內(nèi)存芯片文章進(jìn)入內(nèi)存芯片技術(shù)社區(qū)

海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤創(chuàng)下4年來新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計(jì)劃今年償還逾1萬億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。　　海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時(shí)表示，“我們的目標(biāo)是，在進(jìn)行必要投資的同時(shí)償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬億韓元(約合62.16億美元)。” 　　更少的債務(wù)和更高的利潤有助于海力士吸引其他收購方。去年11月，曉星公司撤消了收購海力士的收購要約。分析師稱，由于PC需求增長，今年
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Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成

　　韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備，可在智能手機(jī)，平板電腦等移動(dòng)設(shè)備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產(chǎn)。　　這款內(nèi)存芯片產(chǎn)品的數(shù)據(jù)傳輸率可達(dá)1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。　　Hynix宣稱這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內(nèi)存系統(tǒng)帶寬可達(dá)4.26GB/s。另外，這
關(guān)鍵字： Hynix 44nm DDR2 內(nèi)存芯片

力晶半導(dǎo)體稱第四財(cái)季實(shí)現(xiàn)凈利潤

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，臺(tái)灣力晶半導(dǎo)體近日表示，經(jīng)過連續(xù)十個(gè)季度的虧損后，受需求反彈和芯片價(jià)格穩(wěn)步上漲的推動(dòng)，第四財(cái)政季度公司實(shí)現(xiàn)凈利潤。　　力晶半導(dǎo)體在其網(wǎng)站上發(fā)布公告稱，已有大量現(xiàn)金流入公司，這將顯著改善公司的財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)。該公司并未提供截至去年12月31日財(cái)季的凈利潤數(shù)據(jù)。　　力晶半導(dǎo)體稱，公司將通過增加DDR3芯片發(fā)貨量鞏固凈利潤成果。公司預(yù)計(jì)，到3月份DDR3芯片發(fā)貨量占其總發(fā)貨量的比重將達(dá)到75%。　　分析師們表示，DDR3芯片將成為今年個(gè)人電腦應(yīng)用的主流內(nèi)存芯片。與DDR2芯片相比，DD
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2010年4大晶圓廠各有難題待解

　　與臺(tái)積電同于1987年成立的新加坡半導(dǎo)體即將走入歷史，被全球晶圓(Global Foundries)合并之后將在亞太區(qū)以新面貌見人。同樣成立將屆23年的臺(tái)積電、新加坡特許面對著截然不同的命運(yùn)，1個(gè)是產(chǎn)業(yè)龍頭，另1個(gè)則是被資金實(shí)力雄厚的對手收購，但面對多變詭譎的產(chǎn)業(yè)前景，卻都各自面臨不同的挑戰(zhàn)與難題。　　新加坡特許被收購之后，還是4大晶圓代工廠各據(jù)山頭，分別是臺(tái)積電、聯(lián)電、全球晶圓與中芯國際，2009年是4大晶圓廠極為特殊的1年，各自發(fā)生了影響未來命運(yùn)的大事件，展望2010年未可知的將來，4大晶圓廠
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臺(tái)積電部分晶圓制品因地震而損壞，公司生產(chǎn)線已恢復(fù)正常

　　據(jù)臺(tái)積電公司周一的聲明稱，受上周臺(tái)灣地區(qū)發(fā)生6.4級地震事件的影響，臺(tái)積電公司半天內(nèi)產(chǎn)出的晶圓制品均告報(bào)廢，受到影響的晶圓制品數(shù)量大約是臺(tái)積電每天芯片產(chǎn)能的59%。臺(tái)積電并稱公司的生產(chǎn)線已經(jīng)恢復(fù)正常工作，而這次地震對臺(tái)積電所造成的財(cái)政和業(yè)務(wù)影響將“非常有限”。　　于此同時(shí)，臺(tái)積電的對手聯(lián)電公司則在一份聲明中稱公司的財(cái)政與業(yè)務(wù)并未受到這次地震的顯著影響;而內(nèi)存芯片廠商華亞，以及計(jì)算機(jī)廠商華碩公司則均聲明稱未受到此次地震事件的顯著影響。　　據(jù)路透社報(bào)道，當(dāng)?shù)貢r(shí)間上周六晚9：
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海力士2010年半導(dǎo)體生產(chǎn)開支將增加一倍

　　據(jù)《韓國時(shí)報(bào)》報(bào)道，內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體計(jì)劃在2010年向芯片生產(chǎn)投入大約2.3萬億韓元(約20億美元)，比2009年的資本開支增加一倍。　　這項(xiàng)開支有1.5萬億韓元(大約13億美元)用于DRAM內(nèi)存生產(chǎn)，剩余的8000億韓元(約7億美元)用于NAND閃存和邏輯芯片的生產(chǎn)。　　這篇報(bào)道引述消息靈通人士的話說，海力士看到了1GB DDR3內(nèi)存的需求超過了預(yù)期。這篇報(bào)道還預(yù)計(jì)海力士在2010年將在全球DRAM市場擴(kuò)大領(lǐng)先于日本的Elpida公司的優(yōu)勢。
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iSuppli：今年芯片市場將跌12%但好于預(yù)期

