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三星、SK海力士2016年半導(dǎo)體投資前景仍未明

作者: 時間:2015-11-11 來源:Digitimes 收藏
編者按:現(xiàn)在是2016年半導(dǎo)體設(shè)備投資應(yīng)稍有雛形的時間點(diǎn),但韓系半導(dǎo)體大廠經(jīng)營計劃不明朗,變動性大,半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)者難以擬定事業(yè)計劃。

  電子(Samsung Electromics)和(SK Hynix) 2016年的投資計劃不明朗,全球景氣停滯、匯率動向難以掌握、智能型手機(jī)成長趨緩等對外環(huán)境惡劣為主因,韓國半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)界的不安持續(xù)擴(kuò)大。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/282605.htm

  同時,新設(shè)備需要依據(jù)尖端制程制造,因技術(shù)難度高、開發(fā)時間較長,使難以確定投資時程。據(jù)ET News報導(dǎo),在公布第3季財報時,未明確提及2016年度的投資計劃。第4季投入擬定2016年的事業(yè)計劃,設(shè)備投資動態(tài)不透明,讓韓國設(shè)備業(yè)者焦躁不安。

  三星和SK海力士推測2016年存儲器芯片需求將和2015年水準(zhǔn)相近。20納米DRAM制程轉(zhuǎn)換和3D NAND Flash的堆疊技術(shù),將使企業(yè)間成本競爭力產(chǎn)生差距,影響市占率和業(yè)績。

  三星第3季累計投資19.2兆韓元(約169億美元),年度設(shè)備投資計劃已執(zhí)行72%。市場上3D NAND和DRAM供不應(yīng)求,將進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn),但2016年可能會維持目前設(shè)備水準(zhǔn)。

  三星存儲器行銷組專務(wù)白志鎬(音譯)表示,目前NAND Flash生產(chǎn)設(shè)備和17產(chǎn)線20納米DRAM均為全稼動狀態(tài),若維持目前設(shè)備全稼動水準(zhǔn),2016年不只可達(dá)成位元成長目標(biāo),甚至可望超越。惟目前不考慮追加設(shè)備,將依照市況決定。

  SK海力士M14廠1樓將使用的設(shè)備已大部分搬入,暫時沒有大規(guī)模DRAM設(shè)備投資計劃。年底前將完成驗(yàn)證M14廠20納米級DRAM的生產(chǎn)效益,預(yù)計2016年起量產(chǎn)的第三代48層堆疊3D NAND,將左右未來設(shè)備投資計劃。

  SK海力士經(jīng)營支援部社長金俊鎬表示,初期將把現(xiàn)有NAND設(shè)備轉(zhuǎn)換為3D NAND用,并迅速確保產(chǎn)量。市場上48層3D NAND需求提升,若判斷有必要擴(kuò)產(chǎn),將會考慮把M14 2樓架構(gòu)為3D NAND產(chǎn)線的方案。

  3D NAND成為2016年設(shè)備投資的重心,但整體投資規(guī)模將不會超過2015年。2015年DRAM維持每月27萬片,2016年估計每月提高到27萬~28萬片水準(zhǔn),但會擴(kuò)大DDR4和LPDDR4比重,并轉(zhuǎn)換20納米出頭制程。

  SK海力士截至第3季,設(shè)備投資累計已執(zhí)行5.3兆韓元,年底前將依照原計劃,完成6兆韓元以上投資。



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