車載SiC功率半導(dǎo)體前景光明 逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化

　　豐田汽車在“ICSCRM 2007”展會(huì)第一天的主題演講中，談到了對應(yīng)用于車載的SiC功率半導(dǎo)體的期待。為了在“本世紀(jì)10年代”將其嵌入到混合動(dòng)力車等所采用的馬達(dá)控制用逆變器中，“希望業(yè)界廣泛提供合作”。如果能嵌入SiC半導(dǎo)體，將有助于逆變器大幅實(shí)現(xiàn)小型化及低成本化。

　　在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用是許多SiC半導(dǎo)體廠商瞄準(zhǔn)的目標(biāo)，但多數(shù)看法認(rèn)為，就元器件的成本、性能及可靠性而言，比起在產(chǎn)業(yè)設(shè)備以及民用設(shè)備上配備，在汽車上配備的障礙更大。該公司雖然沒有透露計(jì)劃采用SiC半導(dǎo)體的日期，但表示“到本世紀(jì)10年代前期，如果開始在產(chǎn)業(yè)設(shè)備及民用設(shè)備上采用，那么，作為進(jìn)一步改善了成本及可靠性的下一個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域，我們將會(huì)考慮在汽車上配備”(濱田)，估計(jì)將目標(biāo)定在了2011～2012年以后。

　　作為車載設(shè)備專用SiC半導(dǎo)體的開發(fā)課題，該公司列舉了：SiC底板5英寸(約125mm)以上的大口徑化，常關(guān)(Normally Off)立式晶體管技術(shù)，可耐高溫環(huán)境的封裝技術(shù)。

　　如果將集團(tuán)企業(yè)的研發(fā)成果也包括在內(nèi)，那么，該公司就擁有涉及從SiC半導(dǎo)體晶體生成、到元器件及控制電路技術(shù)的多領(lǐng)域技術(shù)經(jīng)驗(yàn)。作為實(shí)例，濱田介紹了借助將轉(zhuǎn)移缺陷密度比以前降低3～4位數(shù)的“RAF法”制作SiC底板的技術(shù)，以及載體移動(dòng)度高達(dá)244cm2/Vs的SiC-MOS FET等的開發(fā)成果。不過，“必要的開發(fā)工作，單靠本公司一家企業(yè)無法完成”，希望得到相關(guān)廠商的廣泛協(xié)助。