物聯(lián)網(wǎng)落地促進中國半導體產(chǎn)業(yè)迎第二春

　　剛剛過去的2014年，加速了全球物聯(lián)網(wǎng)的落地和普及，通過無線網(wǎng)絡進行連接已漸成主流。未來5年，全球?qū)⒂谐^500億個終端相互連接，進入一個全新的互聯(lián)網(wǎng)時代。

　　然而，在一直被視為“高資本行業(yè)”的整個芯片產(chǎn)業(yè)，射頻前端芯片作為移動網(wǎng)絡連接的關鍵部分，卻仍舊面臨著一些挑戰(zhàn)，技術良莠不齊的產(chǎn)業(yè)發(fā)展瓶頸亟待解決。

　　RFaxis市場與應用工程副總裁錢永喜

　　據(jù)了解，目前射頻器件的主流制造材料是砷化鎵，射頻元件的成本較高，眾多廠商都希望尋找更高性價比的解決方案，采用硅作為原材料的CMOS制程工藝引起了人們的重視。2014年，華為、展訊、聯(lián)芯科技等國內(nèi)移動通信芯片廠商技術新品頻發(fā)，有力支撐了中國本土芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展;也有不乏利用專業(yè)技術優(yōu)勢駐在中國的國外廠商，在龐大的中國市場中搶食蛋糕。

　　不久前，專業(yè)從事RF半導體產(chǎn)品設計與開發(fā)的RFaixs公司在中國臺北設立FAE實驗室，為臺灣設計團隊快速實現(xiàn)低成本物聯(lián)網(wǎng)應用解決方案提供更加及時高效率的支援。此外，RFaxis在中國深圳設立的FAE實驗室已運作一年有余。

　　在物聯(lián)網(wǎng)領域，這家僅有7年創(chuàng)業(yè)史的美國加州公司被視為一匹“黑馬”，RFaixs采用純裸芯片(CMOS)技術開發(fā)出全球首款射頻前端集成電路，提供實現(xiàn)無線網(wǎng)絡射頻的解決方案，讓物聯(lián)網(wǎng)傳感器節(jié)點單價低于1美元成為可能。有了射頻器件所具有的高集成、高性能、低成本、超導性良好等優(yōu)點，芯片成本降低的同時，對廠商來說應用開發(fā)也更簡單，系統(tǒng)成本也由高變低。

　　面對這匹擁有革新技術的“黑馬”，記者日前專訪了RFaxis市場與應用工程副總裁錢永喜，他認為中國半導體產(chǎn)業(yè)正在迎接第二次浪潮的到來?！爸袊袌鰪囊婚_始就是RFaxis的重點目標，中國已決定在未來5至10年，給予芯片行業(yè)1700億美元的政策資金支持。這一切的大環(huán)境必將促成電子通信、無線技術、智能手機等一大批新的半導體芯片廠商的出現(xiàn)及發(fā)展。其中最大的獲益者，莫過于物聯(lián)網(wǎng)?！?/p>

　　人物對話

　　記者：我們知道，RFaxis與其他無晶圓半導體提供商也都涉足了無線通信這一領域;相比而言，RFaxis是如何定位中國(含臺灣)市場與亞太市場的?

　　錢永喜：RFaxis的射頻前端產(chǎn)品主要針對WiFi以及物聯(lián)網(wǎng)。WiFi產(chǎn)品又大致分成網(wǎng)通和智能手機兩大類。不管是哪類產(chǎn)品，中國(包括大陸和臺灣)市場正在迅速地變成我們的主戰(zhàn)場。這一點相信我們的競爭對手也是一樣的。

　　記者：物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展給許多新興產(chǎn)業(yè)帶來了重疊發(fā)展的機會，您對RFaxis在中國的發(fā)展有何戰(zhàn)略考慮?在中國，不乏像“炬力”這樣的眾多優(yōu)秀實力型本土企業(yè)，如何看待中國半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展?

　　錢永喜：中國的半導體產(chǎn)業(yè)應該說正在迎接第二次浪潮的到來。以中芯國際，華虹宏力為代表的晶圓代工產(chǎn)業(yè)鏈已日趨成熟。以長電為首的半導體封裝測試行業(yè)也已經(jīng)在國際舞臺名列前茅。

　　中國已決定在未來5至10年，給予中國芯片行業(yè)1700億美元的政策資金支持。這一切的大環(huán)境必將促成電子通信、無線技術、智能手機等一大批新的半導體芯片廠商的出現(xiàn)及發(fā)展，其中最大的獲益者莫過于物聯(lián)網(wǎng)。因為這個市場正在崛起，方興未艾。

　　物聯(lián)網(wǎng)要大力發(fā)展，成本必需大幅度下降。RFaxis的純CMOS工藝射頻前端解決方案，應該會在這方面起到舉足輕重的作用。

　　記者：目前，無線芯片工藝主要采用砷化鎵制成，成本高、產(chǎn)能低。如何看待這種“高成本低產(chǎn)能”問題?

　　錢永喜：2013年，砷化鎵的全球晶圓代工市場不到10億美元;相比之下，硅工藝的晶圓代工市場為430億，為其50倍。所以，以手機功放為首的射頻產(chǎn)品的供應鏈問題，靠砷化鎵是很難從根本上解決的。當然，砷化鎵的高頻性能好，這一點無可置疑。

　　我們足足花了5年時間總算開發(fā)出跟砷化鎵可以媲美的CMOS射頻產(chǎn)品，也可見CMOS代替砷化鎵不是件輕而易舉的事情。但是，既然已經(jīng)開始了，這個趨勢，恐怕回不去了。