三星、SK海力士2016年半導(dǎo)體投資前景仍未明

　　三星電子(Samsung Electromics)和SK海力士(SK Hynix) 2016年的投資計劃不明朗，全球景氣停滯、匯率動向難以掌握、智能型手機(jī)成長趨緩等對外環(huán)境惡劣為主因，韓國半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)界的不安持續(xù)擴(kuò)大。

　　同時，新設(shè)備需要依據(jù)尖端制程制造，因技術(shù)難度高、開發(fā)時間較長，使三星和SK海力士難以確定投資時程。據(jù)ET News報導(dǎo)，三星和SK海力士在公布第3季財報時，未明確提及2016年度的投資計劃。第4季投入擬定2016年的事業(yè)計劃，設(shè)備投資動態(tài)不透明，讓韓國設(shè)備業(yè)者焦躁不安。

　　三星和SK海力士推測2016年存儲器芯片需求將和2015年水準(zhǔn)相近。20納米DRAM制程轉(zhuǎn)換和3D NAND Flash的堆疊技術(shù)，將使企業(yè)間成本競爭力產(chǎn)生差距，影響市占率和業(yè)績。

　　三星第3季累計投資19.2兆韓元(約169億美元)，年度設(shè)備投資計劃已執(zhí)行72%。市場上3D NAND和DRAM供不應(yīng)求，將進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)，但2016年可能會維持目前設(shè)備水準(zhǔn)。

　　三星存儲器行銷組專務(wù)白志鎬(音譯)表示，目前NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備和17產(chǎn)線20納米DRAM均為全稼動狀態(tài)，若維持目前設(shè)備全稼動水準(zhǔn)，2016年不只可達(dá)成位元成長目標(biāo)，甚至可望超越。惟目前不考慮追加設(shè)備，將依照市況決定。

　　SK海力士M14廠1樓將使用的設(shè)備已大部分搬入，暫時沒有大規(guī)模DRAM設(shè)備投資計劃。年底前將完成驗(yàn)證M14廠20納米級DRAM的生產(chǎn)效益，預(yù)計2016年起量產(chǎn)的第三代48層堆疊3D NAND，將左右未來設(shè)備投資計劃。

　　SK海力士經(jīng)營支援部社長金俊鎬表示，初期將把現(xiàn)有NAND設(shè)備轉(zhuǎn)換為3D NAND用，并迅速確保產(chǎn)量。市場上48層3D NAND需求提升，若判斷有必要擴(kuò)產(chǎn)，將會考慮把M14 2樓架構(gòu)為3D NAND產(chǎn)線的方案。

　　3D NAND成為2016年設(shè)備投資的重心，但整體投資規(guī)模將不會超過2015年。2015年DRAM維持每月27萬片，2016年估計每月提高到27萬~28萬片水準(zhǔn)，但會擴(kuò)大DDR4和LPDDR4比重，并轉(zhuǎn)換20納米出頭制程。

　　SK海力士截至第3季，設(shè)備投資累計已執(zhí)行5.3兆韓元，年底前將依照原計劃，完成6兆韓元以上投資。