蘋(píng)果新款處理器Q4臺(tái)積電16nm制程試產(chǎn)

　　晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)全力沖刺16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)制程，昨(25)日宣布與海思半導(dǎo)體(HiSilicon)合作，成功率先產(chǎn)出業(yè)界首顆以FinFET制程及ARM架構(gòu)為基礎(chǔ)且功能完備的網(wǎng)通處理器。業(yè)者分析，臺(tái)積電16奈米FinFET制程投產(chǎn)成功，可望提前一季度時(shí)間，在今年第4季進(jìn)入量產(chǎn)階段。

　　同時(shí)根據(jù)設(shè)備業(yè)者消息，臺(tái)積電16奈米FinFET Plus制程也進(jìn)入試投片(try run)先前作業(yè)階段，可望提前至第4季試產(chǎn)，主要客戶(hù)除了繪圖晶片廠輝達(dá)(NVIDIA)、可程式邏輯閘極列(FPGA)廠賽靈思(Xilinx)、手機(jī)晶片廠高通外，眾所矚目的蘋(píng)果新款應(yīng)用處理器也將試投片清單中。

　　臺(tái)積電昨日宣布與海思半導(dǎo)體合作，成功產(chǎn)出業(yè)界首顆以FinFET制程及ARM架構(gòu)為基礎(chǔ)之功能完備的網(wǎng)通處理器，該晶片是以ARMv8架構(gòu)為基礎(chǔ)的32核心ARM Cortex-A57網(wǎng)通處理器，運(yùn)算速度可達(dá)2.6GHz。臺(tái)積電的16奈米FinFET制程能夠顯著改善速度與功率，并且降低漏電流，有效克服先進(jìn)系統(tǒng)單晶片技術(shù)微縮時(shí)所產(chǎn)生的關(guān)鍵障礙。

　　相較于臺(tái)積電的28奈米高效能行動(dòng)運(yùn)算(28HPM)制程，16奈米FinFET制程的晶片閘密度增加兩倍，在相同功耗下速度增快逾40%，或在相同速度下功耗降低逾60%。

　　臺(tái)積電的16奈米FinFET制程早于去年11月即完成所有可靠性驗(yàn)證，良率表現(xiàn)優(yōu)異，如今進(jìn)入試產(chǎn)階段，為臺(tái)積電與客戶(hù)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案、試產(chǎn)活動(dòng)與初期送樣打下良好基礎(chǔ)。

　　藉由臺(tái)積電的16奈米FinFET制程，海思得以生產(chǎn)具顯著效能與功耗優(yōu)勢(shì)的全新處理器，以支援高階網(wǎng)通應(yīng)用產(chǎn)品。