熱烈慶祝東方集成成功舉辦“等離子工藝技術(shù)（上海）研討會”

　　2014年6月20日，北京東方中科集成科技股份有限公司(簡稱東方集成)攜手德國SENTECH儀器公司(簡稱SENTECH)在中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所成功舉辦等離子工藝技術(shù)研討會(上海)。

　　作為德國SENTECH儀器公司在中國地區(qū)的總代理，東方集成與SENTECH公司有超過10年的合作歷史，近年來在半導(dǎo)體、材料分析、光伏等研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域均有突破性進展。本次研討會為SENTECH和東方集成首次針對等離子工藝技術(shù)主題舉辦的研討會，吸引了全國眾多科研院校和企事業(yè)單位的用戶參加會議，反響熱烈。

　　東方集成根據(jù)用戶關(guān)心的熱門話題，就深硅刻蝕工藝與MEMS應(yīng)用、PECVD/ICPECVD沉積高質(zhì)量介質(zhì)膜、ALD原子層沉積的應(yīng)用和在線監(jiān)控、刻蝕工藝和薄膜沉積的在線監(jiān)控和終點監(jiān)測、光譜橢偏儀進行復(fù)雜材料分析等議題與用戶進行了深入淺出的交流，來自中科院微電子所和微系統(tǒng)所的老師們也同大家分享了SENTECH設(shè)備在太赫茲器件上低溫沉積薄膜和III-V族半導(dǎo)體刻蝕的一些使用經(jīng)驗。SENTECH專利的高等離子密度平板三螺旋天線ICP源、高精度樣品動態(tài)控溫、低溫深硅刻蝕等技術(shù)亮點和出色的工藝效果給現(xiàn)場觀眾留下了非常深刻的印象。

　　研討會結(jié)束后，參會人員參觀了微系統(tǒng)所太赫茲固態(tài)技術(shù)重點實驗室，部分參會人員使用SENTECH SI 500D ICPECVD進行了實際操作和樣品制備。SI 500D可在80℃至130℃范圍低溫沉積高性能薄膜，低溫低損傷沉積可用于帶膠沉積的剝離工藝，高擊穿電壓和低氫含量薄膜可作為非常出色的絕緣層，參會人員對結(jié)果表示非常滿意。

　　作為電子測試測量領(lǐng)域領(lǐng)先的綜合服務(wù)商，東方集成總部設(shè)在北京，在上海、南京、蘇州、深圳、武漢、西安、成都等地設(shè)有分支機構(gòu)，憑借覆蓋全國的營銷服務(wù)網(wǎng)絡(luò)和一流的技術(shù)服務(wù)團隊，可為全國各地客戶提供快速響應(yīng)、高質(zhì)量的本地化技術(shù)服務(wù)。