中提到,這家半導(dǎo)體巨頭將對自己進(jìn)行重新定位,遠(yuǎn)離一個具有歷史重要性、但正日益受到挑戰(zhàn)的領(lǐng)域。消息人士稱,這兩家公司正就上述交易展開討論,最快可能會在周一宣布,前提是雙方之間的談判不會在最后時刻破裂。目前尚不清楚這筆交易的細(xì)節(jié)信息,如SK海力士具體將收購什么業(yè)務(wù)等。Intel旗下內(nèi)存芯片部門生產(chǎn)NAND閃存產(chǎn)品,主要用于硬盤、拇指驅(qū)動器和相機等設(shè)備。由于閃存價格下跌的緣故,Intel一直都在考慮退出這項業(yè)務(wù)。雖然
  • 關(guān)鍵字: Intel  內(nèi)存芯片  SK海力士  

疫情刺激內(nèi)存芯片需求 三星第一季度利潤或保持不變

  • 據(jù)外媒報道,新冠病毒的全球大流行推動了在家辦公的浪潮,這種轉(zhuǎn)變勢必會提振筆記本電腦制造商以及數(shù)據(jù)中心對三星電子內(nèi)存芯片的需求。但與此同時,由于疫情削弱了消費電子產(chǎn)品的銷售,三星電子第一季度的利潤可能會保持不變。
  • 關(guān)鍵字: 疫情  內(nèi)存芯片  三星  

加州理工開發(fā)出可瞬間存儲數(shù)據(jù)的光量子內(nèi)存芯片

  •   據(jù)外媒報道,加州理工大學(xué)的研究人員們,已經(jīng)開發(fā)出了一款能夠以“光的形式”、“納米級速度”存儲量子信息的計算機芯片。這標(biāo)志著量子計算機和網(wǎng)絡(luò)的一項最新突破,在更小的設(shè)備上實現(xiàn)更快的信息處理和數(shù)據(jù)傳輸。傳統(tǒng)計算機系統(tǒng)中的內(nèi)存部件,只能將信息以“0”或“1”的形式存儲。盡管仍處于實驗階段,但量子計算機的基本原理還是一樣的,即以“量子比特”來存儲數(shù)據(jù) —— 除了&ld
  • 關(guān)鍵字: 加州理工  內(nèi)存芯片  

2013年全球半導(dǎo)體總收入3181億美元

  •   2014年4月25日市場研究機構(gòu)IHS稱,2013年的全球半導(dǎo)體收入增長了5%,其中表現(xiàn)最好的是內(nèi)存芯片產(chǎn)品。   2013年半導(dǎo)體總收入達(dá)到3181億美元,較2012年的3031億美元增長5%,有效扭轉(zhuǎn)了這個行業(yè)的發(fā)展趨勢。2012年的半導(dǎo)體收入比2011年的3106億美元減少2.4%。   規(guī)模最大的25家芯片廠商的營收總和達(dá)到2253億美元,占整個行業(yè)總收入的71%。營收最高的芯片廠商是英特爾,其2013年的營收為470億美元,對應(yīng)的市場份額為15%。   IHS的副總裁戴爾福特(Dale
  • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  內(nèi)存芯片  

內(nèi)存芯片商揚眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了

  •   7月5日消息,由于中國廉價平板、智能手機需求增長,由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn),東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運,開始收獲金錢了。   在高端產(chǎn)品領(lǐng)域,盡管市場增速沒過去那么快了,但是,這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存,也會刺激內(nèi)存銷售的增長。   兩種趨勢之下,加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資,DRAM(動態(tài)隨機訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價格已經(jīng)開始回升,在廠商面前,內(nèi)存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價能力。   I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
  • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存芯片  NAND  

內(nèi)存芯片工廠營收排名 新美光追三星

  • 臺系廠商部分,力晶(5346)營收季成長有38%,主要受益標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價格回升,加上代工業(yè)務(wù)穩(wěn)定成長,同時出售子公司瑞晶的股份,對力晶的財務(wù)狀況有明顯的挹注;南科(2408)、華亞科(3474)則拉高非標(biāo)準(zhǔn)型記憶體的產(chǎn)出量;華邦電(2344)投片的比例也逐漸轉(zhuǎn)往Flash產(chǎn)品,未來預(yù)計將持續(xù)減少DRAM投片。
  • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存芯片  
共134條 1/9 1 2 3 4 5 6 7 8 9 » ›|

內(nèi)存芯片介紹

  簡單地說:內(nèi)存之所以能存儲資料,就是因為有了這些芯片!   根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識別辦法是:   具體含義解釋:   例:SAMSUNG K4H280838B-TCB0   主要含義:   第1位——芯片功能K,代表是內(nèi)存芯片。   第2位——芯片類型4,代表DRAM。   第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明,S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細(xì) ]

熱門主題

內(nèi)存芯片    樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473