深入研究DDR電源(07-100)

　　MC34713器件用作系統(tǒng)的VDDQ電源，其中用于DDR1的為2.5V，用于DDR2的為1.8V，而用于DDR3的為1.5V。MC34713產(chǎn)生了VDDQ然后將其注入MC34712。然后，MC34712跟蹤注入“VDDQ”以生成用于存儲(chǔ)器系統(tǒng)的VTT和VREF。此電壓將用作為用于DDR存儲(chǔ)器和電源和輸入?yún)⒖茧妷?，如圖10所示。

　　引腳“VREFOUT”直接與DDR存儲(chǔ)器的VREF相連接，提供一個(gè)等于1/2 VDDQ的穩(wěn)定的參考電壓。

　　端口/SHTD，/STBY和PGOOD被用作接口，借助于一個(gè)DDR存儲(chǔ)器控制器與MCU相連接來(lái)控制DDR芯片集。

　　圖11是采用飛思卡爾MC34716的DDR存儲(chǔ)器電源管理的另外一個(gè)應(yīng)用示例。

　　注意MC34716電源不依賴于DDR存儲(chǔ)器電源。在這種情況下，SW1將給DDR存儲(chǔ)器提供電源(VDDQ)。它也與MC34716上終端的VREFIN和PVIN2相連接。MC34716的端口的SW2為存儲(chǔ)器芯片數(shù)據(jù)總線提供VTT電壓，并跟蹤VDDQ來(lái)取得1/2 VDDQ。

　　引腳VREFOUT直接連接到DDR存儲(chǔ)器的VREF，提供一個(gè)穩(wěn)定的等于1/2 VDDQ的參考電壓。

　　端口/SHTD，/STBY和PGOOD被用作接口，借助于一個(gè)DDR存儲(chǔ)器控制器與MCU相連接來(lái)控制DDR芯片集。

　　采用飛思卡爾DDR電源的優(yōu)勢(shì)

　　采用飛思卡爾DDR電源管理解決方案的優(yōu)勢(shì)總結(jié)如下(見(jiàn)表4)：

　　·DDR電源穩(wěn)壓器采用同步開關(guān)穩(wěn)壓器架構(gòu)，因而其效率將提高到95%，使其成為便攜式和低成本產(chǎn)品的理想之選。

　　·開關(guān)頻率可編程性，可以從200kHz至1MHz的頻率下進(jìn)行工作。由于工作頻率可以高達(dá)1MHz，系統(tǒng)可以采用少量外部電感器和電容器，從而使其具有更小的尺寸。

　　·能提供與及吸收電流能力和電壓跟蹤特性特別為驅(qū)動(dòng)DDR存儲(chǔ)器而設(shè)計(jì)。

　　·芯片的封裝尺寸做得相當(dāng)緊湊細(xì)小，僅為4x4 mm和5x5 mm，使其成為空間受限應(yīng)用的理想之選，如便攜式消費(fèi)類產(chǎn)品或刀式服務(wù)器。

　　·廣泛的控制和接口為設(shè)計(jì)者提供了眾多控制和保護(hù)功能的靈活性，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)復(fù)雜設(shè)計(jì)的簡(jiǎn)易執(zhí)行。

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