新聞中心

EEPW首頁 > 設計應用 > 高性能PHS—RF收發(fā)器芯片設計方案

高性能PHS—RF收發(fā)器芯片設計方案

作者: 時間:2011-12-05 來源:網絡 收藏

引言:隨著協(xié)議的擴展,在系統(tǒng)和業(yè)務上也不斷推出新的亮點,如無縫切換、機卡分離和QBOX靈通無繩業(yè)務,這些新業(yè)務的推出將成為未來發(fā)展的強大驅動力。針對PHS系統(tǒng)對手機的新技術需求,微電子(RDA)公司開發(fā)出基于全新RF收發(fā)結構的單芯片收發(fā)器及集成天線開關的高效率功放模塊。本文介紹RDA PHS芯片的設計方法。

本文引用地址:http://2s4d.com/article/260361.htm

在中國,PHS作為固定市話網的一種補充和延伸,在發(fā)展初期以其較低的收費模式,成為固網運營商快速搶占市場的利器。隨著PHS協(xié)議的擴展,目前PHS終端除了能夠實現(xiàn)固定電話的所有功能外,還可以支持包括轉移呼叫、多方通話、語音信箱等功能,同時它還具備移動電話的一些功能,例如越區(qū)漫游、無線上網、定位和ISDN等多種業(yè)務。此外,PHS在系統(tǒng)和業(yè)務上也不斷推出新的亮點,如無縫切換、機卡分離和QBOX靈通無繩業(yè)務,這些新業(yè)務的推出勢必將成為PHS未來發(fā)展的驅動力。

PHS系統(tǒng)所面對的目標市場以中低端客戶為主,終端用戶對PHS手機的價格敏感程度大大高于GSM及CDMA系統(tǒng)。隨著通信市場中GSM、CDMA等各個系統(tǒng)競爭的加劇,以及全新的3G系統(tǒng)一步步鄰近,PHS手機的生產成本對于PHS手機廠商和運營商而言更加敏感。


微電子PHS手機解決方案。

但在PHS手機解決方案方面,恰恰事與愿違。雖然PHS系統(tǒng)投入運營已歷經了十年的發(fā)展,但由于它在日本市場的失敗,提供終端芯片方案的日本廠商已經長期不再對終端方案芯片進行優(yōu)化和改進設計,這種情況對于收發(fā)器更為突出?,F(xiàn)有的收發(fā)器芯片由于在系統(tǒng)結構上采用了傳統(tǒng)的兩次變頻收發(fā)結構,因此在集成度方面具有明顯的技術劣勢。這已經成為PHS手機廠商進行新機型開發(fā)和降低整機成本的主要障礙。

PHS系統(tǒng)不斷進步的同時,系統(tǒng)廠商對射頻收發(fā)機的指標也提出更為嚴苛的要求,許多指標遠高于協(xié)議規(guī)定。例如在QBOX應用中,母機與子機之間的距離可能非常近,這導致輸入信號功率很大,因此要求接收機有較高的線性度,保證各級電路不發(fā)生非線性失真。另外,由于PHS手機輸入信號動態(tài)范圍較大,必須使用AGC電路,以使基帶接口處的信號基本保持恒定幅度。為了減小AGC穩(wěn)定時間,加上傳統(tǒng)的PHS基帶芯片不直接進行功率檢測,AGC環(huán)路必須全部集成在接收機端,并向基帶提供RSSI。此外,為了滿足手機無縫過境切換的要求,PLL要具有極快的鎖定時間,這個時間只相當于GSM系統(tǒng)同類指標的1/8。

為此微電子公司開發(fā)設計了PHS射頻芯片組,由射頻收發(fā)芯片(RDA5205)和功放/開關模塊(RDA5212)兩顆芯片構成了完整的PHS手機解決方案。其中,收發(fā)芯片RDA5205是一顆全集成單芯片PHS收發(fā)器,由于采用了先進的近零中頻(LOW-IF)接收結構,并將PLL電路包括VCO和環(huán)路濾波器等全部集成在片上,因此具有集成度高、外圍元件少和易于使用等特點。RDA5212功放/開關模塊在系統(tǒng)應用中具有良好的帶外抑制功能,天線處及功放輸出端都無需傳統(tǒng)方案中所必須的射頻聲表濾波器(SAW)。

