功率開關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100)
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作者：安森美半導體 Francois LHERMITE
時間：2008-04-01
來源：電子產(chǎn)品世界
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必須看到，在禁止窗口中存在一些殘留電壓。驅(qū)動器行為與任何典型的CMOS推挽驅(qū)動器相似。殘留信號的閉塞在禁止窗口中進行。選擇Rsig和鏡像的比例，以便進行靈敏度為100mA的負電流檢測。
比較器提供用于導通功率MOS的Vvalley信號。
因為要進行高速的Soxyless檢測，所以功率MOSFET的導通發(fā)生在非常接近于“谷點”處。
“谷點”檢測靈敏度的范圍是100mA。
注：有源電壓鉗位和負電流測量都在申請專利待審批中。
結(jié)語
Soxyless技術(shù)在硅集成上進行了驗證。其表明仿真結(jié)果與試驗分析相一致。這種創(chuàng)新的技術(shù)可以無需特定的輔助繞組與反激變壓器耦合就能檢測“谷點”。目前無需使用任何RC定時技術(shù)便可在過零檢測和重啟點之間建立一致的關(guān)系。■
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