　　北京時(shí)間11月24日早間消息，據(jù)國外媒體今日報(bào)道，市場研究公司iSuppli表示，今年全球芯片業(yè)營收將下跌12%，遠(yuǎn)低于之前預(yù)期的20%。　　iSuppli高級副總裁德爾·福特(Dale Ford)說，第二季度芯片銷售復(fù)蘇“意味著2009年的情況將好于預(yù)期”。今年芯片業(yè)境況好于預(yù)期的原因是內(nèi)存芯片以及消費(fèi)電子和無線產(chǎn)品用芯片的強(qiáng)勁表現(xiàn)。　　iSuppli預(yù)計(jì)，在全球十大芯片廠商中，今年只有三星芯片業(yè)務(wù)營收將出現(xiàn)增長。預(yù)計(jì)今年三星芯片業(yè)務(wù)營收將增長1.4%;
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內(nèi)存廠商積極轉(zhuǎn)向新制程，明年芯片生產(chǎn)成本將大幅下降

　　據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存業(yè)者透露，由于越來越多的內(nèi)存芯片廠商都在積極轉(zhuǎn)向下一代制程技術(shù)，因此這種彼此間的良性制程競賽將令內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本在明年之內(nèi)將出現(xiàn)較大幅度的下降。　　目前，韓國三星電子的內(nèi)存芯片產(chǎn)品已經(jīng)有50%比例在采用56nm制程制作，而第四季度，部分DDR3芯片已經(jīng)開始小批導(dǎo)入40nm制程。預(yù)計(jì)到明年下半年，40nm制程將成為三星的主力制程，三星也將由此再一次占據(jù)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的地位。　　日本爾必達(dá)公司則很快會(huì)開始啟用其改進(jìn)版65nm制程，爾必達(dá)將這種制程稱為Extra 65nm。并將隨后于明年轉(zhuǎn)移到
關(guān)鍵字：三星電子 40nm 56nm 內(nèi)存芯片

2012年前內(nèi)存芯片廠商的重點(diǎn)將不會(huì)放在產(chǎn)能拓展方面

　　據(jù)iSuppli公司分析，由于全球內(nèi)存芯片廠商在2005-2007年間已經(jīng)耗費(fèi)了大量資本進(jìn)行設(shè)備投資和產(chǎn)能擴(kuò)展,因此現(xiàn)有的產(chǎn)能已經(jīng)可以滿足2012年的市場需求，這便意味著在未來兩年之內(nèi)全球內(nèi)存芯片廠商的主要精力將不會(huì)放在產(chǎn)能拓展方面。　　”2005-2007年間，內(nèi)存芯片廠商共花費(fèi)了500億美元的資金來采購新的制造設(shè)備和建設(shè)新的芯片廠，這筆花費(fèi)已經(jīng)占到同期整個(gè)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)營收的55%左右。“iSuppli公司的高級內(nèi)存分析師Mike Howard表示：”由于向這
關(guān)鍵字：內(nèi)存芯片光刻制造設(shè)備

三星加大半導(dǎo)體制程技術(shù)研發(fā)力度

　　韓國三星公司最近顯著加大了邏輯芯片制造技術(shù)的研發(fā)力度，該公司最近成立了新的半導(dǎo)體研發(fā)中心，該中心將與三星現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一起合作，進(jìn)行新半導(dǎo)體材料，晶體管結(jié)構(gòu)以及高性能低功耗半導(dǎo)體技術(shù)的研發(fā)。另一方面，三星旗下的芯片廠除了正在積極準(zhǔn)備45nm制程芯片的量產(chǎn)，同時(shí)作為IBM技術(shù)聯(lián)盟的一員，也在積極研發(fā)下一代32nm/28nm制程技術(shù). 　　三星表示，新研發(fā)中心與現(xiàn)有的內(nèi)存芯片制程技術(shù)研發(fā)團(tuán)隊(duì)的強(qiáng)強(qiáng)組合，將極大推動(dòng)三星半導(dǎo)體制程技術(shù)的發(fā)展速度，有助于提升三星Hig-K，3D晶體管以及極
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福布斯:亞洲芯片商前景樂觀下滑趨勢將結(jié)束

