深入研究DDR電源(07-100)
——
DDR3技術(shù)在2006年年底就已經(jīng)投放使用,并補充了DDR2的不足(達(dá)到800Mbps的帶寬),將速度提升到1.6 Gbps。
本文引用地址:http://2s4d.com/article/81733.htm除了眾所周知的PC應(yīng)用,DDR存儲器還廣泛用于高速并對存儲器提出高要求的應(yīng)用中,如:圖形卡、刀片式服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)裝置和通信裝置等。
在市場細(xì)分中,對速度和更低工作電壓都有苛刻要求的一個領(lǐng)域是便攜式消費領(lǐng)域。舉例來說,我們已注意到越來越多的電子元器件都能提供圖形和動態(tài)圖片(視頻)能力,從而滿足了我們對于更多DRAM存儲器的高需求。像PSP(便攜式游戲機(jī))游戲系統(tǒng)、智能電話、數(shù)碼相機(jī)或GPS(全球定位服務(wù))裝置等產(chǎn)品都會采用某種DRAM,而且都將要求盡可能低的功耗,以使電池的運行時間更長。
由于DDR存儲器數(shù)據(jù)速率隨著技術(shù)的發(fā)展而不斷提高,那么工作電壓也在隨之變化。目前用于驅(qū)動DDR3 SDRAM的DDR3標(biāo)準(zhǔn)電壓為1.5V(圖2)。因此我們注意到隨著標(biāo)準(zhǔn)的升級,新的技術(shù)正在推動電壓變得越來越低。
表1顯示了RAM存儲器芯片集在時鐘和轉(zhuǎn)換速率方面的簡要對比,這些芯片集主要用于當(dāng)今的PC電腦,其中包括SDR、DDR1、DDR2和最新推出的DDR3模塊。
存儲器相關(guān)文章:存儲器原理
評論