RAMTRON 4兆位并口F-RAM存儲(chǔ)器提供FBGA封裝選擇
Ramtron 市場(chǎng)拓展經(jīng)理Duncan Bennett解釋道:“FM22LD16 可讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員以相同的占位面積提供多四倍的 F-RAM 容量,這種新型 4Mb FBGA封裝選擇對(duì)于電路板空間受限的 RAID 控制器和工業(yè) PC制造商別具吸引力。而 FM22LD16 無需電池,和具有更小的存儲(chǔ)器占位面積,是市場(chǎng)上空間效率最高的非易失性RAM產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點(diǎn)
FM22LD16 是256K×16 的非易失性存儲(chǔ)器,采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口實(shí)現(xiàn)存取,存取的時(shí)間為55ns,而周期為110ns。該器件以 “無延遲” (No Delay) 寫入的總線速度進(jìn)行讀寫操作,耐久性至少為1E14 (100萬億) 次寫入并提供10年的數(shù)據(jù)保存能力。
這種4Mb FRAM 是標(biāo)準(zhǔn)異步 SRAM 完全替代器件,但其性能卻優(yōu)越很多,因?yàn)樗谶M(jìn)行數(shù)據(jù)備份時(shí)不需電池,而且還具有單個(gè)芯片方式的固有高可靠性。FM22LD16是真正的表面安裝解決方案,與電池供電的SRAM不同,它無需電池連接的返工步驟,而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動(dòng)特性。
另外,F(xiàn)M22LD16 備有便于與現(xiàn)今高性能微處理器相連的接口,兼具高速頁面模式,能以高達(dá)40MHz的速度進(jìn)行4字節(jié) Burst讀/寫操作,這比其它非易失性存儲(chǔ)器的總線速度高出很多。該器件的工作電流更低于類似密度的其它非易失性存儲(chǔ)器,讀/寫操作時(shí)為8mA,而在待機(jī)模式下僅為90µA。FM22LD16在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V電壓工作。
價(jià)格和供貨
Ramtron 現(xiàn)已提供FM22LD16的工程樣件,采用符合RoHS要求的48腳BGA封裝,小批量訂購的起價(jià)為23美元。
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評(píng)論