中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片裝車成功試運(yùn)行

　　中國南車株洲所25日對外公布，裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運(yùn)行一萬公里，各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)均達(dá)國際先進(jìn)水平。

　　這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷，實(shí)現(xiàn)從研發(fā)、制造到應(yīng)用的完全國產(chǎn)化。

　　IGBT是一種新型功率半導(dǎo)體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。

　　由于國內(nèi)IGBT技術(shù)起步較晚，受制于人，發(fā)展艱難而緩慢。國內(nèi)大功率IGBT市場一直被國外公司壟斷。

　　2008年，南車時代電氣成功并購英國丹尼克斯半導(dǎo)體公司。經(jīng)過4年的技術(shù)消化、吸收與再創(chuàng)新，2012年5月，中國南車株洲所在株洲投資15億元人民幣，建設(shè)國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線，并于2014年6月正式投產(chǎn)。10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗(yàn)，并于當(dāng)月底裝載至昆明地鐵1號線的城軌車輛。

　　行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，中國現(xiàn)已成為全球最大的電力電子器件消費(fèi)市場，僅IGBT產(chǎn)品在國內(nèi)的市場需求規(guī)模就已超過100億元。此次成功試運(yùn)行，拉開了國產(chǎn)8英寸IGBT芯片應(yīng)用于軌道交通領(lǐng)域的序幕。