北美稱半導體市場未來翻倍增長 氮化鎵需求增長

　　半導體產(chǎn)業(yè)是整個電子信息產(chǎn)業(yè)鏈中最關鍵的產(chǎn)業(yè)之一，它為集成芯片產(chǎn)業(yè)、LED產(chǎn)業(yè)、光伏產(chǎn)業(yè)等產(chǎn)業(yè)提供關鍵性基礎材料，對整個電子信息產(chǎn)業(yè)影響巨大。上世紀中葉，單晶硅和半導體晶體管的發(fā)明及其硅集成電路的研制成功，引發(fā)了第三次技術革命;上世紀70年代初石英光導纖維材料和GaAs激光器的發(fā)明，促進了光纖通信技術迅速發(fā)展并逐步形成了高新技術產(chǎn)業(yè)，使人類進入了信息時代。

　　半導體產(chǎn)品廣泛應用在電子工業(yè)和微電子工業(yè)中，用來制作各種晶體管、集成電路、固態(tài)激光器等各種精密原器件。

　　有業(yè)內(nèi)資深專家表示：半導體材料大致可以分為三代。第一代半導體是硅;第二代半導體是以砷化鎵為代表;第三代半導體以氮化鎵為代表，它在電和光的轉化方面性能突出，在微波信號傳輸方面的效率更高，所以可以被廣泛應用到照明、顯示、通訊等各大領域。

　　現(xiàn)在LED盛行的風潮下，氮化鎵首先作為半導體發(fā)光二極管在LED照明產(chǎn)業(yè)取得重大突破，這也極大帶動了金屬鎵的消費。目前LED氮化鎵芯片通常是基于藍寶石或碳化硅襯底晶片。這種襯底LED芯片存在很大的缺陷，如果采用氮化鎵晶片作為襯底，不但可以有效解決發(fā)光時的散熱問題，還能使單位面積亮度提升10倍。2014年諾貝爾物理學獎得主中村修二指出，GaN on GaN LED技術將在不遠的將來取代現(xiàn)有的第一代LED技術成為LED發(fā)展的主流，而GaN襯底將成為LED行業(yè)最終選擇的襯底。隨著氮化鎵晶片的價格逐年下降， 氮化鎵襯底在半導體照明的應用市場將一發(fā)不可收，氮化鎵的消費將成倍增長。

　　除了LED 照明，電子光電器件是其另一個主要的應用市場。目前，氮化鎵(GaN)正在成為半導體RF功率器件的主流工藝技術。在一些軍事應用和微波通訊領域被廣泛應用。根據(jù)美國戰(zhàn)略分析部分公布的報告稱，受軍事早期報警，監(jiān)察，火控雷達方面市場的帶動，氮化鎵需求增強。

　　北美戰(zhàn)略分析部門一負責人在談到2013-2023年的氮化鎵發(fā)展趨勢中稱，10年期間，相關的半導體和其他器件市場將從12億美元上漲到21億美元，其中氮化鎵的技術逐漸成熟，復合增長率在26.4%，在所有的雷達系統(tǒng)都有所應用。

　　氮化鎵是迄今理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系，并可以成為制備寬波譜、高功率、高效率的微電子、電力電子、光電子等器件的關鍵基礎材料。半導體的未來屬于氮化鎵，氮化鎵前景一片光明。

　　氮化鎵由稀有金屬鎵和氮氣制成，中國是全球最大的金屬鎵生產(chǎn)國，金屬鎵年產(chǎn)量超過300噸/年，但中國的金屬鎵行業(yè)大而不強，大量金屬鎵作為初級產(chǎn)品出口，據(jù)海關數(shù)據(jù)顯示僅今年1-10月份中國出口金屬鎵就超過了100噸，價格卻一路走低，部分鎵生產(chǎn)企業(yè)持續(xù)虧損。

　　泛亞有色金屬交易所作為全球最大的稀有金屬交易所，目前已經(jīng)開展了金屬鎵的現(xiàn)貨交易，這將極大地促進我國金屬鎵行業(yè)的健康發(fā)展，幫助我國獲得金屬鎵的定價權。