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開關(guān)電源設(shè)計全過程

作者: 時間:2011-04-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
>4.1.1.6 Static (full load) Pin(w) Iin(A) Iout(A) Vout(V) P.F. Ripple(mV) Pout(w) eff 90V/47Hz 18.7 0.36 4 3.30 0.57 32 13.22 70.7 115V/60Hz 18.6 0..31 4 3.30 0.52 28 13.22 71.1 132V/60Hz 18.6 0.28 4 3.30 0.50 29 13.22 71.1 180V/60Hz 18.7 0.21 4 3.30 0.49 30 13.23 70.7 230V/60Hz 18.9 0.18 4 3.30 0.46 29 13.22 69.9 264V/60Hz 19.2 0.16 4 3.30 0.45 29 13.23 68.9 4.1.1.7 Full Range負(fù)載(0.3A-4A) (驗証是否有振蕩現(xiàn)象)

4.1.1.8 回授失效(輸出輕載) Vout = 8.3V90V/47Hz Vout = 6.03V264V/63Hz

4.1.1.9 O.C.P.(過電流保護(hù)) 90V/47Hz = 7.2A 264V/63Hz = 8.4A 4.1.1.10 Pin(max.) 90V/47Hz = 24.9W 264V/63Hz = 27.1W 4.1.1.11 Dynamic test H=4A,t1=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Rise) L=0.3A,t2=25ms,slew Rate = 0.8A/ms (Full) 90V/47Hz 264V/63Hz

4.1.1.12 HI-POT test: HI-POT test一般可分為兩種等級: 輸入為3 Pin(有FG者),HI-POT test為1500Vac/1 minute.Y-CAP使用Y2-CAP 輸入為2 Pin(無FG者),HI-POT test為3000Vac/1 minute.Y-CAP使用Y1-CAP DA-14B33屬于輸入3 PIN HI-POT test 為1500Vac/1 minute. 4.1.1.13 Grounding test: 輸入為3 Pin(有FG者),一般均要測接地阻(Grounding test),安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過100MΩ(2.5mA/3 Second). 4.1.1.14 溫升記錄

設(shè)計實驗定案后(暫定),需針對整體溫升及EMI做評估,若溫升或EMI無法符合規(guī)格,則需重新實驗.溫升記錄請參考附件,D5原來使用BYV118(10A/40V Schottky barrier 肖特基二極管 ),因溫升較高改為PBYR1540CTX(15A/40V). 4.1.1.15 EMI測試: EMI測試分為二類: Conduction(傳導(dǎo)干擾)

Radiation(幅射干擾) 前者視規(guī)范不同而有差異(FCC : 450K - 30MHz,CISPR 22 :150K - 30MHz),前者可利用廠內(nèi)的頻譜分析儀驗証;后者(范圍由30M - 300MHz,則因廠內(nèi)無設(shè)備必須到實驗室驗証,Conduction,Radiation測試資料請參考附件) .

4.1.1.16 機(jī)構(gòu)尺寸: 設(shè)計階段即應(yīng)對機(jī)構(gòu)尺寸驗証,驗証的項目包括 : PCB尺寸、零件限高、零件禁置區(qū)、螺絲孔位置及孔徑、外殼孔寸….,若設(shè)計階段無法驗証,則必須在樣品階段驗証.

4.1.2 樣品驗証: 樣品制作完成后,除溫升記錄、EMI測試外(是否需重新驗証,視情況而定),每一臺樣品都應(yīng)經(jīng)過驗証(包括電氣及機(jī)構(gòu)尺寸),此階段的電氣驗証可以以ATE(Chroma)測試來完成,ATE測試必須與電氣規(guī)格相符. 4.1.3 QE驗証: QE針對工程部所提供的樣品做驗証,工程部應(yīng)提供以下交件及樣品供QE驗証.



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