整體射頻解決方案除了RDA5205、RDA5212外,僅需要一個單端轉雙端的射頻濾波器、一個TCXO、一個LDO以及少量外圍阻容元器件。如此高的集成度使RDA PHS射頻方案的外圍器件數(shù)只相當于傳統(tǒng)方案的1/5,PCB面積相當于傳統(tǒng)方案的1/3~1/4。在降低PHS手機的成本的同時,RDA PHS射頻芯片組保證了新版PHS手機無縫切換等新射頻指標的要求,使應用該射頻芯片組的手機產品具有極高的性價比,大大提升了終端產品的市場競爭力。

銳迪科微電子PHS手機射頻前端主要組成部分如下:

(1)接收鏈路

接收機采用近零中頻架構。該架構既避免了超外差架構需要片外SAW濾波器、成本高、不易單片集成等問題,又避免了零中頻架構直流偏移、1/f噪聲等問題??梢哉f,近零中頻架構規(guī)避了上述兩種架構的缺點,同時又繼承了超外差架構性能優(yōu)異以及零中頻架構適合單片集成等優(yōu)點。

天線接收到信號,經過開關以及單轉雙射頻濾波器,濾掉一部份的帶外干擾。然后經過LNA放大,混頻器正交下變頻(低LO)到中心頻率為二分之一信道帶寬(即150kHz)。這個中頻的選擇主要考慮到其鏡像信道(+300kHz)是“干凈”的,即PHS系統(tǒng)中有用信道的左右兩個相鄰信道不會被分配。另外,電路中采用了低噪聲技術,使得1/f轉折頻率被大大壓低,減少了對SNR的影響。下變頻后的信號經過復數(shù)濾波,進一步濾掉帶外干擾并進行部分的信道選擇。PGA在AGC控制下將信號幅度放大到合適數(shù)值,并使ADC留有足夠的空間來容納信道外的強攔截(blocker)和衰減。圖中紅框部分代表DSP,它首先將信號下變頻到基帶,然后進行信道選擇濾波。處理完畢的信號經過DAC轉變成模擬基帶IQ信號。RDA5205提供三種接收基帶接口: 第一種是將模擬基帶信號上變頻到10.8MHz IF,傳統(tǒng)的基帶都采用該接口;第二種是模擬基帶接口;第三種是150kHz基帶接口。后兩種接口主要滿足新一代PHS基帶的要求。

(2)發(fā)射鏈路

發(fā)射機采用直接上變頻架構。基帶IQ信號首先通過低通濾波器對信道頻譜進行約束,然后正交上變頻到射頻。射頻VGA提供60dB的動態(tài)范圍,且具有0.5dB/步長的分辨率。信號再經過PA驅動器放大并完成雙端轉單端,然后驅動PA。最終信號經過開關,由天線發(fā)射出去。

(3)頻率綜合器

頻率綜合器采用分數(shù)N PLL。參考頻率等于TCXO頻率,即19.2MHz,環(huán)路濾波器可以選取比較高的帶寬,以減少穩(wěn)定時間,從而滿足系統(tǒng)無縫切換的要求。由于PLL采用了RDA獨立開發(fā)的全新技術,因此使得包括環(huán)路濾波器在內的所有PLL電路都能集成在芯片上。

基帶控制:基帶通過標準3線控制收發(fā)芯片、功放和開關,各種控制包括: 初始設置、自動校準、工作狀態(tài)切換、設置PLL頻率和TX APC控制等。

RDA5205采用中芯國際0.18um 1P5M CMOS工藝實現(xiàn),采用標準QFN封裝,封裝尺寸只有6×6mm。對于射頻芯片設計而言,相對于BiCMOS工藝,CMOS工藝更具有價格優(yōu)勢。RDA一直致力于CMOS技術的研究,由于采用了新的電路技術和隔離技術,使得CMOS收發(fā)芯片在低噪聲、數(shù)?;旌?、防串擾等方面絲毫不遜色于同類BiCMOS芯片。



評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