功率開關(guān)寄生電容用于磁芯去磁檢測(04-100)
——
作者：安森美半導(dǎo)體 Francois LHERMITE
時間：2008-04-01
來源：電子產(chǎn)品世界
收藏
加入技術(shù)交流群
掃碼加入
和技術(shù)大咖面對面交流
海量資料庫查詢
施加到電容上的電壓源提供對電壓有負(fù)90°相移的電流。所以當(dāng)電流上升到零點(diǎn)時，電壓便對應(yīng)于其峰值。所述的Soxyless技術(shù)包含檢測正柵極電流的過零檢測器(ZCD)以確定“谷點(diǎn)”的出現(xiàn)。
本文將從SMPS初級側(cè)接地點(diǎn)流出的電流通過下部柵極驅(qū)動器流向功率MOSFET柵極的方向定義為負(fù)。
在半導(dǎo)體技術(shù)中，驅(qū)動并測量這樣的負(fù)電流并非易事。
功率MOS柵極上產(chǎn)生的電流與漏極電壓和電容之間的關(guān)系可表述成如下：
其中Zc為電容阻抗：
此柵極電流的大小取決于MOSFET、諧振頻率F和在平坦電壓末端漏極上的電壓擺幅(Vring)。
谷點(diǎn)發(fā)生在諧振周期的一半處：
評論