臺(tái)積電10奈米制程將于明年試產(chǎn)

　　將在6月24日召開股東會(huì)的臺(tái)積電(2330)，股東會(huì)年報(bào)已先出爐，預(yù)估未來5年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)年成長(zhǎng)率僅3~5%，臺(tái)積電的成長(zhǎng)將顯著超越全球半導(dǎo)體市場(chǎng);而在高階制程進(jìn)展上，臺(tái)積電也明確提到10奈米制程將于明年試產(chǎn)、2016年量產(chǎn)。

　　在致股東報(bào)告書中，臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀指出，相較半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)，臺(tái)積電自成立27年以來，其中25年業(yè)績(jī)成長(zhǎng)皆顯著高于整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)水準(zhǔn)。

　　內(nèi)容指出，2013年是臺(tái)積電營(yíng)收及獲利再創(chuàng)高峰的1年。4年前，臺(tái)積電洞察半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將因智慧型手機(jī)與平板電腦等行動(dòng)運(yùn)算裝置的問市，而有絕佳的成長(zhǎng)機(jī)會(huì)，因而大筆投資于研發(fā)與資本支出，如今證明，行動(dòng)運(yùn)算產(chǎn)品果然引領(lǐng)潮流，觸發(fā)新一波的成長(zhǎng)動(dòng)能。

　　臺(tái)積10nm明年試產(chǎn)，未來5年半導(dǎo)體年增僅3~5%臺(tái)積成長(zhǎng)勝產(chǎn)業(yè)

　　28奈米市占逾8成

　　在先進(jìn)制程中，張忠謀說，晶片設(shè)計(jì)公司快速采用臺(tái)積電28奈米制程技術(shù)，以追求性能更卓越、更低耗電、晶片尺寸更小的行動(dòng)運(yùn)算產(chǎn)品，2013年28奈米晶圓的出貨量及銷貨收入，帶來近乎3倍成長(zhǎng)，創(chuàng)下超過80%市占率。

　　延續(xù)28奈米制程技術(shù)的成功，臺(tái)積電20奈米系統(tǒng)單晶片繼2013年接受客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案后，已于2014年進(jìn)入量產(chǎn)，將排入許多產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案，預(yù)期20奈米制程將較28奈米制程更快進(jìn)入量產(chǎn)，并將成為驅(qū)動(dòng)臺(tái)積電2014及2015年顯著成長(zhǎng)的動(dòng)力。

　　關(guān)于20奈米制程之后的16奈米鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)架構(gòu)，已于2013年11月進(jìn)入試產(chǎn)、2014年初如期完成制程驗(yàn)證，并預(yù)計(jì)在2015年、也就是20奈米量產(chǎn)后的1年內(nèi)，達(dá)成量產(chǎn)時(shí)程目標(biāo)，預(yù)計(jì)今年排入超過20個(gè)來自不同客戶、橫跨多種應(yīng)用的產(chǎn)品設(shè)計(jì)定案。同時(shí)，也正在發(fā)展可較16-FinFET制程效能更高15%的16-FinFET制程強(qiáng)效版16-FinFET+。

　　著手7奈米制程開發(fā)

　　值得一提的是，臺(tái)積電也首次明確指出10奈米制程量產(chǎn)時(shí)間。張忠謀說，2013年開始進(jìn)行10奈米技術(shù)的開發(fā)，并計(jì)劃于2015年試產(chǎn)、2016年量產(chǎn)，而10奈米技術(shù)將是繼16-FinFET制程及強(qiáng)效版制程之后的第3代FinFET制程，其效能與密度預(yù)計(jì)將為業(yè)界第1。在此同時(shí)，臺(tái)積電也正著手于7奈米制程的開發(fā)。

　　臺(tái)積電10奈米制程將于明年試產(chǎn)

　　至于在臺(tái)積電的設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)「開放創(chuàng)新平臺(tái)」方面，張忠謀強(qiáng)調(diào)將持續(xù)協(xié)助客戶快速利用先進(jìn)技術(shù)縮短產(chǎn)品上市時(shí)程，當(dāng)中臺(tái)積電的「開放創(chuàng)新平臺(tái)」，提供全球積體電路制造服務(wù)領(lǐng)域規(guī)模最大的元件資料庫與矽智財(cái)組合，2013年已拓展至超過6300件。