IR授權(quán)使用DirectFET封裝技術(shù)

　　IR近日與兩家總部分別位于不同地區(qū)的半導(dǎo)體供應(yīng)商達(dá)成協(xié)議，授權(quán)他們使用 IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)。

　　DirectFET MOSFET封裝技術(shù)基于突破性的雙面冷卻技術(shù)，在2002年推出后迅速成為了先進(jìn)計(jì)算、消費(fèi)及通信應(yīng)用解決安裝散熱受限問題的首選解決方案。自從該技術(shù)推出后，DirectFET 便成為 IR 公司歷史上增長(zhǎng)速度最快的產(chǎn)品。由于 DirecFET 封裝能改善電流密度和性能，IR 預(yù)期隨著有關(guān)授權(quán)協(xié)議的達(dá)成，這項(xiàng)封裝技術(shù)將成為多元化應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。

　　IR 公司的首席執(zhí)行官 Alex Lidow 先生表示：“我們不斷開發(fā)節(jié)省能源的技術(shù)。IR 的 DirectFET 封裝技術(shù)有助于降低能量損失并減少設(shè)計(jì)的占板面積，還能夠推動(dòng)計(jì)算技術(shù)的發(fā)展?！彼a(bǔ)充道：“通過這些授權(quán)協(xié)議，我們將可以擴(kuò)大 IR DirectFET 創(chuàng)新封裝技術(shù)在節(jié)能方面的影響力?！?nbsp;