深入研究DDR電源(07-100)
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
為了對(duì)DDR1、DDR2和DDR3 SDRAM間的差異進(jìn)行比較，參考表2。
先將運(yùn)行時(shí)鐘頻率或速度放在一邊，單從工作電壓這一點(diǎn)來(lái)看，我們能夠看出DDR1、DDR2和DDR3存儲(chǔ)器分別由2.8，1.8和1.5V的電壓來(lái)供電。因此，與使用3.3V電壓的SDRAM標(biāo)準(zhǔn)芯片集相比，這些存儲(chǔ)器在產(chǎn)生更少熱量同時(shí)還實(shí)現(xiàn)了更高的效率。DDR3通過(guò)采用 1.5V的工作電壓，消耗的功率比DDR2(采用1.8V)更少——較DDR2降低了16.3%。DDR2和DDR3存儲(chǔ)器都具有節(jié)能的特性，如采用了更小的頁(yè)面尺寸和有效的掉電模式。而且，DDR存儲(chǔ)器接口采用新的串聯(lián)端接邏輯(SSTL)拓樸，旨在提高抗噪性、增加電源抑制并通過(guò)更低的電源電壓來(lái)降低功耗(針對(duì)可比的速度)。另外值得注意的一點(diǎn)是，DDR3和DDR2 SDRAM支持片內(nèi)端接，而DDR1 SDRAM不支持。
這些特性和功耗優(yōu)勢(shì)使它們特別適合用于筆記本電腦， 服務(wù)器和低功率移動(dòng)應(yīng)用。
這里，我們總結(jié)了不同的DDR SDRAM的電源管理系統(tǒng)需求。SDRAM和目前正在應(yīng)用的DDR SDRAM相比的主要差別是：
·電源電壓；
·接口；
·數(shù)據(jù)傳輸頻率。
對(duì)于電源電壓，DDR SDRAM系統(tǒng)要求三個(gè)電源，分別為表3所列的VDDQ、VTT和VREF。
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評(píng)論