采用RF芯片組的下一代RFID閱讀器(06-100)
—— 采用RF芯片組的下一代RFID閱讀器
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UHF RFID 1W 閱讀器的RF部分通常包含大量的不同半導體制造工藝的RF元件。本文討論下一代RFID(射頻識別)閱讀器如何采用新的集成元件來簡化RFID閱讀器的設計。
本文引用地址：http://2s4d.com/article/81270.htm美國的閱讀器具有+30dBm最大輸出功率；歐洲的閱讀器最大輸出為+27dBm；日本的閱讀器最大輸出功率為+30dBm。當今在美國的大多數(shù)1W閱讀器是為低密度用戶設計的，其發(fā)射和帶外要求是由FCC確定。對于美國和日本的閱讀器可以采用飽和功率放大器(PA)，可使PAE(功率附加效率)在較高的50%量級。對于歐洲閱讀器，功率放大器必須工作在線性區(qū)，這可使PAE降低到30%左右。
RFID閱讀器的頻率方案示于表1。
為了減少RFID閱讀器RF部分的尺寸，必須增加每個元件的功能。圖1示出RFID閱讀器的典型框圖，并示出集成元件到芯片組的一種可能的方法。
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