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具有高溫工作能力的1700V SPT+ IGBT和二極管芯片組

作者： 時(shí)間：2012-05-25 來源：網(wǎng)絡(luò) 收藏
正如圖14（b）所示，采用新的FSA概念，傳統(tǒng)二極管的高反向恢復(fù)SOA可以被超越，并且同SPT+質(zhì)子輻射工藝平臺(tái)相比漏電流減小3倍。通過在有源區(qū)和終端保護(hù)環(huán)之間引入一個(gè)特殊的結(jié)延伸區(qū)域，可以獲得較好的反向恢復(fù)堅(jiān)固性。圖17顯示了二極管卓越的堅(jiān)固性——Tj=175℃條件下，通過了峰功率為550kW/cm2的SOA測(cè)試。

本文引用地址：http://2s4d.com/article/230468.htm

（b）

圖16反向阻斷過程中普通二極管（a）和FSA二極管（b）的摻雜濃度及阻斷態(tài)相關(guān)電場(chǎng)分布草圖

圖17Tj=175℃時(shí)1700V FSA二極管反向恢復(fù)SOA

5 結(jié)論和展望

本文介紹了ABB公司高溫工作的新型1700V SPT+ IGBT和二極管芯片組。為工作在較大寄生電感和多重并聯(lián)條件下工作，對(duì)芯片組進(jìn)行了優(yōu)化，并且有卓越的靜態(tài)和開關(guān)表現(xiàn)。當(dāng)新芯片組用在Tj=150℃條件下工作的1700V 3600A HiPak2封裝中時(shí)，也顯示出低的總功耗和軟的電流瞬態(tài)。

為使結(jié)工作溫度能夠進(jìn)一步拓展到Tj=175℃，還討論到了IGBT鈍化過程中的進(jìn)一步優(yōu)化和新型二極管陽極概念。

評(píng)論


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