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三星發(fā)布30nm工藝moviNAND嵌入式閃存

作者: 時間:2009-05-13 來源:驅(qū)動之家 收藏

  電子宣布已開始出貨32GBmoviNAND,這種高密度卡采用了先進的30nm工藝,適用于高端手機和其他移動消費電子設備。32GB moviNAND首次融合了32Gb NAND芯片和30nm制造工藝,其存儲密度是當前40nm16Gb的兩倍。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/94293.htm

  每一個32GB moviNAND都有三部分組成,其一是八顆30nm32GbNAND芯片;其二是一個MMC控制器,符合最新eMMCv4.3規(guī)范,支持縮短啟動時間的加電啟動功能和降低功耗的休眠命令;其三是一個固件,能夠改善處理、存儲大容量數(shù)據(jù)時的性能。

  除了32GB,30nm moviNAND閃存卡還有16GB、8GB和4GB三種容量。

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關鍵詞: 三星 嵌入式 閃存

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