【技術(shù)視點(diǎn)】開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)原理及全過(guò)程

　　230V/60Hz=0.88V

　　264V/63Hz=0.91V

　　4.1.1.2DutyCycle，fT：

　　4.1.1.3Vin(min)=100V(90V/47Hzfullload)

　　4.1.1.4Stress(264V/63Hzfullload)：

　　Q1MOSFET：

　　4.1.1.5輔助電源(開(kāi)機(jī)，滿載)、短路Pinmax.：

　　4.1.1.6Static(fullload)

　　Pin(w)Iin(A)Iout(A)Vout(V)P.F.Ripple(mV)Pout(w)eff

　　90V/47Hz18.70.3643.300.573213.2270.7

　　115V/60Hz18.603143.300.522813.2271.1

　　132V/60Hz18.60.2843.300.502913.2271.1

　　180V/60Hz18.70.2143.300.493013.2370.7

　　230V/60Hz18.90.1843.300.462913.2269.9

　　264V/60Hz19.20.1643.300.452913.2368.9

　　4.1.1.7FullRange負(fù)載(0.3A-4A)

　　(驗(yàn)證是否有振蕩現(xiàn)象)

　　4.1.1.8回授失效(輸出輕載)

　　Vout=8.3Vê90V/47Hz

　　Vout=6.03Vê264V/63Hz

　　4.1.1.9O.C.P.(過(guò)電流保護(hù))

　　90V/47Hz=7.2A

　　264V/63Hz=8.4A

　　4.1.1.10Pin(max.)

　　90V/47Hz=24.9W

　　264V/63Hz=27.1W

　　4.1.1.11Dynamictest

　　H=4A，t1=25ms，slewRate=0.8A/ms(Rise)

　　L=0.3A，t2=25ms，slewRate=0.8A/ms(Full)

　　90V/47Hz

　　264V/63Hz

　　4.1.1.12HI-POTtest：

　　HI-POTtest一般可分為兩種等級(jí)：　　輸入為3Pin(有FG者)，HI-POTtest為1500Vac/1？minute.Y-CAP使用Y2-CAP

　　輸入為2Pin(無(wú)FG者)，HI-POTtest為3000Vac/1？minute.Y-CAP使用Y1-CAP

　　DA-14B33屬於輸入3PINHI-POTtest為1500Vac/1minute.

　　4.1.1.13Groundingtest：

　　輸入為3Pin(有FG者)，一般均要測(cè)接地阻(Groundingtest)，安規(guī)規(guī)定FG到輸出線材(輸出端)的接地電阻不能超過(guò)100MΩ(2.5mA/3Second)。

　　4.1.1.14溫昇記錄

　　設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)定案後(暫定)，需針對(duì)整體溫昇及EMI做評(píng)估，若溫昇或EMI無(wú)法符合規(guī)格，則需重新實(shí)驗(yàn)。溫昇記錄請(qǐng)參考附件，D5原來(lái)使用BYV118(10A/40VSchottkybarrier肖特基二極管)，因溫昇較高改為PBYR1540CTX(15A/40V)。

　　4.1.1.15EMI測(cè)試：

　　EMI測(cè)試分為二類：

　　Conduction(傳導(dǎo)干擾)

　　Radiation(幅射干擾)

　　前者視規(guī)范不同而有差異(FCC：450K-30MHz，CISPR22：150K-30MHz)，前者可利用廠內(nèi)的頻譜分析儀驗(yàn)證；後者(范圍由30M-300MHz，則因廠內(nèi)無(wú)設(shè)備必須到實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證，Conduction，Radiation測(cè)試資料請(qǐng)參考附件).

　　4.1.1.16機(jī)構(gòu)尺寸：