　　據(jù)國外媒體報(bào)道，數(shù)家亞洲大型芯片廠商財(cái)報(bào)預(yù)期顯示，本季度有望實(shí)現(xiàn)數(shù)年來的首次扭虧為盈，芯片下滑趨勢或?qū)⒔Y(jié)束。　　三星電子本月初表示，其季度利潤有望超市場預(yù)期，分析師對其預(yù)期為每股收益1.98萬韓元(約合16.83美元)。　　投行Macquarie Group對三星股票評級為“表現(xiàn)突出”(outperform)，將三星目標(biāo)股價(jià)由84萬韓元調(diào)高至90萬韓元。該投行在研究報(bào)告中稱，因三星上半年收益強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)其股價(jià)將持續(xù)上漲。周一，三星股價(jià)在首爾股票交易所收盤于75.3萬韓元(
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今年第二三季度DRAM內(nèi)存芯片業(yè)強(qiáng)勁復(fù)蘇

　　市場研究公司iSuppli稱，今年第二、三季度DRAM內(nèi)存芯片銷售額和價(jià)格環(huán)比增幅創(chuàng)下過去5年來的最高記錄，這表明市場正在復(fù)蘇，這一趨勢將至少持續(xù)到明年。　　據(jù)國外媒體報(bào)道稱，iSuppli發(fā)布的初步統(tǒng)計(jì)數(shù)字顯示，第三季度全球DRAM芯片銷售額環(huán)比增長了35%，第二季度環(huán)比增長了34%。iSuppli分析師邁克·霍華德發(fā)表聲明稱，這些數(shù)字表明DRAM市場確實(shí)在復(fù)蘇中，價(jià)格的持續(xù)增長是DRAM內(nèi)存芯片走出低迷的又一個(gè)跡象。　　iSuppli表示，過去兩個(gè)季度終結(jié)了DRAM內(nèi)存芯片銷
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北卡羅萊納州立大學(xué)開發(fā)出1TB小型內(nèi)存技術(shù)

　　北卡羅萊納州立大學(xué)的工程師聲稱已經(jīng)開發(fā)出一種比人的指甲還要小的芯片，它可以加大目前DRAM內(nèi)存芯片的容量50倍，理論上可以實(shí)現(xiàn)一個(gè)指甲大小的芯片寸1TB數(shù)據(jù)。　　學(xué)校的材料科學(xué)與工程系教授Jagdish Narayan表示他通過添加鎳、氧化鎂，混合金屬和陶瓷來完成了數(shù)據(jù)存儲(chǔ)容量的改變，新的合金鎳原子占用空間不到10平方納米，最困難的挑戰(zhàn)就是精確的納米點(diǎn)和讀取方式，目前通過使用脈沖層，研究人員就能夠?qū)崿F(xiàn)對過程的控制。　　Jagdish Narayan認(rèn)為，原型產(chǎn)品可在1-2年出現(xiàn)，而且價(jià)格并不比
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海力士稱微軟Win 7系統(tǒng)將拉動(dòng)內(nèi)存芯片需求

10月14日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，韓國芯片制造商海力士半導(dǎo)體CEO周二表示，全球經(jīng)濟(jì)轉(zhuǎn)暖加上微軟Windows 7操作系統(tǒng)的發(fā)布，將在2010年上半年拉動(dòng)內(nèi)存芯片的需求。海力士首席執(zhí)行官金鐘甲在韓國當(dāng)?shù)匾粋€(gè)科技論壇上表示，“只要經(jīng)濟(jì)不出現(xiàn)二次探底的情況，需求就會(huì)好轉(zhuǎn)。” 金同時(shí)表示，海力士將在2010年加大資本投資力度，公司今年在該項(xiàng)目上的開支為1萬億韓元，約合8.555億美元，但他拒絕透露詳情。
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海力士宣布第二代54nm 1Gb DDR3內(nèi)存芯片

　　據(jù)報(bào)道，海力士今天宣布了基于54nm工藝的第二代1Gb DDR3內(nèi)存芯片，新一代1Gb DDR3芯片分為256Mb X 4和128Mb X 8兩種，并將會(huì)在本月開始投入量產(chǎn)。　　此次宣布的1Gb DDR3芯片仍然沿用前一代芯片的1.5V電壓，但功耗降低了30%，號稱是目前主流1Gb DDR3市場上性能最高的內(nèi)存芯片。根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3內(nèi)存芯片的市場份額已經(jīng)達(dá)到了87%，更高密度的內(nèi)存芯片將在2011年成為市場上的主流。　　根據(jù)海力士的介紹，數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、超級計(jì)算機(jī)或
關(guān)鍵字：海力士內(nèi)存芯片 54nm DDR3

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內(nèi)存芯片介紹

　　簡單地說:內(nèi)存之所以能存儲(chǔ)資料,就是因?yàn)橛辛诉@些芯片! 　　根據(jù)品牌的不同,所采用的芯片亦有所區(qū)別,具體的識別辦法是: 　　具體含義解釋：　　例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0 　　主要含義：　　第1位——芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。　　第2位——芯片類型4，代表DRAM。　　第3位——芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGR [ 查看詳細(xì) ]

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